【導(dǎo)讀】在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價(jià)元素,可將其改型為P型半導(dǎo)體。因?yàn)镹型半導(dǎo)體的多子是自由電子,所以它帶負(fù)電。PN結(jié)在無光照、無外加電壓時(shí),結(jié)電流為零。處于放大狀態(tài)的晶體管,集電極電流是多子漂移運(yùn)動(dòng)形成的。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管外加的柵-源電壓應(yīng)使柵-源間的耗盡層承受反向電壓,才能保證其RGS大的特點(diǎn)。若耗盡型N溝道MOS管的UGS大于零,則其輸入電阻會(huì)明顯變小。六、電路如圖所示,VCC=15V,β=100,UBE=。Rb=50kΩ時(shí),uO=?所以輸出電壓UO=UCE=2V。試分析VBB為0V、1V、三種情況下T的工作狀態(tài)及輸出電壓uO的值。解:當(dāng)VBB=0時(shí),T截止,uO=12V。解:當(dāng)uI=0時(shí),晶體管截止,穩(wěn)壓管擊穿,uO=-UZ=-5V。設(shè)圖中所有電容對(duì)交流信號(hào)均可視為短路。因?yàn)檩斎胄盘?hào)作用于基極與地之間,不能馱載在靜態(tài)電壓之上,必然失真。晶體管將因發(fā)射結(jié)電壓過大而損壞。因?yàn)檩敵鲂盘?hào)被VCC短路,恒為零。