電力電子技術基礎1—器(參考版)
2025-01-21 20:40本頁面
【正文】 比如 200A/100A a) 電氣圖形符號 b) 伏安特性 b)a)UOIKGAIG= 0—— 其他晶閘管 電力電子技術基礎 4. 光控晶閘管 （ Light Triggered Thyristor—— LTT） a) 電氣圖形符號 b) 伏安特性 光強度強 弱b)AGKa)O UAKIA電力電子技術基礎 ? 又稱光觸發(fā)晶閘管 ， 是利用一定波長的光照信號觸發(fā)導通的晶閘管 ? 光觸發(fā)保證了主電路與控制電路之間的絕緣 ， 且可避免電磁干擾的影響 ， 因此目前在高壓大功率的場合 ， 如高壓直流輸電和高壓核聚變裝置中 ，占據(jù)重要的地位 END! 。 —— 其他晶閘管 電力電子技術基礎 1. 快速晶閘管 （ Fast Switching Thyristor—— FST) ?包括所有專為快速應用而設計的晶閘管 ， 有快速晶閘管和高頻晶閘管 ?管芯結構和制造工藝進行了改進 ， 開關時間以及 du/dt和 di/dt耐量都有明顯改善 ?普通晶閘管關斷時間數(shù)百微秒 ， 快速晶閘管數(shù)十微秒 ， 高頻晶閘管 10?s左右 —— 其他晶閘管 電力電子技術基礎 2. 雙向晶閘管 （ Triode AC Switch—— TRIAC或 Bidirectional triode thyristor） a) 電氣圖形符號 b) 伏安特性 a) b)IO UIG= 0GT1T2—— 其他晶閘管 電力電子技術基礎 ?可認為是一對反并聯(lián)聯(lián)接的普通晶閘管的集成 ?有兩個主電極 T1和 T2， 一個門極 G ?正反兩方向均可觸發(fā)導通 ， 所以雙向晶閘管在第Ｉ和第 III象限有對稱的伏安特性 ?與一對反并聯(lián)晶閘管相比是經濟的 ， 且控制電路簡單 ， 在交流調壓電路 、 固態(tài)繼電器 （ Solid State Relay—— SSR） 和交流電機調速等領域應用較多 —— 其他晶閘管 3. 逆導晶閘管 （ Reverse Conducting Thyristor—— RCT） ? 將晶閘管反并聯(lián)一個二極管制作在同一管芯上的功率集成器件 ， 這種器件不具有反向阻斷的能力 ， 一旦承受反向電壓即開通 。 (2) 通態(tài)電流臨界上升率 di/dt —— 指在規(guī)定條件下 ， 晶閘管能承受而無有害影響的最大通態(tài)電流上升率 。 ITSM在器件壽命期內僅限幾次。 L（低）級的數(shù)值為 IT（ AV)。 —— SCR的主要參數(shù) 2) 維持電流 IH —— 指在關斷 SCR時維持其導通所必需的最小陽極電流 。 ?使用時應按 實際電流 與 通態(tài)平均電流 有效值相等的原則來選取晶閘管的電流額定值 ， 并留一定的裕量 ， 一般取 ~2倍 —— SCR的主要參數(shù) 電力電子技術基礎 ?iIm0 ??t?IT (A V ))()(21)(1 200tdtidttiTITd ?????? ??電流平均值的定義 )())((21 220tdtiI ??????電流有效值的定義 dfIIK ?波形系數(shù) 的定義 —— SCR的主要參數(shù) ?iIm0 ??t?IT (A V )峰值為 IM的正弦半波電流對應的平均值 ??????? ?? /)(s i n2 1)()(2 1)(1 0200)( MMTAVT ItdtItdtidttiTI ???? ???峰值為 IM的正弦半波電流對應的有效值 2/)()s i n(2 1)())((2 1 20220 MM ItdtItdtiI ???? ?? ?????? ??( ) ( ) 1( / 2 ) 1 .5 7 ( 1 .5 7)T A V T A V fI I I K?? ? ?有 效 值工 頻 半 波
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