擴(kuò)散原理及工藝培訓(xùn)-資料下載頁(yè)
2025-01-18 12:09本頁(yè)面
【正文】 600 0 22022 0 0 / 19 擴(kuò)散控制 擴(kuò)散可以通過(guò) 時(shí)間、溫度和濃度 進(jìn)行控制。 剛開(kāi)始進(jìn)管的溫度 進(jìn)管時(shí)硅片熱脹，溫度變化過(guò)快，容易造成裂紋，溫度越高越容易造成裂紋。 2 、進(jìn)管結(jié)束的溫度 進(jìn)管結(jié)束后我們要開(kāi)始通各種氣體，特別是 通源 POCL3的分解溫度 650度，所以在通源前要保證擴(kuò)散管里的實(shí)際溫度超過(guò) 700度，確保POCL3能夠充分的分解，并且確保在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)達(dá)到擴(kuò)散溫度，否則整個(gè)擴(kuò)散工藝的時(shí)間就會(huì)超過(guò)產(chǎn)能的要求。 3 、沉積的溫度 沉積的溫度一般都是從低到高變化，特別注意沉積結(jié)束時(shí)的溫度不能太低，否則升溫到擴(kuò)散的溫度就需要更多的時(shí)間 4 、擴(kuò)散的溫度 擴(kuò)散的溫度與表面的摻雜的磷的濃度有直接的關(guān)系，并且體內(nèi)的雜質(zhì)的沉積會(huì)隨著溫度的變化而變化，溫度設(shè)定不能太高。 5 、退管前的溫度 硅片在降溫過(guò)程中也容易造成碎片 拉恒溫 面板上面的設(shè)定溫度與實(shí)際溫度都是擴(kuò)散爐內(nèi)溫度測(cè)試，只是起到控制與保護(hù)的作用，真正可以看出實(shí)際溫度的是我們熱電偶測(cè)試的溫度值。為了減少通過(guò)后面熱電偶測(cè)試的麻煩，所以我們一般都通過(guò)拉恒溫將面板上的溫度與熱電偶測(cè)試的溫度對(duì)應(yīng)起來(lái)，又由于工作溫度是的溫度最重要，所以拉恒溫時(shí)的溫度一般都選定在擴(kuò)散的溫度。且拉恒溫時(shí)將面板設(shè)定的溫度設(shè)定成一致，減少不同溫區(qū)間的相互影響。拉恒溫結(jié)束后要將原來(lái)工藝號(hào)上的溫度進(jìn)行更改并且跟蹤方塊電阻的變化。一般情況下 1個(gè)月要對(duì)溫度進(jìn)行校準(zhǔn)。 20 氧化增強(qiáng)擴(kuò)散 ?與中性氣氛相比，雜質(zhì) 硼磷 在氧化氣氛中的擴(kuò)散存在明顯增強(qiáng)，這種現(xiàn)象稱為氧化增強(qiáng)擴(kuò)散。 氮化硅 氧化硅 磷結(jié)深度 Xj OED 21 硅氧化時(shí)，在 SiSiO2界面附近產(chǎn)生了大量的間隙硅原子，這些過(guò)剩的間隙硅原子在向硅內(nèi)擴(kuò)散的同時(shí)，不斷與空位復(fù)合，使這些過(guò)剩的間隙硅原子的濃度隨深度而降低。但在表面附近，過(guò)剩的間隙硅原子可以和替位磷相互作用，從而使原來(lái)處于替位的磷變成間隙磷。當(dāng)間隙磷的近鄰晶格沒(méi)有空位時(shí)，間隙磷就以間隙方式運(yùn)動(dòng)；如果間隙磷的近鄰晶格出現(xiàn)空位時(shí)，間隙磷又可以進(jìn)入空位變成替位磷。這樣，雜質(zhì)磷的就以 替位 間隙交替 的方式運(yùn)動(dòng)，其擴(kuò)散速度比單純由替位擴(kuò)散到替位要快。 The End， Thanks! Where there is a will, there is a way. 超日（洛 陽(yáng) ）
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