【正文】 0H～ 0FFH， 共 256個(gè) 。 09:44 其它類型存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介 1. EEPROM 用電氣方法在線擦除和編程的只讀存儲(chǔ)器。 存儲(chǔ)單元采用浮柵隧道氧化層 MOS管 。 寫入的數(shù)據(jù)在常溫下至少可以保存十年，擦除 /寫入次數(shù)為 １ 萬(wàn)次～ 10萬(wàn)次。 2. 快閃存儲(chǔ)器 Flash Memory 采用與 EPROM中的疊柵 MOS管相似的結(jié)構(gòu)，同時(shí)保留了 EEPROM用隧道效應(yīng)擦除的快捷特性。理論上屬于 ROM型存儲(chǔ)器；功能上相當(dāng)于 RAM。 單片容量已達(dá) 64MB， 并正在開發(fā) 256MB的快閃存儲(chǔ)器 。 可重寫編程的次數(shù)已達(dá) 100萬(wàn)次 。 09:44 由美國(guó) Dallas半導(dǎo)體公司推出，為封裝一體化的電池后備供電的靜態(tài)讀寫存儲(chǔ)器。 它以高容量長(zhǎng)壽命鋰電池為后備電源 ， 在低功耗的 SRAM芯片上加上可靠的數(shù)據(jù)保護(hù)電路所構(gòu)成 。 其性能和使用方法與 SRAM一樣 ， 在斷電情況下 ， 所存儲(chǔ)的信息可保存 10年 。 其缺點(diǎn)主要是體積稍大 ， 價(jià)格較高 。 此外，還有一種 nvSRAM，不需電池作后備電源，它的非易失性是由其內(nèi)部機(jī)理決定的。 已越來(lái)越多地取代 EPROM， 并廣泛應(yīng)用于通信設(shè)備 、 辦公設(shè)備 、 醫(yī)療設(shè)備 、 工業(yè)控制等領(lǐng)域 。 3. 非易失性靜態(tài)讀寫存儲(chǔ)器 NVSRAM 09:44 表 84 常見存儲(chǔ)器規(guī)格型號(hào) 類型 容量 SRAM EPROM EEPROM FLASH NVSRAM 雙口 RAM 2 K 8 6116 2716 2816 DS1213B 7132/7136 4 K 8 2732 DS1213B 8 K 8 6264 2764 2864 DS1213B 16 K 8 27128 32 K 8 62256 27256 28256 28F256 DS1213D 64 K 8 27512 28512 28F512 128 K 8 628128 27010 28010 28F010 DS1213D 256 K 8 628256 27020 28020 28F020 512 K 8 628512 27040 28040 28F040 DS1650 1 M 8 6281000 27080 28080 28F080 09:44 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分類： 按功能 只讀存儲(chǔ)器（ ROM） 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（ RAM） 按元件 雙極型存儲(chǔ)器 :速度快，功耗大。 MOS型存儲(chǔ)器：速度較慢，功耗小， 集成度高。 09:44 只讀存儲(chǔ)器 ROM的結(jié)構(gòu)框圖 只讀存儲(chǔ)器（ ROM） ，它存儲(chǔ) 的信息是固定不變的。工作時(shí)，只能讀出信息，不能隨時(shí)寫入信息。 圖 ROM的結(jié)構(gòu)框圖 存儲(chǔ)輸出 讀出電路 存儲(chǔ)矩陣 地 址 譯 碼 器 N M 位線 （數(shù)據(jù)線） 字線（選擇線） 地址輸入 AN1 A1 A0 ... ... W0 W1 WnN1 DM1 D0 D1 ... ... 表示存 儲(chǔ)容量 09:44 ROM主要結(jié)構(gòu) 存儲(chǔ)矩陣 地址譯碼器 ： 由存儲(chǔ)單元構(gòu)成，一個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)一位二進(jìn)制數(shù)碼“ 1‖或“ 0‖。存儲(chǔ)器是以字為單位進(jìn)行存儲(chǔ)的。圖 N M個(gè)存儲(chǔ)單元。 ： 為了存取的方便，給每組存儲(chǔ)單元以確定的標(biāo)號(hào)，這個(gè)標(biāo)號(hào)稱為地址。