【正文】 元件就是電容和電阻了，這是為了提高電氣性能的需要。如圖45所示。電容采用貼片式電容，因?yàn)閮?nèi)存條的體積較小，不可能使用直立式電容，但這種貼片式電容性能一點(diǎn)不差，它為提高內(nèi)存條的穩(wěn)定性起了很大作用。電阻電阻也是采用貼片式設(shè)計(jì)，一般好的內(nèi)存條電阻的分布規(guī)劃也很整齊合理。內(nèi)存固定卡缺口內(nèi)存插到主板上后，主板上的內(nèi)存插槽會有兩個(gè)夾子牢固的扣住內(nèi)存，這個(gè)缺口便是用于固定內(nèi)存用的。內(nèi)存腳缺口內(nèi)存的腳上的缺口一是用來防止內(nèi)存插反的（只有一側(cè)有），二是用來區(qū)分不同的內(nèi)存，以前的SDRAM內(nèi)存條是有兩個(gè)缺口的，而DDR則只有一個(gè)缺口，不能混插。SPDSPD是一個(gè)八腳的小芯片，它實(shí)際上是一個(gè)EEPROM可擦寫存貯器，這的容量有256字節(jié)，可以寫入一點(diǎn)信息，這信息中就可以包括內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)工作狀態(tài)、速度、響應(yīng)時(shí)間等，以協(xié)調(diào)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)更好的工作。從PC100時(shí)代開始，PC100規(guī)模中就規(guī)定符合PC100標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存條必須安裝SPD，而且主板也可以從SPD中讀取到內(nèi)存的信息，并按SPD的規(guī)定來使內(nèi)存獲得最佳的工作環(huán)境。另外內(nèi)存條上一般還有芯片標(biāo)志，如圖46所示 ，通常包括廠商名稱、單片容量、芯片類型、工作速度、生產(chǎn)日期等內(nèi)容，其中還可能有電壓、容量系數(shù)和一些廠商的特殊標(biāo)識在里面。芯片標(biāo)志是觀察內(nèi)存條性能參數(shù)的重要依據(jù)。第三節(jié) 常見內(nèi)存條類型 EDO內(nèi)存EDO（Extended Data Out RAM,，擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出內(nèi)存），可分為30pin和72pin（pin為線），如圖47所示，用5V電壓，數(shù)據(jù)寬度為32Bit，奔騰以上數(shù)據(jù)寬度都是64Bit甚至更高，所以EDO RAM在586主板上必須成對使用。SDRAM內(nèi)存SDRAM（Synchronous Dynamic RAM，同步動態(tài)內(nèi)存），168pin和144pin（其中144pin用于筆記本），如圖48所示，其數(shù)據(jù)寬度為64Bit。其工作原理是將RAM與CPU以相同的頻率進(jìn)行控制，取消了CPU的等待時(shí)間提高存取速度。可分為3個(gè)階段：⑴.PC66規(guī)范：主板設(shè)計(jì)為4個(gè)72pin+2個(gè)168pin⑵.PC100規(guī)范：主板設(shè)計(jì)為24個(gè)168pin⑶.PC133規(guī)范：主板設(shè)計(jì)為24個(gè)168pinDDR RAM內(nèi)存DDR RAM（Double Data Rage RAM，雙倍速率SDRAM），如圖49所示，比SDRAM的速度高一倍，特點(diǎn)是在時(shí)鐘周期內(nèi)的上升沿和下降沿各傳輸一次數(shù)據(jù)，為184pin?