北京工業(yè)大學(xué)碩士材料科學(xué)基礎(chǔ)真題2007年-資料下載頁
2025-01-14 18:25本頁面
【正文】 程可以連續(xù)進(jìn)行而孿生過程不能連續(xù)進(jìn)行。 (5) 滑移過程是塑性變形的主要機(jī)制，當(dāng)滑移系處于不利于滑移變形發(fā)生時(shí)，通過孿生可以改變滑移系與外力的取向，使滑移過程進(jìn)一步發(fā)生。 八、晶粒大小與屈服強(qiáng)度之間的關(guān)系滿足HallPetch公式，即 σs=σ0+kd1/2 由等面積圓直徑表示晶粒尺寸，即 于是 代入 σs1=70MPa，σs2=95MPa 求出 K=m1/2，σ0= 故 σs= 九、如圖72所示。 十、 1．如圖73所示。 2．結(jié)構(gòu)中，負(fù)離子構(gòu)成ABAB六方堆積，密排晶面為(0001)。 3．Ga和N之間的鍵性由電負(fù)性差值決定 △x==＜，GaN為共價(jià)鍵 配位數(shù)由正負(fù)離子半徑比決定 R+/R=＜R+/R＜ CN(Ga3+)=4，CN(N3)=4，配位數(shù)合理。4．一個(gè)N3與4個(gè)Ga3+相聯(lián)：，符合靜電價(jià)規(guī)則。 5．Ga填充的是四面體空隙，填充了負(fù)離子空隙的一半。 十一、缺陷方程為 Ti39。Ti二氧化鈦失氧，生成Ti3+占據(jù)Ti4+晶格位，有效電荷1。 ：氧空位，有效電荷+2。 Oo：氧仍然占據(jù)氧的晶格位。 十二、柏氏矢量等于點(diǎn)陣矢量的位錯(cuò)稱為全位錯(cuò)。 面心立方晶體中肖克萊不全位錯(cuò)是由不均勻滑移產(chǎn)生的，它可以是刃型位錯(cuò)，或螺型位錯(cuò)，或混合位錯(cuò)，可以滑移。 弗蘭克不全位錯(cuò)是抽去或插入一層密排面造成的，其柏氏矢量垂直于滑移面，所以，弗蘭克不全位錯(cuò)不能滑移，只能攀移。 十三、 1．RbF30mol%、LiF2Omol%、NaF50mol%的物料從高溫冷卻時(shí)初始凝固溫度為750℃，液相全部凝固溫度425℃。 2．該成分點(diǎn)的析晶過程為 3．如圖74所示。
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