數(shù)字電子技術(shù)-考試復(fù)習(xí)選擇填空題匯總-資料下載頁
2025-04-17 00:38本頁面
【正文】 (D) 或項(xiàng)相與8．與十進(jìn)制數(shù)（）10等值的數(shù)或代碼為 B 。(A) ()8421BCD (B) ()16 (C) ()2 (D) ()89．某D/A轉(zhuǎn)換器滿刻度輸出電壓為10V，要求1mV的分辨率，其輸入數(shù)字量位數(shù)至少為 B 位。 (A) 13 (B) 14 (C) 15 (D) 1610．在下面圖2所示中能實(shí)現(xiàn)邏輯狀態(tài)輸出的電路為 A ；11．一個(gè)12K8位存儲(chǔ)系統(tǒng)，需要地址線數(shù)為多少？需要2K4位存儲(chǔ)器芯片數(shù)為多少? 應(yīng)選擇 C 。(A) 地址線13，芯片數(shù)6； (B) 地址線10，芯片數(shù)6；(C) 地址線14，芯片數(shù)12； (D) 地址線13，芯片數(shù)12 。12. 以下四種轉(zhuǎn)換器， B 是A/D轉(zhuǎn)換器且轉(zhuǎn)換速度最高。(A) 逐次逼近型 (B) 并聯(lián)比較型 (C) 雙積分型 (D) 施密特觸發(fā)器試卷一一、（20分）選擇填空。1．（ B ）A． B． C． D． 2．下列幾種說法中錯(cuò)誤的是（ D ）A．任何邏輯函數(shù)都可以用卡諾圖表示。 B．邏輯函數(shù)的卡諾圖是唯一的。C．同一個(gè)卡諾圖化簡結(jié)果可能不是唯一的。 D．卡諾圖中1的個(gè)數(shù)和0的個(gè)數(shù)相同。3．和TTL電路相比，CMOS電路最突出的優(yōu)點(diǎn)在于（ D ） A．可靠性高 B．抗干擾能力強(qiáng) C．速度快 D．功耗低4．為了把串行輸入的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為并行輸出的數(shù)據(jù)，可以使用（ B ） A．寄存器 B．移位寄存器 C．計(jì)數(shù)器 D．存儲(chǔ)器5．單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的輸出脈沖的寬度取決于（ C ） A．觸發(fā)脈沖的寬度 B．觸發(fā)脈沖的幅度C．電路本身的電容、電阻的參數(shù) D．電源電壓的數(shù)值6．為了提高多諧振蕩器頻率的穩(wěn)定性，最有效的方法是（ C ） A．提高電容、電阻的精度 B．提高電源的穩(wěn)定度C．采用石英晶體振蕩器 C．保持環(huán)境溫度不變7．已知時(shí)鐘脈沖頻率為fcp，（ A ） A．五進(jìn)制計(jì)數(shù)器 B．五位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器C．單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器 C．多諧振蕩器8．在圖18用555定時(shí)器組成的施密特觸發(fā)電路中，它的回差電壓等于（ B ） A．5V B．2V C．4V D．3V圖18試卷二一、（18分）選擇填空題1. 用卡諾圖法化簡函數(shù)F(ABCD)=(0,2,3,4,6,11,12)+(8,9,10,13,14,15)得最簡與或式____c____。A. B. C. D. 2. 邏輯函數(shù)FFF3的卡諾圖如圖12所示，他們之間的邏輯關(guān)系是 b, 。A．F3=F1?F2 B．F3=F1+F2C．F2=F1?F3 D．F2=F1+F3圖123. 八選一數(shù)據(jù)選擇器74151組成的電路如圖13所示，則輸出函數(shù)為（ c ）。 A． B．C． D． 圖134. 圖14所示電路中，能完成Qn+1=邏輯功能的電路是（ b ）圖145. D/A轉(zhuǎn)換電路如圖15所示。電路的輸出電壓υ0等于（ b ）A. B. C. D. 圖154位的DRAM設(shè)計(jì)4K8位的存儲(chǔ)器的系統(tǒng)需要的芯片數(shù)和地址線的根數(shù)是（ c ） A. 16片，10根 B. 8片，10根 C. 8片，12根 D. 16片，12根、B和輸出端F的波形圖17所示，F(xiàn)與A、B的邏輯關(guān)系是：bA. 與非； B. 同或； ； D. 或。 圖17一、選擇，填空題（16分）1．卡諾圖如圖11所示，電路描述的邏輯表達(dá)式F = D 。A．B．C．BC+AD+BDD． 圖11 2．在下列邏輯部件中，不屬于組合邏輯部件的是 D 。A．譯碼器 B．編碼器 C．全加器 D．寄存器3．八路數(shù)據(jù)選擇器，其地址輸入端（選擇控制端）有 C 個(gè)。A．8個(gè) B．2個(gè)C．3個(gè) D．4個(gè)4．為將D觸發(fā)器轉(zhuǎn)換為T觸發(fā)器， D 。A．或非門 B．與非門C．異或門 D．同或門 圖125．一位十進(jìn)制計(jì)數(shù)器至少需要 B 個(gè)觸發(fā)器。A．3 B．4 C．5 D．106．有一A/D轉(zhuǎn)換器，其輸入和輸出有理想的線性關(guān)系。當(dāng)分別輸入0V和5V電壓時(shí)，輸出的數(shù)字量為00H和FFH，可求得當(dāng)輸入2V電壓時(shí)，電路輸出的數(shù)字量為 C A．80H B．67H C．66H D． 5FH7．容量是512K8的存儲(chǔ)器共有 B A．512根地址線，8根數(shù)據(jù)線 B．19根地址線，8根數(shù)據(jù)線C．17根地址線，8根數(shù)據(jù)線 D．8根地址線，19根數(shù)據(jù)線。8．在雙積分A/D轉(zhuǎn)換器中，輸入電壓在取樣時(shí)間T1內(nèi)的平均值VI與參考電壓VREF應(yīng)滿足的條件是___B___。A．|VI|179。|VREF| B．|VI|163。|VREF| C．|VI|=|VREF| D．無任何要求試卷七一、選擇題（每小題2分，共16分）6．TTL與非門在電路中使用時(shí)，多余輸入端的處理一般是（ c ）。a. 懸空 b. 通過一合適電阻接地 c. 通過一合適電阻接電源7．欲用兩輸入與非門構(gòu)成一個(gè)二—十進(jìn)制譯碼器，最少要用（ d ）兩輸入與非門。a. 16 b. 20 c. 28 d. 448．用六管靜態(tài)存儲(chǔ)單元構(gòu)成1024bit的RAM，如果輸出為Y1Y2，則地址為（ b ），MOS管的個(gè)數(shù)為（ e ）。a. A0~ A7 b. A0~ A8 c. A0~ A9 d. 4096 e. 6144 f. 8192 16
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