1離子鍵及典型離子化合物-資料下載頁
2025-10-09 08:21本頁面
【導讀】體積能量盡可能的低。一般都是典型的簡單結(jié)構(gòu)型式的變形。含電子的離子，比一般離子的極化力強。離子在外電場作用下，產(chǎn)生誘導極矩，。產(chǎn)生的誘導偶極矩）它的大小，是離子可極化的量度。越高，正離子價數(shù)越低，極化率和可極化性越大。導致離子鍵向共價鍵過渡，這種現(xiàn)象稱為鍵型變異現(xiàn)象。使得鍵能和點陣能增大，的理論值逐漸縮短。指化學式相似的物質(zhì)，具有相似的晶體外形。晶現(xiàn)象的各物質(zhì)叫做同晶體。負離子有一定的配位數(shù)。鍵的鍵長是相鄰正、負離子的半徑和?！敖佑|”半徑也有不同。型離子晶體為標準的數(shù)值。具體情況見下表：。的配位數(shù)取決于半徑比。之間各靜電強度的總和。即公用同一頂點的配位多面體的數(shù)。越小，這一效應越顯著。
【正文】 在每個正離子的周圍，形成了負離子的配位多面體，正、負離子的距離取決于半徑之和，正離子的配位數(shù)取決于半徑比。 第二規(guī)則 —— 靜電規(guī)則： 在穩(wěn)定的離子結(jié)構(gòu)中，每個負 離子的電價數(shù)，等于或近乎等于這個負離子與其鄰近正離子 之間各靜電強度的總和。即公用同一頂點的配位多面體的數(shù) 目。 第三規(guī)則： 在一個配位結(jié)構(gòu)中，公用棱邊，特別是公用 平面，會使結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性降低；正離子的價數(shù)越大，配位數(shù) 越小，這一效應越顯著。 第四規(guī)則： 在含有多種不同正離子的晶體中，價數(shù)大而配位數(shù)小的正離子，傾向于彼此間不共有配位多面體的任何要素。 （ 1）離子配位多面體和泡令規(guī)則 (2)硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)和分子篩 硅酸鹽的特征 主要成分是硅和氧 硅氧鍵的靜 電鍵強度為： 212144???????????????nnSZZZSiosi硅氧半徑比為 ????rr由泡令第一規(guī)則得出 硅的配位數(shù)為4 (2)硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)和分子篩 硅酸鹽的特征 根據(jù)第三規(guī)則，若兩個相鄰 四面體公用棱 或面，將使體系傾向于不公用任何幾何要素。 4SiO 與 間不存在直接的鍵；他們之間是通過 來連結(jié)的。這是與硅有機化合物的重要區(qū)別。 ?4Si ?4Si?2O根據(jù)第四規(guī)則，由于 的高電價和低配位數(shù)， 四面體傾向于不公用任何幾何要素。 ?4Si4SiO
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