【總結(jié)】本文檔由十月團(tuán)隊(duì)收集制作緒論一.符號(hào)約定·大寫字母、大寫下標(biāo)表示直流量。如:VCE、IC等。·小寫字母、大寫下標(biāo)表示總量(含交、直流)。如:vCE、iB等。·小寫字母、小寫下標(biāo)表示純交流量。如:vce、ib等?!ど戏接袌A點(diǎn)的大寫字母、小寫下標(biāo)表示相量。如:等。二.信號(hào)(1)模型的轉(zhuǎn)換
2025-04-17 04:37
【總結(jié)】專業(yè)班號(hào)姓名學(xué)號(hào)題號(hào)一二三四五六七總分得分一、選擇填空(每空2分共24分)1.非線性失真與線性失真(頻率失真)的最主要差別是________。(A)非線性失真使信號(hào)波形中任一點(diǎn)的幅值沒有得到
2025-03-25 04:55
【總結(jié)】數(shù)字電子技術(shù)模擬試題(1)一、填空題(每空1分,共20分)1、邏輯函數(shù)的化簡(jiǎn)方法有_________和____________。2、()10=()2=()8421BCD。3、表示邏輯函數(shù)功能的常用方法有_________、_________卡諾圖等。4、組合電路由________________構(gòu)成,它的輸出只
2025-07-25 22:21
【總結(jié)】電子技術(shù)模擬試題卷庫(kù)電子技術(shù)試卷一一、單項(xiàng)選擇題:在下列各題中,將唯一正確的答案代碼填入括號(hào)內(nèi)(本大題共13小題,總計(jì)34分)1、(本小題2分)由開關(guān)組成的邏輯電路如圖所示,設(shè)開關(guān)接通為“1”,斷開為“0”,電燈亮為“1”,電燈暗為“0”,則該電路為()。(a)“與”門 (b)“或”門 (c)“非”門2、(本小題2
2025-03-25 06:14
【總結(jié)】第一篇:南京工業(yè)大學(xué)模電總結(jié)復(fù)習(xí)資料_模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第一章半導(dǎo)體二極管 (如硅Si、鍺Ge)。、熱敏和摻雜特性。 。 、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。 。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻...
2025-11-04 06:39
【總結(jié)】1《模擬電子技術(shù)》模擬試題一一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結(jié)正偏時(shí)(),反偏時(shí)(),所以PN結(jié)具有()導(dǎo)電性。2、漂移電流是()電流,它由()載流子形成,其大小與()有關(guān),而與外加電壓()。3、所謂理想二極管,就是當(dāng)其正偏時(shí),結(jié)電阻為(),
2025-10-15 11:04
【總結(jié)】電力電子技術(shù)模擬試卷四(考試時(shí)間 150分鐘)一、填空題(每小題1分,共14分)1.1.???三相半波可控整流電路中的三個(gè)晶閘管的觸發(fā)脈沖相位按相序依次互差__________。2.2.???功率集成電路PIC分為二大類,一類是高壓集成電路,另一類是________________。3.3.?
2025-03-25 06:07
【總結(jié)】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)復(fù)習(xí)試題填空題1.在常溫下,硅二極管的門檻電壓約為,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為;鍺二極管的門檻電壓約為,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為。2、二極管的正向電阻??;反向電阻大。3、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦浴#校谓Y(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散
2025-10-20 08:43
【總結(jié)】填空題1.在常溫下,硅二極管的門檻電壓約為,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為;鍺二極管的門檻電壓約為,。2、二極管的正向電阻??;反向電阻大。3、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦?。PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。4、二極管最主要的電特性是單向?qū)щ娦裕€(wěn)壓二極管在使用時(shí),穩(wěn)壓二極管與負(fù)載并聯(lián),
2025-03-26 01:56
【總結(jié)】《模擬電子技術(shù)》模擬試題一一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結(jié)正偏時(shí)(),反偏時(shí)(),所以PN結(jié)具有()導(dǎo)電性。2、漂移電流是()電流,它由()載流子形成,其大小與()有關(guān),而與外加電壓()。3、所謂理想二極管,就是當(dāng)其正偏時(shí),結(jié)電阻為(),等效成一
2025-01-07 21:40
【總結(jié)】第1章常用半導(dǎo)體器件。(l)在本征半導(dǎo)體中加入(A)元素可形成N型半導(dǎo)體,加入(C)元素可形成P型半導(dǎo)體。B.四價(jià)C.三價(jià)(2)當(dāng)溫度升高時(shí),二極管的反向飽和電流將(A)。(3)工作在放大區(qū)的某三極管,如果當(dāng)IB從12uA增大到2
2025-06-23 22:43
【總結(jié)】中國(guó)地質(zhì)大學(xué)(北京)繼續(xù)教育學(xué)院2014年03課程考試《模擬電子技術(shù)》模擬題(補(bǔ))一.填空題1.完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體稱為本征半導(dǎo)體。2.在本征半導(dǎo)體中摻入少量的五價(jià)元素,可以形成N型半導(dǎo)體,常用摻雜的五價(jià)元素有磷、砷和鎢。3.半導(dǎo)體二極管的導(dǎo)電特性是單向?qū)щ娦?,即所謂的
【總結(jié)】TianhuangTeachingApparatuses天煌教儀模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)FundamentalofAnalogElectronicsTechnology天煌教儀杭州天科技術(shù)實(shí)業(yè)有限公司杭州天煌電器設(shè)備廠第一部分模擬電路部分
2025-10-29 16:25
【總結(jié)】泰山學(xué)院物理與電子科學(xué)系2005級(jí)電子信息科學(xué)與技術(shù)本科專業(yè)《數(shù)字電子技術(shù)》模擬試題10(試卷共8頁(yè),答題時(shí)間120分鐘)題號(hào)一二三四五六總分統(tǒng)分人復(fù)核人得分得分閱卷人一、填空題(本大題共15分,每空1分)1、邏輯表達(dá)式中,異或的符號(hào)是
2025-03-25 02:54
【總結(jié)】模擬電子技術(shù)模擬電子技術(shù)講解提綱?半導(dǎo)體技術(shù)?晶體管放大電路?集成運(yùn)放?反饋?穩(wěn)壓電源模擬電子技術(shù)第第1章章半導(dǎo)體器件 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí) 半導(dǎo)體二極管 二極管電路的分析方法 特殊二極管 小 結(jié) 雙極型半導(dǎo)體三極管模擬電子技
2025-01-05 04:13