有關開關電源的功率器件電壓電流應力測試的指導-資料下載頁
2025-03-25 03:56本頁面
【正文】 不超480V；若是圖二，直接讀數(shù)570V明顯超過480V，這是就需要把光標打出來，手動測量，器件的平臺值是440V2.瞬態(tài)測試1）瞬態(tài)時器件降額度不超過100%.（注：華為要求，針對mosfet器件，瞬態(tài)尖刺≤20nS的按不超過額定最大值的110%判定）實驗過程中經常會出現(xiàn)尖刺超出100%，但是超的又不太多的情況，這時首先要查找自己測試方法的問題，可以按照以下幾個方面來排查：1.單通道測試：對于MOS管，我們一般是Vds和Vgs同時測量，這時可以先將一個探頭去掉，只看一個通道，排除是否是兩個探頭互相干擾。2.引線的長短：這個最好在測試之前，就盡可能的縮短引線。3.示波器幅值設置不當：這就是要把測試波形盡量展開的原因，因為示波器幅值越小，測試值越精確。4.探頭的擺放位置：這個主要是在使用差分探頭時會明顯一些，探頭最好不要橫跨在模塊上。 VDSvgsV sence{ Vsence為一般PWM IC的Current Sense,}輸出肖特基兩端波形：吸收回路RCD的C兩端波形：輸出紋波：
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