，F(xiàn)在市場上出現(xiàn)了DDRII內(nèi)存， , 184Pin升級為232Pin ,內(nèi)存總線為64位，現(xiàn)在的初期產(chǎn)品運(yùn)行頻率在DDR400～DDR533之間，RDRAMRDRAM（Rambus DRAM,存儲器總線式動態(tài)隨機(jī)存取存儲器），如圖410所示，由Rambus公司和Intel公司推出的一種內(nèi)存規(guī)格，184pin，根據(jù)速度分600MHz、700MHZ和800MHZ三種，可在單個(gè)時(shí)鐘內(nèi)的上升沿和下降沿各傳輸數(shù)據(jù)。第四節(jié) 內(nèi)存的技術(shù)指標(biāo)與Cache一、內(nèi)存的技術(shù)指標(biāo)ECC校驗(yàn)：在奇偶校驗(yàn)基礎(chǔ)上開發(fā)的校驗(yàn)，奇偶校驗(yàn)指為了防止內(nèi)存中的數(shù)據(jù)傳輸中發(fā)生錯(cuò)誤需要對字節(jié)中的數(shù)據(jù)位進(jìn)行的校驗(yàn)，可找出一位二進(jìn)制錯(cuò)誤但不能更正。ECC可糾正一位二進(jìn)制錯(cuò)誤。SDRAM 內(nèi)存有雙面和單面設(shè)計(jì)每一面有8顆或9顆內(nèi)存顆粒。內(nèi)存容量：內(nèi)存所存儲數(shù)據(jù)的最大容量。 存取時(shí)間TAC：存取數(shù)據(jù)時(shí)的時(shí)間，即存儲器進(jìn)行一次完整的存取操作所需要的時(shí)間，單位為納秒。時(shí)間越小，速度越快。相應(yīng)在內(nèi)存條上標(biāo)有 10等字樣。10NS 100MHZ、7NS142MZH、8NS133MHZ。（LGS7 只有10 NS，市面上只有三星的是7NS）數(shù)據(jù)寬度內(nèi)存的數(shù)據(jù)寬度是指內(nèi)存同時(shí)傳輸數(shù)據(jù)的位數(shù)，以位（bit）為單位。內(nèi)存的帶寬指內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速率。5．存取周期TMC：內(nèi)存的速度用存取周期來表示。讀入和寫出是存儲器的兩個(gè)基本操作，它指的是將信息在存儲器和寄存器之間進(jìn)行讀寫。兩次獨(dú)立的存儲操作之間所需的最短時(shí)間稱為存儲周期TMC，單位為ns(納秒)，這個(gè)時(shí)間越短，存取速度就越快，也就標(biāo)志著內(nèi)存的性能越好。目前存儲器的存取周期一般為60 ns～100 ns6．內(nèi)存的電壓早期的FPM內(nèi)存和EDO內(nèi)存均使用5?V電壓，?V電壓， V電壓。而DDR 。二、CacheCache（高速緩沖存儲器），Cache速度與CPU相當(dāng)，CPU直接訪問Cache可從計(jì)算機(jī)整體提高速度，并具有預(yù)測功能。計(jì)算機(jī)中運(yùn)行速度由快到慢為：CPU——CPU內(nèi)部L1 Cache——CPU內(nèi)部L2 Cache——主板上的Cache——內(nèi)存——硬盤中的Cache（光盤中的Cache）——硬盤中的數(shù)據(jù)（光盤中的數(shù)據(jù)）。其存儲量分別為：L1 Cache：16KB64KB，甚至達(dá)到128KB；L2 Cache：128KB512KB，甚至達(dá)到8M；主板上Cache：512KB1MB；硬盤上：128KB4MB；CDROM：64KB256KB，甚至達(dá)到512KB。第五節(jié) 從軟件角度看內(nèi)存 從軟件角度看，內(nèi)存可以分為常規(guī)內(nèi)存、上位內(nèi)存等，形式具體如下：常規(guī)內(nèi)存：只有640K 又稱低端內(nèi)存、基本內(nèi)存、自由內(nèi)存，即0—640KB上位內(nèi)存：UMA 指系統(tǒng)內(nèi)存中第一個(gè)1M字節(jié)中保留的384K部分又稱上端內(nèi)存、保留內(nèi)存、BIOS內(nèi)存或適配器內(nèi)存，即640K—1024K。