集成電路專業(yè)測(cè)試技術(shù)培訓(xùn)課程介紹-資料下載頁(yè)
2025-03-26 05:14本頁(yè)面
【正文】 atchUp課后練習(xí)課后練習(xí)(2小時(shí))Trainer 講師：Stella Wang 王鎮(zhèn)Maggie zhao 趙詠梅Mixed Signal Testing Knowledge（Level one）混合信號(hào)測(cè)試技術(shù)基礎(chǔ)（初級(jí)篇）內(nèi)容提要TopicDescription第一天課前練習(xí)課前小測(cè)驗(yàn)(1小時(shí))混合信號(hào)測(cè)試概述1. 混合信號(hào)測(cè)試概念3. 典型的混合信號(hào)測(cè)試機(jī)臺(tái)介紹4. 典型混合信號(hào)測(cè)試參數(shù)介紹混合信號(hào)測(cè)試?yán)碚?. 采樣和重建理論2. 采樣定律和混疊現(xiàn)象第二天3. 采樣噪聲4. 相關(guān)采樣定律模數(shù)轉(zhuǎn)換器的測(cè)試2. 模數(shù)轉(zhuǎn)換器的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案第三天數(shù)模轉(zhuǎn)換器的測(cè)試課后練習(xí)課后小測(cè)驗(yàn)(2小時(shí))Trainer 講師：Steven Li 李帆Simon Chen 陳宰曼Digital Signal Testing knowledge（Level two）數(shù)字信號(hào)測(cè)試技術(shù)基礎(chǔ)（高級(jí)篇）內(nèi)容提要TopicDescription第一天半導(dǎo)體測(cè)試概念概述1. 半導(dǎo)體測(cè)試分類及生產(chǎn)流程2. ATE自動(dòng)測(cè)試機(jī)臺(tái)介紹3. 測(cè)試中的常用術(shù)語(yǔ)4. 測(cè)試?yán)碚撆c測(cè)試流程5. 術(shù)語(yǔ)表及段落總結(jié)半導(dǎo)體測(cè)試1. 測(cè)試方法的正確思路2. DUT測(cè)試芯片3. 測(cè)試程序4. 測(cè)試機(jī)臺(tái)5. 測(cè)試工程師工作原則6. 測(cè)試芯片的常用術(shù)語(yǔ)7. 其他測(cè)試條件測(cè)試規(guī)范1. 設(shè)計(jì)規(guī)范2. 測(cè)試規(guī)范3. 芯片規(guī)范4. 測(cè)試條件及測(cè)試門限5. 直流測(cè)試中的參數(shù)6. 交流測(cè)試中的參數(shù)7. 邏輯功能和存貯器功能DC參數(shù)測(cè)試1. 為什么要進(jìn)行連接性測(cè)試2. IDD(Gross)測(cè)試3. IDD(靜態(tài))測(cè)試4. IDD(動(dòng)態(tài))測(cè)試5. Vol/Voh和Vil/Vih測(cè)試6. 輸入電流Iil/Iil測(cè)試7. 輸入端上拉和下拉電阻第二天功能性參數(shù)測(cè)試1. 功能性測(cè)試概念2. 測(cè)試周期3. 輸入輸出數(shù)據(jù)和向量4. 運(yùn)行功能性測(cè)試5. 功能性(Gross)測(cè)試6. Vol/Voh和Vil/Vih的功能性測(cè)試方法7. 高阻態(tài)輸出電流Ioz的功能性測(cè)試交流參數(shù)測(cè)試1. 交流參數(shù)測(cè)試概念2. GoNogo判斷測(cè)試流程3. 信號(hào)建立時(shí)間4. 信號(hào)保持時(shí)間5. 傳播延時(shí)的測(cè)量6. 最小時(shí)鐘寬度8. 最大頻率測(cè)試程序開(kāi)發(fā)1. 測(cè)試程序的目的2. 測(cè)試程序開(kāi)發(fā)流程3. 初始化程序4. 校驗(yàn)測(cè)試環(huán)境5. 上電和下電順序6. 芯片分級(jí)處理7. 總結(jié)Trainer 講師：Lee (LiGuo) zhang 張理國(guó)Stella Wang 王鎮(zhèn)Mixed Signal Testing Knowledge（Level two）混合信號(hào)測(cè)試技術(shù)基礎(chǔ)（高級(jí)篇）內(nèi)容提要TopicDescription第一天直流和參數(shù)測(cè)試1. 