半導(dǎo)體物理基本概念大全-資料下載頁(yè)
2025-04-04 02:20本頁(yè)面
【正文】 蕩的現(xiàn)象。由于載流子分布不均勻，在高阻區(qū)形成偶極疇，偶極疇不斷產(chǎn)生、長(zhǎng)大、漂移和吸收的過程便產(chǎn)生微波振蕩。非平衡載流子半導(dǎo)體處于非平衡態(tài)時(shí)，比平衡態(tài)時(shí)多出來的那一部分載流子稱為非平衡載流子。Δp=Δn非平衡載流子的注入與復(fù)合非平衡載流子的產(chǎn)生過程稱為注入，非平衡載流子湮滅的過程稱為復(fù)合。準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)半導(dǎo)體處于非平衡態(tài)時(shí)，導(dǎo)帶電子和價(jià)帶空穴不再有統(tǒng)一的費(fèi)米能級(jí)，但可以認(rèn)為它們各自達(dá)到平衡，相應(yīng)的費(fèi)米能級(jí)稱為電子和空穴的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)。少子壽命非平衡少數(shù)載流子在半導(dǎo)體中存在的平均時(shí)間。即產(chǎn)生非平衡載流子的因素去除后，非平衡載流子濃度衰減至初始時(shí)濃度的1/e倍所需的時(shí)間。直接復(fù)合電子從導(dǎo)帶直接躍遷至價(jià)帶與空穴相遇而復(fù)合。間接復(fù)合電子通過禁帶中的能級(jí)而躍遷至價(jià)帶與空穴相遇而復(fù)合。表面復(fù)合發(fā)生在半導(dǎo)體表面處的復(fù)合。體內(nèi)復(fù)合發(fā)生在半導(dǎo)體內(nèi)部的復(fù)合。輻射復(fù)合電子從高能級(jí)躍遷至低能級(jí)與空穴復(fù)合時(shí)，多余的能量以輻射光子的形式釋放。無輻射復(fù)合電子從高能級(jí)躍遷至低能級(jí)與空穴復(fù)合時(shí)，多余的能量以輻射聲子的形式釋放。俄歇復(fù)合電子從高能級(jí)躍遷至低能級(jí)與空穴復(fù)合時(shí)，釋放的能量用于其它載流子由較低能態(tài)躍遷至較高能態(tài)。復(fù)合中心對(duì)間接復(fù)合起促進(jìn)作用的深能級(jí)雜質(zhì)。相應(yīng)的雜質(zhì)能級(jí)稱為復(fù)合中心能級(jí)，通常位于半導(dǎo)體禁帶中央能級(jí)附近。 載流子陷阱對(duì)間接復(fù)合起阻礙作用的深能級(jí)雜質(zhì)。相應(yīng)的雜質(zhì)能級(jí)稱為陷阱能級(jí)。
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