擴(kuò)展內(nèi)存：XMS 是1MB以上的所有內(nèi)存高端內(nèi)存區(qū)：HMA是10241088KB之間的空間的64KB擴(kuò)充內(nèi)存：在擴(kuò)展內(nèi)存中展開的16KB或64KB的空間映射內(nèi)存：（SHADOW RAM）也稱影子內(nèi)存是為提高系統(tǒng)效率而采用的一種專門技術(shù)，是將主板上的系統(tǒng)ROM BIOS和適配卡上的視頻ROM BIOS中的程序拷貝到上位內(nèi)存的部分空間。虛擬內(nèi)存：是在真實(shí)內(nèi)存不夠用時(shí)用硬盤來充當(dāng)內(nèi)存的一種方法。更改的方法：我的電腦—屬性性能虛擬內(nèi)存。第六節(jié) 內(nèi)存的選購在電腦DIY的時(shí)代，內(nèi)存已成為電腦系統(tǒng)性能的影響很大的一個(gè)主要原因。所以我們的選購內(nèi)存時(shí)首先要考慮的是內(nèi)存的種類和容量，這也是我們電腦性能穩(wěn)定的一個(gè)根本原因之一。在目前，普通的消費(fèi)者幾乎沒有理由不選擇DDR。內(nèi)存的容量對系統(tǒng)性能的影響很大，256MB內(nèi)存的電腦明顯比128MB 、64MB內(nèi)存的電腦快，這應(yīng)該是有目共睹的。內(nèi)存容量可謂多多益善，但價(jià)格也更高。對一般用戶有256MB的內(nèi)存就不錯(cuò)了，如果有預(yù)算上的限制，起碼也要準(zhǔn)備128MB，就目前的主流操作系統(tǒng)和應(yīng)用軟件，沒有128MB以上的內(nèi)存是很痛苦的。在我們確定要購買內(nèi)存的種類和容量后，我們就可以試著到電腦市場上選購內(nèi)存了。平常我們常說買現(xiàn)代的內(nèi)存或LGS的內(nèi)存，這個(gè)說法并不準(zhǔn)確。因?yàn)?，多?shù)人所謂的現(xiàn)代、LGS、NEC、三星什么的其實(shí)只是內(nèi)存芯片的廠商。我們在組裝電腦的時(shí)候使用的不會是一粒一粒的內(nèi)存芯片，而應(yīng)該是一個(gè)完整的內(nèi)存組，也就是俗稱的內(nèi)存條。很長時(shí)間以來人們把內(nèi)存芯片的廠商和內(nèi)存廠商混淆而談了。造成這種情況的原因主要還是國內(nèi)一直缺乏品牌內(nèi)存，市場上充斥的多是成捆的散裝條，用戶能看到的只有內(nèi)存芯片上的標(biāo)識和PCB（Printed Circuit Board，印刷電路板）上或可見的印記，導(dǎo)致人們嚴(yán)重缺乏內(nèi)存的品牌意識。市場并不是沒有品牌內(nèi)存，但市面上難得見的品牌內(nèi)存條價(jià)格普遍偏高，令普通消費(fèi)者和經(jīng)銷商望而卻步，轉(zhuǎn)而在散條中冒險(xiǎn)也實(shí)在有些無奈。一個(gè)內(nèi)存條由內(nèi)存芯片和印刷電路板及其它的一些元件組成，因此芯片的質(zhì)量只是內(nèi)存質(zhì)量的一部份，印刷電路板的質(zhì)量也是一個(gè)重要的決定因素。同是現(xiàn)代的內(nèi)存，大家卻會覺得質(zhì)量大不一樣，這就是印刷電路板質(zhì)量不同的原因。但這并不是說芯片無足輕重，內(nèi)存芯片畢竟是整條內(nèi)存的核心，我們在挑選時(shí)應(yīng)該注意以下幾點(diǎn)：一、細(xì)挑內(nèi)存顆粒在選購內(nèi)存時(shí)您必須仔細(xì)查對內(nèi)存編號以選擇性能盡可能好的內(nèi)存。 