【導讀】PN結的結電容包括和。電路中,晶體管通常工作在區(qū)。結型場效應管工作在恒流區(qū)時,其柵---源間所加電壓應該。截止區(qū)和飽和區(qū);放大區(qū);反偏。本征半導體溫度升高后,兩種載流子濃度仍然相等。P型半導體帶正電,N型半導體帶負電。要在穩(wěn)壓管兩端家反向電壓就能起穩(wěn)壓作用。體管工作在飽和狀態(tài)時發(fā)射極沒有電流流過。在N型班的人中如果摻入足量的三價元素,可將其改型為P型半導體。若耗盡型N夠到MOS場效應管的UGS大于零,則其輸入電阻會明顯減少。穴的數(shù)量始終是相等的。對于P型半導體或N型半導體在沒有形成PN結時,處于電中性狀態(tài)。間的耗盡層承受反向電壓,才能保證RGS大的特點。且可使空穴成為多數(shù)載流子,從而形成P型半導體。管;當反向工作電壓超過最高反向工作電壓時,會發(fā)生擊穿。這樣發(fā)射區(qū)發(fā)射出的載流子才能有一部分穿越基區(qū)被。集電區(qū)收集成為集電極電流。DV3兩端電壓為24V;DV4兩端電壓為20V;因此DV3導通。DV2和DV4導通、DV3截止使DV1反偏截止。