電鍍液性能ppt課件-資料下載頁(yè)
2025-05-04 07:13本頁(yè)面
【正文】 離子電沉積過(guò)程控制步驟 添加劑阻化作用的控制步驟 三種類型的整平作用 幾何整平 ≈1 ≈1 電化學(xué)步驟 無(wú)阻化或表面步驟 負(fù)整平 1 1 擴(kuò)散步驟 無(wú)阻化或表面步驟 正整平 1 1 電化學(xué)步驟 擴(kuò)散控制 整平劑的特點(diǎn) ＊＊ (1)能強(qiáng)烈地 阻化陰極過(guò)程 ，使陰極極化提高 50~120毫伏，而光亮劑只能使陰極極化提高 10~30毫伏 (2)能夾雜在鍍層中或在陰極上 還原 而被消耗 (3)整平劑在峰處的 吸附量 大于谷處的吸附量 整平劑的作用機(jī)理 ? 整平劑（ 極化劑、阻化劑） ： 擴(kuò)散理論 —— 光亮及半光亮鍍鎳的整平作用 ? 去極化抑制劑 （去極化劑、促進(jìn)劑） ： 記憶理論 —— 硫酸銅鍍銅的整平作用 (1)擴(kuò)散理論 —— 光亮及半光亮鍍鎳的整平作用 峰 谷 整平劑 波峰處電流密度?。徊ü忍幍碾娏髅芏却? 波峰出沉積金屬少，鍍層薄；波谷處金屬沉積多，鍍層厚 旋轉(zhuǎn)圓盤電極研究整平作用 擴(kuò)散層的有效厚度 擴(kuò)散系數(shù) 動(dòng)力粘度 旋轉(zhuǎn)角速度 幾何整平： 負(fù)整平：隨 i 與 ω 無(wú)關(guān) 正整平：隨 負(fù)整平：隨 ω 增加 增加 i ω 增加 減小 恒電勢(shì)下 ＊＊ i 恒電位下 整平是添加劑的擴(kuò)散控制所致 伏安溶出分析法評(píng)價(jià)整平能力 Cu Cu 掃速一定，溶解峰面積與平均析出速度成正比 1 rsALA??(2)記憶理論 —— 硫酸銅鍍銅的整平作用 開(kāi)始 其后 去極化抑制劑 根據(jù)記憶理論描繪的硫酸銅光亮鍍銅的整平作用示意圖 由記憶效應(yīng)完成的整平過(guò)程 電鍍時(shí)間： a16 min， b48 min， c56 min %100)g()g( ???理論電沉積量實(shí)際金屬的析出量 電解過(guò)程中陰極上實(shí)際析出的金屬量與理論析出量之比的百分?jǐn)?shù)。 100%mKI t? ??167。 電流效率 電流效率 : ? 小于 100% 陰極電流效率 ? 小于 100% ? 大于 100% 陽(yáng)極電流效率
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