隧穿場(chǎng)效應(yīng)管的特性分析及仿真開(kāi)題報(bào)告-資料下載頁(yè)
2025-01-19 00:36本頁(yè)面
【正文】 體管在加 ＰＢＴＩ應(yīng)力前后電流Ｉ ｄ的退化量。仿真中， 界面態(tài)被均勻分布在Ｓｉ禁帶中等間距的５個(gè)能級(jí)上。另外， 由于Ａｔｌａｓ軟件在計(jì)算隧穿晶體管電場(chǎng)時(shí)可以考慮量子限制效應(yīng)， 但在計(jì)算器件的Ｉ ｄ－ Ｖｇ特性時(shí)無(wú)法包含量子限制效應(yīng)， 因此， 在研究量子限制效應(yīng)對(duì)隧穿晶體管 ＰＢＴＩ特 性 的 影 響 時(shí)， 在 對(duì) 電 場(chǎng) Ｅｘ和 界 面 態(tài) Ｎｉｔ的仿真中已經(jīng)考慮了量子限制效應(yīng)。工作進(jìn)度與安排設(shè)計(jì)（論文）各階段任務(wù)起 止 日 期1查資料，看書(shū)完成開(kāi)題報(bào)告及準(zhǔn)備工作2熟悉軟件與程序3編程、調(diào)試，初步測(cè)試隧穿場(chǎng)效應(yīng)管的特性4修改，完成設(shè)計(jì)5完成畢業(yè)論文及答辯5．參考文獻(xiàn)[1] 隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管和InGaAs場(chǎng)效應(yīng)晶體管的可靠性研究焦廣泛[2] 量子效應(yīng)和小型化對(duì)隧穿晶體管特性的影響姚成軍，黃大鳴，施道航，焦廣泛[3] 美科學(xué)家研制出新型隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管4
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