ccdcmos原理介紹講義-資料下載頁
2025-04-29 04:26本頁面
【正文】 光線下 CCD還是 『 感應(yīng) 』 到些許的 『 電荷 』 存在，形成了 『 看到了 』 的雜像！ CCD ISO 感光能力 — 電極暗電流影響因素一 ?S/N的強(qiáng)度還會(huì)隨 溫度 增高而增加 （ 每增加 10℃ ， S/N可能增加 1倍 ） 。因此 ， 在連續(xù)施加電源過久的情況下 ， 機(jī)體溫度過熱會(huì)導(dǎo)致畫面的噪聲增加 。 CCD ISO 感光能力 — 電極暗電流影響因素二 曝光過度 也會(huì)使景物較為明亮區(qū)域的 CCD帶有過量電子。一般來說 CCD 會(huì)忠實(shí)的反應(yīng)其結(jié)果，就是曝光過度的白光！。 不過，在極端情況下， CCD的電子會(huì)滲進(jìn)鄰近的電極當(dāng)中，導(dǎo)致數(shù)字影像拖出長白光跡或變色光影。 CMOS圖像傳感器簡介 ?ＣＭＯＳ 英文全名 Complementary MetalOxide Semiconductor，互補(bǔ)性氧化金屬半導(dǎo)體 CMOS Image Sensor外形 .CMOS圖像傳感器是利用 CMOS工藝制造的圖像傳感器 ， 主要利用了半導(dǎo)體的光電效應(yīng) 。 和 CCD的原理相同 4??l4??lCCD 與 CMOS 感光組件之優(yōu)缺點(diǎn)比較 彩色 CCD和 CMOS差異分析 ISO 感光度差異 CMOS 每個(gè)畫素包含了放大器與 A/D轉(zhuǎn)換電路，過多的額外設(shè)備壓縮單一畫素的感光區(qū)域的表面積，因此在 相同畫素下，同樣大小之感光器尺寸，CMOS的感光度會(huì)低于 CCD。 彩色 CCD和 CMOS差異分析 分辨率差異 CMOS 每個(gè)畫素的結(jié)構(gòu)比 CCD 復(fù)雜，其感光開口不及 CCD大， 相對(duì)比較相同尺寸的 CCD與 CMOS感光器時(shí)， CCD感光器的分辨率通常會(huì)優(yōu)于 CMOS。不過，如果跳脫尺寸限制，目前業(yè)界的 CMOS 感光原件已經(jīng)可達(dá)到 1400萬 畫素 / 全片幅的設(shè)計(jì)， CMOS 技術(shù)在良率上的優(yōu)勢可以克服大尺寸感光原件制造上的困難，特別是全片幅 24mmby36mm 這樣的大小。 彩色 CCD和 CMOS差異分析 噪聲差異 CMOS每個(gè)感光二極管旁都搭配一個(gè) ADC 放大器，如果以百萬畫素計(jì)，那么就需要百萬個(gè)以上的 ADC 放大器，雖然是統(tǒng)一制造下的產(chǎn)品，但是每個(gè)放大器或多或少都有些微的差異存在，很難達(dá)到放大同步的效果，對(duì)比單一個(gè)放大器的 CCD， CMOS最終計(jì)算出的噪聲就比較多。 彩色 CCD和 CMOS差異分析 成本差異 CMOS 應(yīng)用半導(dǎo)體工業(yè)常用的 MOS制程，可以一次整合全部周邊設(shè)施于單芯片中，節(jié)省加工芯片所需負(fù)擔(dān)的成本 和良率的損失；相對(duì)地 CCD 采用電荷傳遞的方式輸出信息，必須另辟傳輸信道，如果信道中有一個(gè)畫素故障（ Fail），就會(huì)導(dǎo)致一整排的 訊號(hào)壅塞，無法傳遞，因此 CCD的良率比 CMOS低，加上另辟傳輸通道和外加 ADC 等， CCD的制造成本相對(duì)高于 CMOS。 彩色 CCD和 CMOS差異分析 耗電量差異 CMOS的影像電荷驅(qū)動(dòng)方式為主動(dòng)式，感光二極管所產(chǎn)生的電荷會(huì)直接由旁邊的晶體管做放大輸出；但 CCD卻為被動(dòng)式， 必須外加電壓讓每個(gè)畫素中的電荷移動(dòng)至傳輸通道。而這外加電壓通常需要 12伏特（ V）以上的水平，因此 CCD 還必須要有更精密的電源線路設(shè)計(jì)和耐壓強(qiáng)度，高驅(qū)動(dòng)電壓使 CCD 的電量遠(yuǎn)高于 CMOS。 謝謝！
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