【正文】 （D7～D0）又是低8位的地址線（A7～A0），通過‘地址鎖存器 74LS373’ 與P2口（高8位，A15～A8）共同構成地址總線（A15～A0），地址總線數(shù)量由外部尋址量決定。電路運行由8031的控制總線傳送命令，即三總線方式。也是8031的典型擴展。2014D7 Q7D6 Q6D5 Q5D4 Q4D3 Q3D2 Q2D1 Q1D0 Q0G OERDWR ALEEA VCCVSS PSEN80315V74LS3735V18171413874311A7A6A5A4A3A2A1A0A14A13A12A11A10A9A8D7D6D5D4D3D2D1D0OEEPROM2725632K8（程序）19181716151312113456789102726223212425314020171628272625242322213233343536373839302919161512965215VA7A6A5A4A3A2A1A0OEWECE1A12A11A10A9A8D7D6D5D4D3D2D1D0RAM62648K8（數(shù)據(jù)）1918171615131211VCC CE2VSS282614345678910222720223212425CEVSSVCC VPP281 運行時8031通過尋址，‘逐條’將EPROM中的指令讀出（出現(xiàn)在數(shù)據(jù)總線上）：當ALE=1時，指明P0口上的信息是地址，同時此地址送至74LS373的Q端。當ALE=0時，指明P0口上的信息是數(shù)據(jù)， 74LS373先前的地址信息鎖存其中、仍在Q端（數(shù)據(jù)信息進不去）達到地址/數(shù)據(jù)分開傳送的目的。同理，當CE1=0時選中RAM，由OE（讀）、WE（寫）端命令對其‘讀’、‘寫’。⑵關于鎖存器和存儲器集成芯片 地址鎖存器74LS373 ：（簡化結構圖）ALE8IN0～78D0 Q0D7 Q7G（8D鎖存）8OUT0～7‘0’三態(tài)門OE12345678910OE VCCQ0 Q7D0 D7D1 D6Q1 Q6Q2 Q5D2 D5D3 D4Q3 Q4GND G74LS37320191817161514131211 74LS373是帶三態(tài)門緩沖輸出的8D鎖存器。G為鎖存端（數(shù)據(jù)輸入控制）。 OE為三態(tài)門控制端：當OE=0時，三態(tài)門處于導通狀態(tài)，IN信號直接到OUT端；當OE=1時，三態(tài)門輸出處于浮空狀態(tài)，OUT端與外界‘斷開’；當G=1時，OUT和IN狀態(tài)相同；當G=0時，IN數(shù)據(jù)被鎖入8個D觸發(fā)器中。還可用74LS278282等型號作地址鎖存器，其引腳、控制條件等互有差別，可查資料。 程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器：常用紫外線擦抹的可編程只讀存儲器（EPROM）、屬標準化的27系列，由于售價日趨便宜，故32k8容量的27256存儲芯片用得較多；目前，電擦抹的可編程只讀存儲器（EEPROM）也因價格便宜，且在應用系統(tǒng)中使用十分方便，被廣泛采用，如：2864（8k8） 等。對于數(shù)據(jù)存儲器（RAM）常用的有：6116（2k8）、6264（8k8）、屬‘靜態(tài)RAM’。另外，也有應用‘動態(tài)RAM’如2164（工作中需不斷刷新）和‘集成RAM（iRAM）’如2186，iRAM已將動態(tài)RAM的刷新定時與控制電路集成在芯片中，故兼有靜、動態(tài)RAM的優(yōu)點。