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正文內(nèi)容

開關(guān)電源前端emc概述-資料下載頁(yè)

2025-04-29 06:26本頁(yè)面
  

【正文】 系 XI’AN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 31 03:57:57 4. 典型應(yīng)用 該五端器件有兩個(gè)輸入端、兩個(gè)輸出端和一個(gè)接地端,使用時(shí)外殼應(yīng)接通大地。電路中包括共模扼流圈(亦稱共模電感) L、濾波電容 C1~ C4。 L對(duì)串模干擾不起作用,但當(dāng)出現(xiàn)共模干擾時(shí),由于兩個(gè)線圈的磁通方向相同,經(jīng)過耦合后總電感量迅速增大,因此對(duì)共模信號(hào)呈現(xiàn)很大的感抗,使之不易通過,故稱作共模扼流圈。它的兩個(gè)線圈分別繞在低損耗、高導(dǎo)磁率的鐵氧體磁環(huán)上,當(dāng)有電流通過時(shí),兩個(gè)線圈上的磁場(chǎng)就會(huì)互相加強(qiáng)。 L的電感量與 EMI濾波器的額定電流 I有關(guān),參見表 1。需要指出,當(dāng)額定電流較大時(shí)。共模扼流圈的線徑也要相應(yīng)增大,以便能承受較大的電流。此外,適當(dāng)增加電感量,可改善低頻衰減特性。 C1和 C2采用薄膜電容器,容量范圍大致是 ~ ,主要用來(lái)濾除串模干擾。 C3和 C4跨接在輸出端,并將電容器的中點(diǎn)接地,能有效地抑制共模干擾。 C3和 C4亦可并聯(lián)在輸入端,仍選用陶瓷電容,容量范圍是 2200pF~ 。為減小漏電流,電容量不得超過 ,并且電容器中點(diǎn)應(yīng)與大地接通。 C1~ C4的耐壓值均為 630VDC或 250VAC XI’AN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 32 計(jì)算 EMI濾波器對(duì)地的漏電流 ILD=2π f C Vc ( 3) 式中, ILD為漏電流, f是電網(wǎng)頻率。以上圖為例,f=50Hz, C=C3+C4=4400pF, Vc是 C C4上的壓降,亦即輸出端的對(duì)地電壓,可取 Vc≈220V/2=110V。由( 3)式不難算出,此時(shí)漏電流 ILD=。 C3和 C4若選 4700pF,則 C=4700pF 2=9400pF, ILD=。顯然,漏電流與 C成正比。對(duì)漏電流的要求是愈小愈好,這樣安全性高,一般應(yīng)為幾百微安至幾毫安。在電子醫(yī)療設(shè)備中對(duì)漏電流的要求更為嚴(yán)格。 使用條件 : 使用條件包括兩方面內(nèi)容:可靠性和電磁兼容性。以前只注意可靠性,現(xiàn)在由于環(huán)境保護(hù)意識(shí)增強(qiáng),必須注意電磁兼容性。 XI’AN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 33 03:57:57 圖示出一種兩級(jí)復(fù)合式 EMI濾波器的內(nèi)部電路,由于采用兩級(jí)(亦稱兩節(jié))濾波,因此濾除噪聲的效果更佳。針對(duì)某些用戶現(xiàn)場(chǎng)存在重復(fù)頻率為幾千赫茲的快速瞬態(tài)群脈沖干擾的問題,國(guó)內(nèi)外還開發(fā)出群脈沖濾波器(亦稱群脈沖對(duì)抗器),能對(duì)上述干擾起到抑制作用。 XI’AN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 34 XI’AN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 35 在開關(guān)電源中,主要的 EMI騷擾源是功率半導(dǎo)體器件開關(guān)動(dòng)作產(chǎn)生的 dv/dt和 di/dt,因而電磁發(fā)射 EME( Electromagic Emission)通常是寬帶的噪聲信號(hào),其頻率范圍從開關(guān)工作頻率到幾 MHz。 所以,傳導(dǎo)型電磁環(huán)境( EME)的測(cè)量,正如很多國(guó)際和國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定,頻率范圍在 ~ 30MHz。設(shè)計(jì) EMI濾波器,就是要對(duì)開關(guān)頻率及其高次諧波的噪聲給予足夠的衰減?;谏鲜鰳?biāo)準(zhǔn),通常情況下只要考慮將頻率高于 150kHz的 EME衰減至合理范圍內(nèi)即可。 總結(jié) XI’AN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY Thank you!
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