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雷射二極體制程能力改善專題-資料下載頁

2025-01-14 03:22本頁面

　　

【正文】策說明pull force1：加強(qiáng)人員訓(xùn)練，減少由於 CHIP殘膠，殘蠟及由於OPR 在製造過程中 tray particle造成的CHIP SURFACE　 CONTAMINATION?！?2:利用相關(guān)回歸分析找出P與Q的因果關(guān)係，將製程平均植往規(guī)格中心修正。push force利用相關(guān)回歸分析找出P與Q的因果關(guān)係，將製程平均植往規(guī)格中心修正。　　　　八、結(jié)論　：根據(jù)製程能力分析的結(jié)果（Cp=。Ca=）落在製程能力改善方向圖的安全區(qū)，我們將PD SIZEamp。PD POSITION標(biāo)準(zhǔn)化，並使用管制圖加以管制。 FORCE：根據(jù)製程能力分析的結(jié)果（Cp=。Ca=）落在製程能力改善方向圖的管理改善區(qū)，我們將利用相關(guān)回歸分析或DOE找出bonding time,temperature,power與PULL FORCE的定量關(guān)係，以期獲得最佳的生產(chǎn)條件（P j組合）。 FORCE：根據(jù)製程能力分析的結(jié)果，我們已利用相關(guān)回歸分析找出在操作時(shí)間為15秒的條件下，製程參數(shù)（合金化溫度）最佳操作範(fàn)圍為252～266C 　　

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