認(rèn)準(zhǔn)類型 現(xiàn)在市場上主要是以DDR為主，不過還有少數(shù)的SDRAM內(nèi)存，SDRAM內(nèi)存已經(jīng)不在生產(chǎn)了，所以現(xiàn)在購買的大多數(shù)可以說是二手貨，而DDR內(nèi)存有184線和232線兩種不同的形式，在購買時(shí)根據(jù)主板或其它情況實(shí)際購買所需要的內(nèi)存。當(dāng)然，最絕對的方法是看芯片的編號，什么類型\性能都可以讀出來。芯片的品牌不同的品牌的質(zhì)量自然不同，很重要的就是內(nèi)存生產(chǎn)廠商的品質(zhì)管理方面的差異，一些品牌的內(nèi)存芯片的檢測比較嚴(yán)格，在質(zhì)量和性能上留的裕度也比較高，但在超頻的時(shí)候就有比較大的影響。譬如就有用LGS的普通10ns內(nèi)存(10K）勇超133MHZ的，相比之下，一些不知名的芯片廠商的內(nèi)存就不一定有這么好的運(yùn)氣了。 芯片的品質(zhì) 內(nèi)存芯片上的標(biāo)號只能是一個(gè)參考，芯片本身的實(shí)質(zhì)并不會完全在上面體現(xiàn)出來，我們有可能會遇到名不副實(shí)的芯片。這里面又有兩種可能，一種情況是芯片本身是次品，但通過不明途徑流入市場；另一種情況是Remark的芯片，將低質(zhì)芯片的標(biāo)識打磨掉之后，重新打上標(biāo)識，以冒充較優(yōu)質(zhì)的芯片。⑴ 小心次品這種情況使用的是原廠的芯片，芯片的外觀一般比較完美，但在其它地方還是可以看出破綻。因?yàn)槭褂眠@類內(nèi)存的價(jià)格一般都比較低，不過即使使用的芯片表面看來可能是不錯(cuò)，但內(nèi)存的其它部份除了價(jià)格之外絕對不會讓人感到高興。在遇到芯片不錯(cuò)價(jià)格低謙的內(nèi)存時(shí)大家一定要多長幾個(gè)心眼，看看這根內(nèi)存的印刷電路板是否做得比較簡陋、粗糙。如果感覺印刷電路板比較差，那么這么好的芯片配這樣不起眼的印刷電路板就非常蹊蹺。再仔細(xì)看芯片，看看其上標(biāo)的生產(chǎn)日期是否一致。如果有幾個(gè)不同的日期就說明同一條內(nèi)存上的芯片有幾個(gè)不同的批次，這時(shí)我們就需要仔細(xì)想一想了。如果有兩個(gè)批次且兩個(gè)批次的芯片的印刷電路板上的排列規(guī)律（如連續(xù)幾顆是一個(gè)批次的，或兩批次均勻間隔等），還可以認(rèn)為這根內(nèi)存使用可能正好是兩個(gè)批次芯片的首尾。但如果有三個(gè)甚至更多的批次就不太妙了，這至少說明這個(gè)組裝廠的原材料管理難以讓人恭維，這樣就很難讓我們相信這條內(nèi)存的質(zhì)量是得到嚴(yán)格保證的。此外有暇疵的產(chǎn)品還有一種表現(xiàn)形式是芯片的數(shù)目和實(shí)際容量不符，常見的就是所謂的補(bǔ)位片或補(bǔ)位條，如看芯片上的標(biāo)識知每顆芯片的容量是64Mbit，除8得知每顆芯片是8MB，則64MB一條的內(nèi)存上應(yīng)該有8顆芯片（若帶校驗(yàn)的內(nèi)存就有9顆），但有時(shí)你會發(fā)現(xiàn)市面上賣的一些64MB內(nèi)存是雙面16顆芯片的，其上的芯片的標(biāo)識也是每顆64Mbit（8MB），而不是32Mbit（4MB），按理這應(yīng)該是一條128MB的內(nèi)存，但它確實(shí)不是，所以這里面肯定有問題，可能是兼容性方面的問題，也可能是質(zhì)量上的問題。⑵ 警惕Remark這種情況由于要打磨或腐蝕芯片的表面，一般都有會在芯片的外觀上表現(xiàn)出來。正品的芯片表面一般都很有質(zhì)感，要么有光澤或熒光感要么就是啞光的。如果覺得芯片的表面色澤不純甚至比較粗糙、發(fā)毛，那么這顆芯片的表面一定受到了磨損。這時(shí)應(yīng)該嘗試判斷磨損的原因，因?yàn)槟壳皣鴥?nèi)內(nèi)存的運(yùn)輸和銷售的方式有點(diǎn)野蠻，內(nèi)存間難免互相刮擦并留下痕跡。