圖 ，W0~WN1稱為字單元的地址選擇線，簡(jiǎn)稱字線； 地址譯碼器根據(jù)輸入的代碼從 W0~WN1條字線中選擇一條字線，確定與地址代碼相對(duì)應(yīng)的一組存儲(chǔ)單元位置。被選中的一組存儲(chǔ)單元中的各位數(shù)碼經(jīng)位線 D0~DM1傳送到數(shù)據(jù)輸出端。 09:44 ROM的工作原理 圖 ROM電路 1 1 A0 A1 字線 位線 讀出電路 地址譯碼器 存儲(chǔ)矩陣 存儲(chǔ)輸出 地址輸入 W0 W1 W2 W3 D0 D1 D2 D3 A1 A0 +U A0 A1 存“ 1‖ 存“ 0‖ 09:44 (1) 存儲(chǔ)矩陣 ROM的工作原理 1. 二極管構(gòu)成的 ROM的工作原理 圖中的存儲(chǔ)矩陣有 四條字線和四條位線 。共有十六個(gè)交叉點(diǎn)，每個(gè)交叉點(diǎn)都可看作一個(gè)存儲(chǔ)單元。 交叉點(diǎn)處接有二極管時(shí)，相當(dāng)于存 “ 1‖； 交叉點(diǎn)處沒有接二極管時(shí)，相當(dāng)于存 “ 0‖； 如：字線 W0與位線有四個(gè)交叉點(diǎn)，其中與位線 D0和 D2交叉處接有二極管。當(dāng)選中 W0（為高電平）字線時(shí)，兩個(gè)二極管導(dǎo)通，使位線 D0和 D2為 “ 1‖，這相當(dāng)于接有二極管的交叉點(diǎn)存 “ 1‖。 09:44 ROM的工作原理 交叉點(diǎn)處沒有接二極管處，相當(dāng)于存 “ 0‖；位線 D1和 D3為 “ 0‖，這相當(dāng)于沒接有二極管的交叉點(diǎn)存 “ 0‖。 ROM的特點(diǎn)：存儲(chǔ)單元存 “ 0‖還是存 “ 1‖是在設(shè)計(jì)和制造時(shí)已確定，不能改變；而且存入信息后，即使斷開電源，所存信息也不會(huì)消失，所以 ROM也稱固定存儲(chǔ)器。 (2) 地址譯碼器 圖中是一個(gè)二極管譯碼器，兩位地址代碼 A1A0可指定 四 個(gè)不同的地址。 09:44 ROM的工作原理 四個(gè)地址的邏輯式分別為： 010 AAW ? 011 AAW ?012 AAW ? 013 AAW ?地址譯碼器特點(diǎn)： （ 1） N取一譯碼：即 N條字線中，每次只能選中一條字線。圖示電路為四選一譯碼。 （ 2）最小項(xiàng)譯碼： n個(gè)地址輸入變量 A0~An最小項(xiàng)的數(shù)目為 N=2n。圖示電路最小項(xiàng)為四個(gè)。 地址譯碼器是一個(gè) “與” 邏輯陣列 09:44 ROM的工作原理 表 N取一譯碼及 ROM存儲(chǔ)內(nèi)容 地址碼 01 AAA0 A1 0 0 0 1 1 0 1 1 最小項(xiàng)及編號(hào) N取一譯碼 存儲(chǔ)內(nèi)容 W0 W1 W2 W3 D0 D1 D2 D3 m0 m1 m2 m3 01 AA01 AA01 AA 0 0 0 1 0 1 0 1 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 1 1 0 從圖 ： 地址譯碼器是一個(gè) “與” 邏輯陣列 010 AAW ? 011 AAW ? 012 AAW ? 013 AAW ?09:44 1 1 A0 A1 字線 位線 讀出電路 地址譯碼器 存儲(chǔ)矩陣 地址輸入 W0 W1 W2 W3 D0 D1 D2 D3 A1 A0 +U A0 A1 ROM的工作原理 ―0‖ ―0‖ 0 0 0 1 導(dǎo)通 0 1 0 1 導(dǎo)通 09:44 ROM的工作原理 存儲(chǔ)矩陣是一個(gè) “或” 邏輯陣列 100 WWD ?? 311 WWD ??320 WWWD ???2 313 WWD ??W3=A1A0 m3 m2 W2=A1A0 m1 W1=A1A0 m0 W0=A1A0 A0 A1 地 址 譯 碼 器 D3 D2 D1 D0 圖 簡(jiǎn)化的 ROM存儲(chǔ)矩陣陣列圖 有二極管 無(wú)二極管 09:44 2. 雙極型晶體管和 MOS場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成的存儲(chǔ)矩陣 圖 雙極型存儲(chǔ)矩陣 存“ 1‖ 存“ 0‖ D3 D2 D1 D0 W2 W1 W0 +UDD W3 09:44 2. 