EPROM27256及工作方式選擇：VCCA14A13A8A9A11OEA10CEO7060504O71 282 273 264 255 246 237 228 219 2010 1911 1812 1713 1614 15 VPPA12A7A6A5A4A3A2A1A0000102VSSEPROM27256CE、片選OE、讀VPPVCC輸出引 腳（20）（22）（1）（28）‘00～07’讀00 5V5VDOUT維 持15V5V高阻編 程01VPP5VDIN編程檢驗00VPP5VDOUT編程禁止11VPP5V高阻CE為片選端：此端為0時被選中，即聯(lián)入系統(tǒng)工作；為1時輸出被‘阻斷’；OE為讀出端：此端為0時讀出，即輸出對應地址單元中的數(shù)據(jù)；VPP為編程高壓端（寫入時需用的固化電壓）：～25V，此值在芯片上有標注；編程固化前需將芯片內(nèi)原有數(shù)據(jù)用紫外燈照射擦除干凈（全為‘1’），一般照射15分鐘。A0～A14 共15條地址線 ——有32768個存儲單元（32k）；00～07 數(shù)據(jù)線8條（位）：DOUT表示從片內(nèi)送出數(shù)據(jù) ——‘讀’；DIN 表示從片外向片內(nèi)送入數(shù)據(jù) ——編程固化；用于27256固化的對拷電路：VCC D7VPPD0CEA14A13OEVSS A1A0（母片） 27256D7 VCC VPPD0 A14 OEA13 CE（待固化）A1A0 VSS 272565V5V5V5V5V5V5V固化中A2 VCCUO DTHTRR CO555Q4A14A13A12CP74HC4040RA11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0CP74HC4040R390停5V5VC3R320k2kR156kR28k50k50k390C11μT啟S置022μ50k（地址形成）（去EPROM對應地址線）CD401147μ開始結束 對拷就是將一塊EPROM中的數(shù)據(jù)原樣‘翻錄’到另一塊中去，也稱為‘復制、寫入’。由EPROM工作方式選擇表：當?shù)刂?、?shù)據(jù)確定之后，由‘編程’一項的要求，只需將CE（片選）端的狀態(tài)由1→0，即可將置于數(shù)據(jù)端口的數(shù)據(jù)‘固化到’對應的地址單元中；應強調(diào)的是：每一次寫入，CE端‘0’的持續(xù)時間應控制在40～52mS（毫秒）之間，即應施加40～52mS的負脈沖；負脈沖過后，CE為1（編程禁止），數(shù)據(jù)端呈高阻對外阻斷，便于片外下一地址和新數(shù)據(jù)的更換，進入下一單元寫入。上述對拷電路就是據(jù)此設計的。含數(shù)據(jù)的母片和待固化的空白片的地址、數(shù)據(jù)端對應連接；母片在‘讀’狀態(tài)、待固化片在‘寫’狀態(tài)；用2片74HC4040的12位二進制計數(shù)器串接成地址產(chǎn)生電路，在時鐘CP作用下，地址碼逐一更新；用555時基芯片構成多諧振蕩器，輸出40～52mS的‘寫入脈沖’ ：周期：T=（R1+2R2）C1 ，脈寬是先確定T后，用‘占空比’D=R1/（R1+2R2）來分配的：例如：若選脈寬為45mS作寫入脈沖，用5mS作間隔以更新地址、數(shù)據(jù)，則T=45+5=50（mS），先選C1=1μ，可算出T=50mS下的（R1+2R2）的值，然后按占空比來分配、復核RR2的配合值。由于寫入CE為負脈沖，故將555的輸出反相?？紤]固化后若立即更換新地址可能產(chǎn)生‘競爭和冒險’ ，故用RC3稍作積分延遲——使固化穩(wěn)定結束后再更新下一地址，以求工作穩(wěn)定。單刀雙擲開關S作啟動、停止控制（RS觸發(fā)器防振）：以保證第一個‘寫入脈沖’也是完整的。