【正文】 同作用； 其中，烯烴的形成是關(guān)鍵步驟。 催化劑： Pt及其合金 Al2O3適宜的酸性 活化初期， H2S毒化極活性位，減少氫解活性和強的酸性位，防積碳。 ? 線缺陷和螺旋位錯 返回 ? 表面覆蓋度：固體表面被吸附物覆蓋的面積（體積，質(zhì)量）占飽和吸附時覆蓋面積（體積，質(zhì)量）的比例。 ??=S/Sm ? 若以吸附物體積計： ??=V/Vm ? 若以吸附物質(zhì)量計： ??=W/Wm ? 若以吸附物蒸氣壓計： ??=P/Pm 覆蓋度 返回 氣體類型對催化性能的影響 2Zn2+ 2Zn2+ 2 2e 2H? 導電性提高； 大量 Zn2+上吸附大量 H2 用于加氫反應 2Ni2+ 2 Ni2+? 2e 2H? 導電性降低； 少量 Ni2+ ?上吸附少量 H2 不利于加氫反應 N半導體加氫： P半導體加氫 ： 返回 P型半導體的氧化特性 2Ni2+ 2 Ni2+? e O 導電性提高 ； 大量 Ni2+ 上吸附大量 O2 氧化反應活性高 P 2Zn2+ 2Zn2+ 2 2e O2 導電性降低； 少量 Zn2+ 2上吸附少量 O2 氧化反應活性低 n n型半導體的氧化特性 返回 甲苯深度氧化活性與 MO鍵能： 250 300 350 400 450 500 550 1000 100 0 Co Cu V Fe Mn U Cr Ti Ni Th W Mo Zn Nb Zr Sn Ta Bi Sb 甲苯氧化活性 MO鍵強 左側(cè) O2吸附控制，MO鍵強增加，利于反應； 右側(cè) O2脫附控制，MO鍵強增加，不利于反應； 返回 氧化硅表面 返回 分子篩 以此類推有五元氧環(huán)、六元氧環(huán)，八元氧環(huán)，十元氧環(huán)和十二元氧環(huán)等。 A型分子篩 方鈉石型 X、 Y型分子篩 ? (八面沸石型 ) ? 四種結(jié)構(gòu)層次：各種分子篩結(jié)構(gòu)與第一、第二、第三種不同結(jié)構(gòu)層次的關(guān)聯(lián) ? ； (a) (b) (c) (d) (a)雙五元環(huán) (b)絲光沸石的結(jié)構(gòu)單元 (c)絲光沸石層扶結(jié)構(gòu) (d)主通道 ? 圖 26 ? (a)成對五元環(huán)； (b)成對五元環(huán)的聯(lián)結(jié)； (c)ZSM5的骨架結(jié)構(gòu)；(d)ZSM5的兩種交叉通道； ? (e)ZSM5， ZSM11， ZSM48層狀結(jié)構(gòu) 返回 半導體催化劑的選擇原則 ? 設反應為 A+B＝ C ? A為施主分子 ， B為受主分子 。 其電子轉(zhuǎn)移過程如下圖所示： ? 由于 A、 B的吸附速率常常是不一樣的，所以決定反應速度步驟也往往不一樣。 ? 若 A ? A＋ 十 e是慢過程 ， 反應為施主反應 ， 增加催化劑空穴 ， 能增加反應速率 。 ? 若 B十 e ? B是慢過程 ， 反應為受主反應 ， 增加催化劑自由電子則能增加反應速率 。 慢過程的確定 ? 究竟哪一步為決定反應速度步驟 ？ 取決于反應物A、 B的電離勢 (IA、 IB)和催化劑的電子逸出功的相對大小。 ? 對上述 A+B＝ C反應 ， 催化劑的逸出功 ?必須介于IA和 IB之間 ， 且 IA＜ ?＜ IB才是有效的催化劑 。 第一種類型 ? 逸出功 ?靠近 IA， ?EA＜ ?EB。 此時 B得電子比 A給出電子到催化劑容易，于是 A的吸附成為決定反應速度步驟 ， 屬于 P型反應。為了加快反應速率，必須提高催化劑的 ?以使 ?EA增加，必須降低費米能級 EF， 加入受主雜質(zhì)對反應有利。 第二種類型 ? ?靠近 IB， ?EB＜ ?EA。 此時 A給催化劑電子，比 B從催化劑得到電子要容易得多，于是 B的吸附成為決定反應速度步驟。 ? 加入施主雜質(zhì)提高 EF以降低 ?來使 ?EB增大而加速反應。 第三種類型 ? ?在 IA和 IB之間的中點即 ?EA=?EB。此時二步反應速率幾乎相近，催化反應速率也為最佳。 ? 由此推論：如果已知 IA和 IB的話，只要測出催化劑的逸出功 ?就可推斷反應的活性大小 返回