電鍍液性能ppt課件-資料下載頁
2025-05-04 07:13本頁面
【正文】 離子電沉積過程控制步驟 添加劑阻化作用的控制步驟 三種類型的整平作用 幾何整平 ≈1 ≈1 電化學步驟 無阻化或表面步驟 負整平 1 1 擴散步驟 無阻化或表面步驟 正整平 1 1 電化學步驟 擴散控制 整平劑的特點 ＊＊ (1)能強烈地 阻化陰極過程 ，使陰極極化提高 50~120毫伏，而光亮劑只能使陰極極化提高 10~30毫伏 (2)能夾雜在鍍層中或在陰極上 還原 而被消耗 (3)整平劑在峰處的 吸附量 大于谷處的吸附量 整平劑的作用機理 ? 整平劑（ 極化劑、阻化劑） ： 擴散理論 —— 光亮及半光亮鍍鎳的整平作用 ? 去極化抑制劑 （去極化劑、促進劑） ： 記憶理論 —— 硫酸銅鍍銅的整平作用 (1)擴散理論 —— 光亮及半光亮鍍鎳的整平作用 峰 谷 整平劑 波峰處電流密度小；波谷處的電流密度大 波峰出沉積金屬少，鍍層??；波谷處金屬沉積多，鍍層厚 旋轉(zhuǎn)圓盤電極研究整平作用 擴散層的有效厚度 擴散系數(shù) 動力粘度 旋轉(zhuǎn)角速度 幾何整平： 負整平：隨 i 與 ω 無關(guān) 正整平：隨 負整平：隨 ω 增加 增加 i ω 增加 減小 恒電勢下 ＊＊ i 恒電位下 整平是添加劑的擴散控制所致 伏安溶出分析法評價整平能力 Cu Cu 掃速一定，溶解峰面積與平均析出速度成正比 1 rsALA??(2)記憶理論 —— 硫酸銅鍍銅的整平作用 開始 其后 去極化抑制劑 根據(jù)記憶理論描繪的硫酸銅光亮鍍銅的整平作用示意圖 由記憶效應(yīng)完成的整平過程 電鍍時間： a16 min， b48 min， c56 min %100)g()g( ???理論電沉積量實際金屬的析出量 電解過程中陰極上實際析出的金屬量與理論析出量之比的百分數(shù)。 100%mKI t? ??167。 電流效率 電流效率 : ? 小于 100% 陰極電流效率 ? 小于 100% ? 大于 100% 陽極電流效率
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