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2025-05-05 12:05本頁(yè)面
【正文】 延遲 銅易于擴(kuò)散到硅中，會(huì)影響器件性能；銅還會(huì)對(duì)加工設(shè)備造成污染，因此銅互連不能用常規(guī)的淀積和干法刻蝕方法形成 銅互連技術(shù)特點(diǎn)： – 顯著減小互連線的寄生電阻 – 與低 k介質(zhì)材料結(jié)合減小寄生電容，提高電路性能 – 需要特殊的工藝技術(shù)： “ 鑲嵌 ” （大馬士革）技術(shù)和化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù) 先進(jìn)深亞微米 CMOS工藝過(guò)程 氮 化 硅 氧 化 硅p 型 襯 底（ a ）光 刻 膠光 刻 膠二 氧 化 硅氮 化 硅p 型 襯 底（ b ）C V D 二 氧 化 硅氮 化 硅P 型 襯 底（ c ）p 型 襯底( d )淺 溝槽 隔離淺 溝 槽 隔離淺 溝槽 隔離p 型 襯 底( e )n 阱 p 阱 淺 溝槽 隔離淺 溝 槽 隔離淺 溝槽 隔離p 型 襯 底p 型 摻 雜 n 型 摻 雜多 晶 硅柵 氧 化層( f )n 阱 p 阱 淺 溝 槽隔 離淺 溝 槽 隔離淺 溝槽 隔離 先進(jìn)深亞微米 CMOS工藝過(guò)程（續(xù)） 淺 溝槽 隔離淺 溝 槽隔 離淺 溝槽 隔離p 型 襯 底p 型 摻 雜 n 型 摻 雜 n+多 晶 硅( h )p+多 晶 硅 n+ n+p+p+n 阱 p 阱 p 型 襯 底p 型 摻 雜n 型 摻 雜硅化物硅化物( j )淺 溝槽 隔離淺 溝 槽隔 離淺 溝槽 隔離 n+ n+p+p+p 型 襯 底p 型 摻 雜 n 型 摻 雜( i )淺 溝槽 隔離淺 溝 槽隔 離淺 溝槽 隔離 n+ n+p+p+n 阱 p 阱 n 阱 p 阱 p 型 襯 底p 型 摻 雜 n 型 摻 雜光 刻 膠 光 刻 膠( g )n 阱 p 阱 淺 溝槽 隔離淺 溝 槽隔 離淺 溝槽 隔
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