張磊-無氯法制備高純硅烷技術(shù)-資料下載頁
2025-04-30 23:03本頁面
【正文】 v a l u a t i o n O r i g i n P r o 8 E v a l u a t i o n29 不同平均粒徑硅粉的臨界流化速度對平均粒徑作成圖 , 并擬合出臨界流化速度與顆粒粒徑的關(guān)系式，對不同粒徑硅粉臨界流化速度的的得到很有意義。 壓力脈動標準方差法測量硅粉的流化特性 臨界流化速度與粒徑的關(guān)系 . 0 3 3 2 9 0 . 0 2 5 4 7dpmfUe??50 100 150 200 250 300 350 400 450 5000 .0 20 .0 40 .0 60 .0 80 .1 00 .1 20 .1 4 Umf(m/s)dp( ?m)E qu at ion y = A 1* ex p( x / t1) + y 0A dj. R S qu ar 0. 98 89 7V alu e S t an da r d E r r orB y0 0. 02 54 7 0. 02 94 5B A1 0. 03 32 9 0. 02 23 7B t1 28 4. 94 33 4 91 . 16 44 830 床層壓降法測量混合硅粉的流化特性 0 .0 0 2 0 .0 0 0 0 .0 0 2 0 .0 0 4 0 .0 0 6 0 .0 0 8 0 .0 1 0 0 .0 1 2 0 .0 1 4 0 .0 1 6 0 .0 1 801234 ???kPa?? (m / s)?mf固定床 流化床流化床的△ Pu關(guān)系圖 臨界流化速度為 31 烷氧基硅烷歧化制備硅烷及提純 控溫 四乙氧基硅烷 SiH4 干冰 冷阱站 低溫提純段 催化劑 三乙氧基硅烷 SiH4 不凝氣 1 4 2 5 3 6 壓縮分裝 4HSi(OC2H5)3 3Si(OC2H5)4 + SiH4 多孔材料吸附 32 甲硅烷 提純前后氣體組分檢測結(jié)果 圖 1 反應(yīng)釜出來的原料硅烷測試 PDHID圖 圖 2 經(jīng)過一次循環(huán)后硅烷測試 PDHID圖 33 雜質(zhì) ppm(v) 金屬及其它 哈工大 /REC H2 ≤1 / 20 Fe ≤ Al ≤2ppta N2 ≤ / ≤ Cr ≤ As ≤5ppta O2+Ar ≤ / ≤ Ni ≤ Ga ≤5pbta CO ≤ / ≤ Cu ≤ Sb ≤5ppta CO2 ≤ / ≤ Zn ≤ In ≤5ppta CH4 ≤ / ≤ B ≤ Pb ≤1ppta H2O ≤ / ≤ P ≤ C ≤ 高純硅烷氣體技術(shù)指標表 34 甲硅烷 PECVD測試 膜厚 暗電流 亮電流 暗電導 亮電導 177。 nm pA 109 s/cm 105 s/cm ?載體：康寧無鈉玻璃 ?條件：純硅烷 100sccm 10w 10min 檢測結(jié)果表 35 部分測試設(shè)備 ICPMS 氣相色譜 液相色譜 PDHID氦離子化色譜 36 技術(shù)優(yōu)勢與創(chuàng)新性 ? 無污染 ：烷氧基硅烷法采用工業(yè)級硅粉和醇為初始原材料 , 工藝全流程無污染物進出反應(yīng)系統(tǒng) ? 純度高 ：甲硅烷純度與 MEMC、 REC、 Praxair等國外公司產(chǎn)品相當 ? 高附加值副產(chǎn)品 ：生產(chǎn)過程中的副產(chǎn)品主要為四烷氧基硅烷，可被加工成多種高附加值產(chǎn)品，如高活性納米二氧化硅、防水劑、苯基硅油、高純石英玻璃母料及重防腐涂料等 ? 成本低 ：高純硅烷的生產(chǎn)條件溫和，基本在常溫常壓下發(fā)生反應(yīng)，因此整體能耗低，成本低 37 謝謝！
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