晶體的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)ppt課件-資料下載頁
2025-01-14 20:37本頁面
【正文】 abc表示Na+離子； Na+填充在 Cl的正八面體空隙中。 NaCl的晶胞結(jié)構(gòu)和密堆積層排列 (2) CsCl型 : （ 1）立方晶系，簡(jiǎn)單立方晶胞。 （ 2） Z=1。 （ 3） Cs+， Cl，離子鍵。 （ 4）配位數(shù) 8： 8。 （ 5） 原子的坐標(biāo)是： Cl:0 0 0； Cs+:1/2 1/2 1/2 (CsCl, CsBr, CsI, NH4Cl) （ 3） ZnS ZnS是 S2最密堆積 ， Zn2+填充在一半四面體空隙中 。 分立方 ZnS和六方 ZnS。 立方 ZnS （ 1）立方晶系，面心立方晶胞； Z=4 （ 2） S2立方最密堆積 |AaBbCc| （ 3）配位數(shù) 4： 4。 （ 4） Zn原子位于面心點(diǎn)陣的陣 點(diǎn)位置上； S原子也位于另一個(gè)這 樣的點(diǎn)陣的陣點(diǎn)位置上，后一個(gè)點(diǎn)陣對(duì)于前一個(gè)點(diǎn)陣的位移是體對(duì)角線底 1/4。 配位數(shù)與 r+/r – 的關(guān)系 ? —— 4配位 ZnS式晶體結(jié)構(gòu) ? —— 6配位 NaCl式晶體結(jié)構(gòu) ? —— 8配位 CsCl式晶體結(jié)構(gòu) ? 且 r+ 再增大，則達(dá)到 12 配位； r 再減小，則達(dá)到 3配位。 五、典型晶體：金屬晶體的密堆積結(jié)構(gòu) ? 金屬鍵是一種很強(qiáng)的化學(xué)鍵，其本質(zhì)是金屬中自由電子在整個(gè)金屬晶體中自由運(yùn)動(dòng)，從而形成了一種強(qiáng)烈的吸引作用。 ? 絕大多數(shù)金屬單質(zhì)都采用 A A2和 A3型堆積方式；而極少數(shù)如： Sn、 Ge、 Mn等采用 A4型或其它特殊結(jié)構(gòu)型式。 金屬晶體 ABABAB…, 配位數(shù)： 12. 例： Mg and Zn、 Ti ABCABC…, 配為數(shù) ： 12， 例 : Al, Cu, Ag, Au 立方密堆積，面心 1 2 3 4 5 6 第一層 :密置型排列 1 2 3 4 5 6 關(guān)鍵是第三層，對(duì)第一、二層來說，第三層可以有兩種最緊密的堆積方式。 第二層 :將球?qū)?zhǔn) 1， 3， 5 位。 ( 或?qū)?zhǔn) 2， 4， 6 位，其情形是一樣的 ，即一、二層 不重疊 ) 活動(dòng)與探究： 以 密置排列進(jìn)行三維緊密堆積 下圖是此種六方堆積的前視圖 A B A B A 第一種是將球?qū)?zhǔn)第一層的球。 1 2 3 4 5 6 于是每?jī)蓪有纬梢粋€(gè)周期，即 ABAB… 堆積方式，叫做六方緊密堆積 。 六方堆積（ ABA型）形成過程 六方堆積的晶胞 第三層的 另一種 排列方式： 將球?qū)?zhǔn)第一層的 2， 4， 6 位 ， 不同于 AB 兩層的位置 ， 這是 C 層。 1 2 3 4 5 6 1 2 3 4 5 6 1 2 3 4 5 6 1 2 3 4 5 6 此種面心立方堆積的前視圖 A B C A A B C 第四層再排 A， 于是形成 ABC ABC 三層一個(gè)周期。 得到面心立方堆積 。 面心立方堆積（ ABC型） B C A 面心立方堆積（ ABC型） 金 (gold, Au) 體心立方 ., Fe, Na, K, U 簡(jiǎn)單立方（釙， Po） 【 例題及練習(xí) 】 例 1 例 2 例 3 例 4 例 5 例
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1