后期的刮擦留下的痕跡通常比較粗，刮痕通常出現(xiàn)在個(gè)別芯片上，如果多顆芯片出現(xiàn)刮痕則整條內(nèi)存上的芯片的刮痕在方向上應(yīng)保持一致，也就是從痕跡上能讓人感覺到在磨擦中全部芯片的運(yùn)動方向是相同的。最重要的是刮痕與標(biāo)識之間的關(guān)系不明顯，即便在標(biāo)識上出現(xiàn)刮痕也不像是故意集中在標(biāo)識上的，且標(biāo)識本身應(yīng)該受到和磨痕相應(yīng)的磨損。而故意打磨的芯片上的痕跡主要集中在標(biāo)識附近，且痕跡很均勻，細(xì)看后可以發(fā)現(xiàn)芯片的這些區(qū)域與其它部分的質(zhì)感不大一致，如顏色偏淺、泛白等。另外Remark的芯片還可能出現(xiàn)芯片表面有明顯的磨損面其上的油印字跡卻保持完好這等怪事。通常芯片的角上會有凹陷的小圓圈，側(cè)光觀察小圓圈的深度是否均勻。打磨過的芯片上的小圓圈可能還會出現(xiàn)某部分邊緣缺失的情況。上面這些辦法其實(shí)還是很主觀的，并不是絕對的，讀者在多看一些內(nèi)存后總能找到一些感覺，還是自己多體會一些為好反正象運(yùn)輸和銷售中的無意磨損和故意的打磨明人很容易就分辨出來的,，但實(shí)際上這是很不實(shí)際的，據(jù)筆者所見，許多廠商的同型內(nèi)存芯片的不同批次的標(biāo)識在筆畫粗細(xì)、顏色等方面甚至封裝的色澤上都會有區(qū)別。在散裝條的市場上看到這種情況可能會給人真假難辨的感覺，如果在Kingston這些品牌內(nèi)存上看到就不能有什么懷疑了。不過同批次的芯片的刻印如果不同那就有問題了。例如同一條內(nèi)存上同一批次的芯片上的字跡位置不一致，這顆的標(biāo)識在中央，而另一顆的標(biāo)識卻靠邊，見到這樣的內(nèi)存大家盡可嘲笑做假者的拙劣。當(dāng)然，不管芯片上印刷標(biāo)識的筆畫、色澤如何，有激光蝕刻的芯片想來比較讓人放心?，F(xiàn)在恐怕又有人叫起來了，因?yàn)楹芏嗳擞X得逛了這么久的電腦市場看到的內(nèi)存在標(biāo)識都是油印似的，沒見過刻的啊。其實(shí)這只是大家沒注意到而已，許多芯片是在蝕刻的字跡上再印平時(shí)我們所看到的標(biāo)識的（恐怕是擔(dān)心在黑色的芯片上刻的字不夠清晰而已），平時(shí)大多數(shù)人看內(nèi)存只是看一下芯片的正面，這很難察覺，如果側(cè)光仔細(xì)觀察經(jīng)?？梢园l(fā)現(xiàn)在油印的字跡中間有刻痕（當(dāng)然刻痕要與油印字跡要相符才行）。此個(gè)標(biāo)識就是油印的低檔芯片很容易改動，其中最可能的手段是用藥水洗去原芯片的標(biāo)識，然后再刻上或印上新的標(biāo)識。被藥水洗過的芯片顏色肯定偏淺，要么是標(biāo)識附近的區(qū)域顏色不對，要么就是整顆芯片的顏色都發(fā)白。在現(xiàn)在內(nèi)存條價(jià)格高水平的時(shí)期，發(fā)白的芯片大家可要小心。 二、 內(nèi)存芯片編號 以下分別列出了幾種常見內(nèi)存顆粒的編號，希望對您選購內(nèi)存有所幫助。HYUNDAI （現(xiàn)代）現(xiàn)代的SDRAM芯片上的標(biāo)識為以下格式：HY 5X X XXX XX X X X X XX –XXHY代表是現(xiàn)代的產(chǎn)品。5X表示芯片類型，57為一般的SDRAM，5D為DDR SDRAM。第2個(gè)X代表工作電壓，空白為5V，V, U。第35個(gè)X代表容量和刷新速度，分別如下：第7個(gè)X代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬，80、132分別代表4位、8位、16位和32位。第8個(gè)X代