半導體激光器的主要參數(shù)-資料下載頁
2025-04-29 05:02本頁面
【正文】 x是考慮到有源區(qū)內產(chǎn)生的光子并不能全部發(fā)射出去，腔內產(chǎn)生的光子遭受散射、衍射和吸收，以及反射鏡端面損耗等。因為激光器有激射的閾值特性，所以當 IIth時， ηex很小，當 IIth時， P直線上升， ηex變大。 半導體激光器的幾個效率參數(shù) 4 斜率效率 (外微分量子效率 , PI曲線的斜率 ) 閾值電流密度 ? 有源區(qū)內的局部增益是均勻分布的，則模增益 分別是對應模式的增益和限制因子 為局部閾值增益系數(shù) 是鏡面末端損耗 是內部損耗 afc是有源區(qū)內的自由載流子吸收系數(shù) aout包層中的吸收系數(shù) (主要也是自由載流子吸收 ) as是輻射遭受有源區(qū)晶格缺陷散射和厚度不均勻引起的損耗系數(shù) ac是輻射滲入包層的損耗系數(shù) Je和 Jh分別是流過異質結勢壘的電子和空穴的漏電流 J2為有源區(qū)電流密度； ηi為內量子效率； Q2為諧振腔品質因素； 大功率半導體激光器典型結構 單元器件 大功率半導體激光器典型結構 陣列器件 大功率半導體激光器典型結構 陣列器件 大功率半導體激光器典型結構 陣列器件 The en
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