電力電子技術(shù)基礎(chǔ)1—器-資料下載頁
2025-01-18 20:40本頁面
【正文】 管剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)并移除觸發(fā)信號 后 ， 能維持導(dǎo)通所需的最小陽極電流 （ 針對開通過程 ） ? 對同一晶閘管來說 ， 通常 IL約為 IH的 2~4倍 4) 浪涌電流 ITSM —— 指由于電路異常情況引起的并使結(jié)溫超過 額定結(jié)溫的不重復(fù)性最大正向過載電流 浪涌電流有 L、 H兩級。 L（低）級的數(shù)值為 IT（ AV)。 比如 100A定額的晶閘管， L級 ITSM為 ， H 級 ITSM為 。 ITSM在器件壽命期內(nèi)僅限幾次。 ?4—— SCR的主要參數(shù) 電力電子技術(shù)基礎(chǔ) 3. 動態(tài)參數(shù) 除開通時間 ton和關(guān)斷時間 toff外 ， 還有： (1) 斷態(tài)電壓臨界上升率 du/dt 指在額定結(jié)溫和門極開路的情況下 ， 不導(dǎo)致晶閘 管從斷態(tài)到通態(tài)轉(zhuǎn)換的外加電壓最大上升率 UAK上升率過高 ， 會造成 SCR誤導(dǎo)通 。 (2) 通態(tài)電流臨界上升率 di/dt —— 指在規(guī)定條件下 ， 晶閘管能承受而無有害影響的最大通態(tài)電流上升率 。 —— 如果電流上升太快 ， 則晶閘管剛一開通 ， 便會有很大的電流集中在門極附近的小區(qū)域內(nèi) ， 從而造成局部過熱而使晶閘管損壞 。 —— 其他晶閘管 電力電子技術(shù)基礎(chǔ) 1. 快速晶閘管 （ Fast Switching Thyristor—— FST) ?包括所有專為快速應(yīng)用而設(shè)計(jì)的晶閘管 ， 有快速晶閘管和高頻晶閘管 ?管芯結(jié)構(gòu)和制造工藝進(jìn)行了改進(jìn) ， 開關(guān)時間以及 du/dt和 di/dt耐量都有明顯改善 ?普通晶閘管關(guān)斷時間數(shù)百微秒 ， 快速晶閘管數(shù)十微秒 ， 高頻晶閘管 10?s左右 —— 其他晶閘管 電力電子技術(shù)基礎(chǔ) 2. 雙向晶閘管 （ Triode AC Switch—— TRIAC或 Bidirectional triode thyristor） a) 電氣圖形符號 b) 伏安特性 a) b)IO UIG= 0GT1T2—— 其他晶閘管 電力電子技術(shù)基礎(chǔ) ?可認(rèn)為是一對反并聯(lián)聯(lián)接的普通晶閘管的集成 ?有兩個主電極 T1和 T2， 一個門極 G ?正反兩方向均可觸發(fā)導(dǎo)通 ， 所以雙向晶閘管在第Ｉ和第 III象限有對稱的伏安特性 ?與一對反并聯(lián)晶閘管相比是經(jīng)濟(jì)的 ， 且控制電路簡單 ， 在交流調(diào)壓電路 、 固態(tài)繼電器 （ Solid State Relay—— SSR） 和交流電機(jī)調(diào)速等領(lǐng)域應(yīng)用較多 —— 其他晶閘管 3. 逆導(dǎo)晶閘管 （ Reverse Conducting Thyristor—— RCT） ? 將晶閘管反并聯(lián)一個二極管制作在同一管芯上的功率集成器件 ， 這種器件不具有反向阻斷的能力 ， 一旦承受反向電壓即開通 。 ? 具有正向壓降小 、 關(guān)斷時間短 、 高溫特性好 、 額定結(jié)溫高等優(yōu)點(diǎn) ? 逆導(dǎo)晶閘管的額定電流有兩個 ， 一個是晶閘管電流 ， 一個是反并聯(lián)二極管的電流 。 比如 200A/100A a) 電氣圖形符號 b) 伏安特性 b)a)UOIKGAIG= 0—— 其他晶閘管 電力電子技術(shù)基礎(chǔ) 4. 光控晶閘管 （ Light Triggered Thyristor—— LTT） a) 電氣圖形符號 b) 伏安特性 光強(qiáng)度強(qiáng) 弱b)AGKa)O UAKIA電力電子技術(shù)基礎(chǔ) ? 又稱光觸發(fā)晶閘管 ， 是利用一定波長的光照信號觸發(fā)導(dǎo)通的晶閘管 ? 光觸發(fā)保證了主電路與控制電路之間的絕緣 ， 且可避免電磁干擾的影響 ， 因此目前在高壓大功率的場合 ， 如高壓直流輸電和高壓核聚變裝置中 ，占據(jù)重要的地位 END!
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