材料表面與界面(2)-資料下載頁
2025-04-29 12:03本頁面
【正文】 m2） T — 檢測系數(shù) λ — 光電子的平均自由程（ cm） 1 1 12 2 2n I Sn I S?令 S =σψγAλ 為靈敏度因子 x x xxi i iiin I SCn I S????已知 Si, 測得 I X光電子能譜儀 1） X光源 Al kα 1486eV Mg kα 1253eV 雙陽極 Al/Mg 單色器 Al 2）分析室（高真空室） 2 1010mbar ① 清潔樣品表面 ② 減少空氣分子與電子的碰撞 3）能量分析器 R2 R1 Δ V 122221RRE e VRR???? ?????k e V?? 絕緣材料測定 1）表面電荷 表面電子逸出后，絕緣樣品表面帶正電荷，形成額外電場。使 XPS鐠線結(jié)合能偏離正常位置。 2）化學(xué)位移標(biāo)定 Au4f7/2 Ag3d5/2 標(biāo)樣 內(nèi)標(biāo) C1s 3）表面電荷補償 ① 低能電子槍 發(fā)射電子，將內(nèi)標(biāo)補償?shù)綐?biāo)準(zhǔn)位置 ② 電子離子槍 可同時發(fā)射電子和離子，將內(nèi)標(biāo)補償?shù)綐?biāo)準(zhǔn)位置 X光電子能譜儀功能 ① 表面元素組成的定性、定量分析 ② 表面元素鍵合狀態(tài)的定性、定量分析 ③ 表面元素的分布 ④ 表面元素分布圖 ⑤ 樣品元素深度分布 深度分布分析 材料不同深度上元素及鍵合態(tài)的分析 1）離子刻蝕（離子賤射） 采用 Ar＋ 轟擊的方法剝蝕樣品表面 優(yōu)點：可以得到任意深度的信息 缺點：①樣品化學(xué)態(tài)改變 ②不同材料刻蝕速度不同 2）改變電子逸出角度 e Xray l Xray e θ 39。 s inll ??優(yōu)點：非破壞性，不改變樣品的狀態(tài) 缺點：①分析深度有限 ②角度旋轉(zhuǎn)后，分析面積變化 3）角分辨 XPS Xray e e e 成像 XPS鐠圖給出分析區(qū)域的平均信息，成像給出元素分布信息。 Si Au 應(yīng)用 1）表面組成 金屬鐵 Cl O Fe Fe3O4 炭納米管（深圳納米港） 催化劑 2）材料表面基團(tuán) 炭納米管 3）材料界面相互作用 Al2O3 Ti X e N COO HTiO2 4）分子間相互作用
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