當‘停止’時：三極管T飽和→555的R=0 →無‘寫入脈沖’輸出；當‘啟動’后：三極管T截止→555的R=1→ ‘寫入脈沖’輸出，將母片內(nèi)容逐一寫入空白片中；當全部地址結束，74HC4040的Q4=1 →三極管T飽和→555的R=0 →關閉寫入脈沖 →復制結束。啟動開始前應將‘地址形成’置0；電路用LED作狀態(tài)指示；。本電路為實用電路。按此原理，稍作變化即可對其他型號的EPROM復制。‘寫入脈沖’周期準確性檢測方法：設50mS固化一次，則：32k（32768）容量需3276850mS≈27分30秒復制完備。用秒表即可檢測。EPROM地址、數(shù)據(jù)（稱機器碼）用十六進制表示——用四位二進碼來表示一位十六進制數(shù)：32k地址碼A14～A0為0000H～7FFFH；數(shù)據(jù)D7～D0 為00H～FFH。RAM6264及工作方式選擇：管腳方式片選1CE1（20）片選2CE2（26）讀OE（22）寫WE（27）數(shù)據(jù)端IOO～IO7未選中（掉電）1高阻未選中（掉電）0高阻輸出禁止0111高阻讀0101DOUT寫0110DIN寫0100DINVCCWECE2A8A9A11OEA10CE1IO7I06I05I04IO31 282 273 264 255 246 237 228 219 2010 1911 1812 1713 1614 15 NCA12A7A6A5A4A3A2A1A0I00I01I02VSSRAM6264 該芯片是最常用的（8k8）隨機靜態(tài)數(shù)據(jù)存儲器。CMOS工藝制作，耗電小，因此可以采用后備電源的形式對數(shù)據(jù)進行掉電保護。除地址（A）、數(shù)據(jù)（IO）端外，有兩個‘片選端’CECE2 ；OE為‘讀出’、WE為‘寫入’控制端；均低電平有效。因進行‘讀’、‘寫’，數(shù)據(jù)端既是輸出、也是輸入。非易失型存儲器：非易失型存儲器實指電擦除型，掉電后存儲器內(nèi)數(shù)據(jù)可繼續(xù)保存，無須后備電源保護。與RAM6264對應的非易失型型號為28628C64——也稱為EEPROM、E2PROM；28C64是2864的節(jié)電型；兩者容量（8k8）、封裝方式、管腳功能、工作方式，與RAM6264完全一樣；只是2864的讀、寫時間比6264更長一些，因此，若系統(tǒng)軟件能兼容支持2864的讀、寫時間，則可用2864取代6264，從而取消后備電源。若用2864作程序存儲器，在使用中修改程序就很方便，免去了EPROM的紫外光擦抹。2864等屬于‘并行寫入’—— 8位數(shù)據(jù)同時寫入某一地址。目前也廣泛使用‘電擦抹串行只讀存儲器（串行EEPROM）’——工作時一位一位地寫入、讀出；如彩電選臺、調(diào)整參數(shù)的存儲及調(diào)用等。由于是串行，運行速度要慢一些。串行EEPROM的典型型號有：93C46N 等：12348765片選時鐘串入串出5V空腳整體地CS VCCSK NCDI BPEDO VSS93C46NCS：當為‘1’時 ，片選有效；SK：串行傳送的時鐘輸入，f可選0～250kHz ；DI：串行數(shù)據(jù)輸入端；DO：串行數(shù)據(jù)輸出端（讀出時）；擦寫操作時，DO可作擦寫狀態(tài)指示（又稱‘忙、閑’指示）；其余狀態(tài)時，DO為‘高阻’；（芯片容量：128字節(jié)）BPE：芯片的全擦除、全寫入受此端控制；當BPE懸空、或為‘1’時 ，片擦、片寫指令有效，但芯片的單個存儲單元的擦寫等則不受BPE控制；上述對拷電路例舉了將程序或數(shù)據(jù)固化到EPROM中的原理和方法 。在單片機應用中，出現(xiàn)了各種形式的‘寫入、固化設備’—— 編程器?？梢赃x購合適的編程器，達到編程、校驗、檢查存儲器質(zhì)量等目的。編程器已作為單片機應用中必不可少的工具。 5. 系統(tǒng)擴展及其功能器件：⑴ I/O