ic工藝原理制造第8章-資料下載頁(yè)
2025-04-29 04:28本頁(yè)面
【正文】 Chip Performance Issues Related to a Salicide Structure STI TiSi2 STI S G D TiSi2 TiSi2 TiSi2 Reduced sheet resistance Reduced gate to S/D resistance Reduced contact resistance Reduced diode leakage . 光學(xué)薄膜等應(yīng)用 金屬結(jié)構(gòu) 1 金屬結(jié)構(gòu) 2 Au 1500 197。 Au 2200 197。 Ge 400 197。 Ni 30 197。 Ni 150 197。 Ge 80 197。 nInGaAs帽層 Au 660 197。 Ge 40 197。 Ni 40 197。 nInGaAs帽層 結(jié)構(gòu) 1包含三層金屬，自下而上依次為 Ni（ 150 197。）， Ge（ 400197。），Au（ 1500 197。）。 因?yàn)?AuGe與InGaAs的浸潤(rùn)性很差， Ni起濕潤(rùn)作用，防止“縮球”發(fā)生， 同時(shí)還能促進(jìn) Au與 InGaAs的反應(yīng)，提高 Ge的內(nèi)擴(kuò)散能力，起著整個(gè)相變反應(yīng)催化劑的作用 [5]。 Ge在一定溫度下通過(guò)擴(kuò)散進(jìn)入 InGaAs并占據(jù) Ga空位，成為施主雜質(zhì)，因而在合金層下形成一層高摻的 n+層 [6]， 這是形成歐姆接觸的關(guān)鍵。Au會(huì)促使 InGaAs的分解以及 Ga的外擴(kuò)散，形成 Ga空位；同時(shí) Au還能提高合金后的薄層電導(dǎo)率，改善合金形貌。 金屬結(jié)構(gòu) 1 金屬結(jié)構(gòu) 2 Au 1500 197。 Au 2200 197。 Ge 400 197。 Ni 30 197。 Ni 150 197。 Ge 80 197。 nInGaAs帽層 Au 660 197。 Ge 40 197。 Ni 40 197。 nInGaAs帽層 結(jié)構(gòu) 2包含六層金屬，自下而上依次是 Ni（ 40 197。）， Ge（ 40 197。）， Au（ 660 197。）， Ge（ 80 197。）， Ni（ 30 197。）， Au（ 2200 197。）。 前三層金屬 Ni， Ge， Au的用途與結(jié)構(gòu) 1中的三層金屬類(lèi)似。 第四層金屬 Ge的作用主要是使 NiGeAu系統(tǒng)保持一定的化學(xué)計(jì)量比。 第五層金屬 Ni在前面幾層金屬與第六層的 Au之間形成一層阻擋層防止過(guò)多的 As擴(kuò)散進(jìn)入頂層的 Au[7]。 第六層金屬 Au用于提高合金后薄層電導(dǎo)率，改善表面合金形貌。
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