電力電子技術(shù)試卷3)天津農(nóng)學(xué)院-資料下載頁
2025-01-07 22:09本頁面
【正文】 和 MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管 )組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件 , 兼有 MOSFET的高輸入阻抗和 GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。 GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大 。MOSFET 驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。 IGBT 綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。 答： 1） 20A、 2） 、 四、作圖題：（本題共 2小題，每小題 10分，共 20分） uVT2 第 11 頁 i u五、計算題：（本題共 2小題，共 20分） ＞＞ 4Ω 10Ld1. 解： ∵ ∴ 負(fù)載為大電感，流過負(fù)載的電流可看為直線（ 1分） 1）當(dāng) α=0時，輸出電壓平均值為 220V 由式 知 （ 2分） V （ 1 分） 故取額定電 壓 500V （ 1 分） 2 ）由題知， （ 1分） ∵ Rd（ 1分） ∴ （ 1分） 故取額定電流 50A（ 1分） 因此，選取晶閘管的型號為 KP505（ 1分） 3） （ 1分） 第 12 頁 2. 解： ） ITAV 2） ） 六、分析題：（本題共 2小題，共 20分） 1. 解： ∵ 有 600RC濾波環(huán)節(jié) ∴ 同步變壓器接線為 Y/Y511 ： 第 13
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