藍寶石晶體生長方法概論-課程小論-資料下載頁
2025-01-08 10:45本頁面
【正文】 晶體生長過程中無明顯的熱擾動，缺陷萌生的幾率較其他方法明顯降低。 3) 由于只是微量提拉，減少了溫場擾動。使溫場更均勻，從而保證單晶生長的成功率。 4) 在整個晶體生長過程中，晶體不被提出坩堝，仍處于熱區(qū)。可以精確控12 制它的冷卻速度，減少熱應(yīng)力。 5) 適合生長大尺寸晶體，材料綜合利用率是泡生法的 。 6) 選用水作為熱交換器內(nèi)的工作流體，晶體可以實現(xiàn)原位退火，較其他方法 試驗周期短、成本低。 7) 在晶體生長過程中，可以方便的觀察晶體的生長情況； 8) 晶體在自由液面生長，不受坩堝的強制作用，可降低晶體的應(yīng)力； 9) 可以方便的使用所需取向籽晶和 ―縮頸 ‖工藝，有助于以比較快的速率生長較高質(zhì)量的晶體，晶體完整性較好。 2 藍寶石晶體生長 方法 比較 藍寶石單晶主要生長 方法 優(yōu)缺點及應(yīng)用比較 主要生長 方法 優(yōu)點 缺點 應(yīng)用 泡生法 (Kyropoulos) 高品質(zhì) (光學(xué)等級 )，低缺陷密度，大尺寸，高產(chǎn)能，成本相對較低 操作復(fù)雜，一致性不高，成品率較低。不易生長C軸晶體。 全球用于 LED襯底的藍寶石 基板 70%以上為泡生法或各種改良型泡生法生長。美國 Rubicon、俄羅斯 Monocrystal、韓國 Astek、臺灣越峰 柴氏法 (Czochralski) 生長情形易于觀察，尺寸容易控制，晶體外形相對規(guī)整 缺陷密度大；須使用銥金坩堝，成本較高；尺寸易受限 加拿大 HoneyWell (2022 年被中國四聯(lián)集團收購 )，法國 SaintGobain。日本藍寶石企業(yè)。 導(dǎo)模法 (EFG) 品質(zhì)佳 設(shè)備、工藝要求復(fù)雜 日本京瓷 (Kyocera)、并木 (Namiki) 溫度梯度法 (TGT) 設(shè)備簡單、操作方 便，無機械擾動、界面穩(wěn)定、成品率高；可生長 c 軸晶體 晶體無轉(zhuǎn)動，溫場不易均勻；晶體需后續(xù)退火處理，周期長，成本高；坩堝強制作用顯著 中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所光電材料事業(yè)部，深圳愛彼斯通 熱交換法 (HEM) 高品質(zhì)，大尺寸 設(shè)備要求高，工藝復(fù)雜，成本高，主要難題是晶體容易開裂。 美國 Crystal System (2022年 7月被美國 GT Solar收購 )，國內(nèi)已開始涉足。 冷心放肩微量提拉法 (SAPMAC) 晶體完整性好；可實現(xiàn)原位退火，周期短、成本低； 易受到溫度波動的影響；不易生長 c 軸晶 體 哈爾濱工大奧瑞德光電技術(shù)有限公司 13 參考文獻 [1]范志剛 , 劉建軍 , 肖昊蘇 , 等 . 藍寶石單晶的生長技術(shù)及應(yīng)用研究進展 [J].硅酸鹽學(xué)報 , 2022, 39(5): 880891. [2] 韓杰才 , 左洪波 , 孟松鶴 , 等 . 泡生法制備大尺寸藍寶石單晶體 [J].人工晶體學(xué)報 , 2022, 34(1): 101–102. [3] HARRIS D C. Evolution of the sapphire industry: Rubicon technology and Garish [J]. Proc SPIE, 2022, 7302: 730202(1–12). [4] 劉麗君 , 徐家慶 , 蔡興民 . 泡生法藍寶石晶體生長工藝的探討 [J]. 哈爾濱工業(yè)大學(xué)學(xué)報 , 2022, 43(3): 145148. [5] process. 2022–04–25. [6] HARRIS D C. A peek into the history of sapphire crystal growth [J].Proc SPIE, 2022, 5078: 1–11. [7] 崔鳳柱 , 周永宗 , 喬景文 , 等 . 導(dǎo)向溫梯法生長優(yōu)質(zhì)蘭寶石單晶 [J].硅酸鹽學(xué)報 , 1980, 8(2): 109– Fengzhu, ZHOU Yongzong, QIAO Jingwen
公司管理相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1