連接性測(cè)試2. 漏電流3. 電源電流4. 直流參考電壓及校準(zhǔn)5. 電阻測(cè)量6. 直流偏置測(cè)量7. 直流放大系數(shù)測(cè)量模擬信號(hào)理論1. 采樣和重建2. 量化誤差3. 相關(guān)采樣第二天模擬信號(hào)通路測(cè)試1. 模擬信號(hào)類型概述2. 放大系數(shù)和電平測(cè)試3. 信號(hào)失真測(cè)試4. 信噪比和信號(hào)失真采樣通路測(cè)試1. 采樣信道2. 采樣中需要考慮的問(wèn)題3. 編碼和解碼4. 采樣信道測(cè)試第三天數(shù)模轉(zhuǎn)換器測(cè)試1. 轉(zhuǎn)換器測(cè)試基礎(chǔ)2. 直流測(cè)試3. 轉(zhuǎn)換器曲線測(cè)試4. 轉(zhuǎn)換器動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試5. 模數(shù)轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)模數(shù)轉(zhuǎn)換器測(cè)試1. 數(shù)模轉(zhuǎn)換器和模數(shù)轉(zhuǎn)換器測(cè)試的區(qū)別2. 數(shù)模轉(zhuǎn)換器編碼邊界測(cè)試3. 直流和轉(zhuǎn)換曲線測(cè)試4. 模數(shù)轉(zhuǎn)換器動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試5. 轉(zhuǎn)換器曲線測(cè)試6. 典型模數(shù)轉(zhuǎn)換器的測(cè)試Trainer 講師：Lee (LiGuo) zhang 張理國(guó)Simon Chen 陳宰曼Memory Testing Knowledge存貯器測(cè)試技術(shù)基礎(chǔ)內(nèi)容提要TopicDescription第一天非永久性存貯器概述1. 非永久性存貯器2. 非永久性存貯器的評(píng)估3. 浮門芯片4. 電荷注入機(jī)制電可擦只讀存貯器和閃存1. 可擦除可編程的只讀存貯器2. 電可擦除可編程的只讀存貯器(EEPROM)3. EEPROM的結(jié)構(gòu)4. 閃存的工作機(jī)制5. 存貯器的或非門工作結(jié)構(gòu)6. 存貯器的或非門工作機(jī)制相關(guān)事項(xiàng)7. 嵌入式閃存第二天閃存測(cè)試1. 存貯器測(cè)試概述2. 閃存測(cè)試方面3. 閃存測(cè)試的測(cè)試工具4. 直接訪問(wèn)內(nèi)存5. Vt測(cè)試6. Stress模式7. 損耗和低Vt測(cè)試易測(cè)性和存貯單元修復(fù)1. 大生產(chǎn)測(cè)試2. 測(cè)試的能力3. 產(chǎn)品特性表述第三天存貯器的可靠性介紹1. 可靠性概要2. 存貯器序列Vt分配3. 存貯器序列氧化缺陷4. 主要的與良率和可靠性相關(guān)的事項(xiàng)存貯器可靠性測(cè)試方法1. 可靠性測(cè)試概要2. 存貯單元的耐受力3. 多級(jí)存貯可靠性4. 可靠性測(cè)試的結(jié)論 附加的EEPROM的測(cè)試方法1. EEPROM的測(cè)試方法Trainer 講師：Lee (LiGuo) zhang 張理國(guó)Edmond Tan 談圣杰RF/uWave Testing Knowledge射頻測(cè)試技術(shù)基礎(chǔ)內(nèi)容提要Description第一天1. 什么是微波?2. 常用術(shù)語(yǔ)和簡(jiǎn)寫3. 微波技術(shù)運(yùn)用介紹4. 傳輸線理論 傳輸線舉例 標(biāo)準(zhǔn)波理論5. 從時(shí)域到頻域6. 采樣的概念第二天7. 微波的構(gòu)成8. 散射參數(shù)9. 在ATE上測(cè)試的微波芯片10. 典型的微波芯片測(cè)試項(xiàng)Teradyne泰瑞達(dá)公司微波測(cè)試儀器介紹Trainer 講師：Simon Chen 陳宰曼27 / 27
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