雙極型晶體管和 MOS場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成的存儲(chǔ)矩陣 ―1‖ ―0‖ ―0‖ ―0‖ 選中 1 1 0 1 D3 D2 D1 D0 W2 W1 W0 +UDD W3 導(dǎo)通 09:44 1 D3 1 D2 1 D1 1 D0 W0 W1 W2 W3 負(fù)載管 +UDD 圖 MOS型存儲(chǔ)矩陣 ―1‖ ―0‖ ―0‖ ―0‖ 選中 0 0 1 0 1 1 0 1 導(dǎo)通 09:44 1. ROM構(gòu)成的全加器 ROM的應(yīng)用 在數(shù)字系統(tǒng)中 ROM的應(yīng)用十分廣泛，如組合邏輯、波形變換、字符產(chǎn)生以及計(jì)算機(jī)的數(shù)據(jù)和程序存儲(chǔ)等。 輸入變量 A —— 加數(shù) B —— 加數(shù) C0 —— 低位進(jìn)位數(shù) 輸出變量 S —— 本位和 C0 —— 向高位進(jìn)位數(shù) 09:44 ROM的應(yīng)用 A B C0 十進(jìn)制 最小項(xiàng) 被選中 字線 最小項(xiàng)編號(hào) 位線 S C 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 1 2 3 4 5 6 7 A B C0 A B C0 A B A C0 A C0 B C0 B C0 A B B C0 A C0 B A W0=1 W1=1 W2=1 W3=1 W4=1 W5=1 W6=1 W7=1 m0 m1 m2 m3 m4 m5 m6 m7 0 0 1 0 1 0 0 1 1 0 0 1 0 1 1 1 表 09:44 根據(jù)表 ： 74210000 mmmm CBACBACBACBAS ???? ????76530000 mmmm CBACBACBACBAC ???? ????WO m0 W1 m1 W2 m2 W3 m3 W4 m4 W5 m5 W6 m6 W7 m7 S C A B C 最 小 項(xiàng) 譯 碼 器 0CBA0CBA0CBA0CBA0CBA0CBA0CBA0CBA圖 ROM構(gòu)成的全加器 09:44 ROM的應(yīng)用 字符發(fā)生器常用于顯示終端、打印機(jī)及其其它一些數(shù)字裝置。將各種字母、數(shù)字等字符事先存儲(chǔ)在 ROM的存儲(chǔ)矩陣中，再以適當(dāng)?shù)姆绞浇o出地址碼，某個(gè)字符就能讀出來(lái)，并驅(qū)動(dòng)顯示器顯示。 下面用 ROM構(gòu)成的字符發(fā)生器顯示字母 R來(lái)說(shuō)明其工作原理。 09:44 圖 字符顯示原理圖 (b) WO W1 W2 W3 W4 W5 W6 (a) 000 001 010 011 100 101 110 D4 D3 D2 D1 D0 行 譯 碼 器 A2 A1 A0 讀出電路 09:44 由圖可看出該字符顯示器由 7行 5 列構(gòu)成存儲(chǔ)矩陣，將字母 R的形狀分割成若干部分并在相應(yīng)的單元存入信息 “ 1‖。當(dāng)?shù)刂份斎胗? 000~110周期地循環(huán)變化時(shí) , 即可逐行掃描各字線 , 把字線 W0~ W7所存儲(chǔ)的字母“ R‖的字形信息從位線 D0~ D4讀出。使顯示設(shè)備一行行的顯示出圖 (b)的字形。 09:44 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（ RAM） ，它能隨時(shí)從任何一個(gè)指定地址的存儲(chǔ)單元中取出（讀出）信息， 也可隨時(shí)將信息存入（寫入）任何一個(gè)指定的地址單元中。因此也稱為讀 /寫存儲(chǔ)器。 優(yōu)點(diǎn)： 讀 /寫方便 缺點(diǎn)： 信息容易丟失，一旦斷電，所存儲(chǔ)器的信息會(huì)隨之消失，不利于數(shù)據(jù)的長(zhǎng)期保存。 09:44 地址輸入 An1 A0 A1 地 址 譯 碼 器 存儲(chǔ)矩陣 數(shù)據(jù)線 讀寫 /控制電路 讀 /寫控制 (R/W) 片選 (CS) 輸入 /輸出 I/O . . . . . . RAM的結(jié)構(gòu)和工作原理