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2025-04-17 23:45本頁面
【正文】 件的控制和在濺射過程中，采用高濺射氣壓、低濺射功率顯得特別重要，這樣易于得到納米結構的薄膜。 低能團簇束沉積法（ＬＥＢＣＤ）制備 納米薄膜該技術也是新近出現(xiàn)的，由Paillard等人[11]于1994年初發(fā)展起來。首先將所要沉積的材料激發(fā)成原子狀態(tài)，以Ar、He氣作為載體使之形成團簇，同時采用電子束使團簇離化，然后利用飛行時間質譜儀進行分離，從而控制一定質量、一定能量的團簇束沉積而形成薄膜。此法可有效地控制沉積在襯底上的原子數(shù)目。 壓淬法制備納米晶體 這一技術是中科院金屬所姚斌等人[12]于1994年初實現(xiàn)的，他們用該技術制備出了塊狀PdSiCu和CuTi等納米晶合金。壓淬法就是利用在結晶過程中由壓力控制晶體的成核速率、抑制晶體生長過程，通過對熔融合金保壓急冷（壓力下淬火，簡稱“壓淬”）來直接制備塊狀納米晶體，并通過調整壓力來控制晶粒的尺度。 目前，壓淬法主要用于制備納米晶合金。與其他納米晶制備方法相比，它有以下優(yōu)點：直接制得納米晶，不需要先形成非晶或納米晶粒；能制得大塊致密的納米晶；界面清潔且結合好；晶粒度分布較均勻。 脈沖電流非晶晶化法制備納米晶體 這種方法是由東北大學滕功清等人[13]于1993年發(fā)展起來的。他們用此法制備了納米晶FeSiB合金。這一方法是：對非晶合金（非晶條帶）采用高密度脈沖電流處理使之晶化。與其它晶化法相比，這一技術無需采用高溫退火處理，而是通過調整脈沖電流參數(shù)來控制晶體的成核和長大，以形成納米晶，而且由脈沖電流所產生的試樣溫升遠低于非晶合金的晶化溫度。 不過，此法制備的納米晶與用其它方法制備的納米晶相比，界面組元有所不同：界面圖像（電鏡下）不是很清晰并存在一定數(shù)量的亞晶界，晶粒內部也存在較多的位錯。有關用此法獲得納米晶的晶化機制，目前還不很清楚。 以上主要對納米材料的分類、相關的應用領域及其物理的制備方法進行了較系統(tǒng)的概述，在此基礎上來促進納米材料的物理制備方法的新發(fā)明。
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