電子信息物理學(3)-資料下載頁
2025-01-16 19:30本頁面
【正文】 形成共價鍵 四面體結(jié)構(gòu) 金剛石點陣 硅晶體理論上可以不斷生長變大 無限大硅晶體 硅的共價鍵 三、金屬鍵 所有的金屬原子都傾向于失去電子 正離子 釋放電子 具有很大的活動范圍 游離于正離子之間 自由電子氣 將全部正離子“膠合”在一起 金屬鍵 ?金屬鍵與離子鍵的差異 正離子 自由電子 金屬鍵： 正離子 負離子 離子鍵： ?金屬鍵與共價鍵的差異 金屬鍵： 自由電子屬于整個晶體中的所有原子 （只在某瞬間圍繞某原子運動） 共價鍵： 共價電子僅僅屬于相應的固定原子對 四、范德瓦斯（ Van der Waals）鍵 ?弱鍵 （鍵能較?。罕冉饘冁I、離子鍵、共價鍵 小 1～ 2個數(shù)量級 鍵的形成 ?極性分子的取向力 ?極性分子與非極性分子的誘導力 ?非極性分子的瞬間（極化）色散力 ?范德瓦斯是氣體分子能夠凝聚為液體和固體的主要原因 ? 一個理想的單晶結(jié)構(gòu) ,在一個實際晶體中 ， 晶格并非完美的 ， 而是包含許多缺陷的 ， 完美的幾何周期性在一定程度上以多種形式受到破壞 。 ? 因為缺陷會改變材料的電學性質(zhì) ， 在有些情形中 ， 電學參量將由這些缺陷或雜質(zhì)所左右 。 ?晶體的缺陷： 結(jié)構(gòu)單元的點陣排列偏離嚴格周期的現(xiàn)象 空間延伸線度：點缺陷、線缺陷、面缺陷、體缺陷 一、點缺陷： 熱缺陷、雜質(zhì)缺陷、色心 ?熱缺陷 夫倫克耳 肖特基 缺陷：熱能（ T≠ 0K） 離子離開 晶體表面 晶體內(nèi)部產(chǎn)生離子空位和添隙離子 離子空位 空位缺陷 添隙缺陷 雜質(zhì)缺陷：替代式、添隙式 空位缺陷 添隙缺陷 色心 ： 點陣空位俘獲一個自由電子或一個自由空穴時，形成的一個吸收光的基團 二、線缺陷（位錯） 原子點陣面一層一層地周期性堆積 某一層原子面在晶體內(nèi)部中斷 線缺陷 三、面缺陷 ?平移界面缺陷： 界面兩側(cè)沿著 某一個點陣面平移
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