晶科能源發(fā)布硅晶技術(shù)白皮書-資料下載頁
2025-01-06 09:48本頁面
【正文】 在總的投資成本上，晶科多晶系統(tǒng)將比某品牌單晶系統(tǒng)具有更好的成本優(yōu)勢。 在電站營運(yùn)層面，由于晶科多晶的光衰特別是初始光衰要大大低于單晶，所以每瓦發(fā)電量至少比單晶高 12%，電站造價(jià)多晶也要低于單晶，那么在 25%資本金比例、 15 年貸款年限的融資結(jié)構(gòu)下，我國 中部地區(qū)投資多晶電站的資本金內(nèi)部收益率 IRR 會比投資多晶電站高出至少 2%以上。 ？ 全世界范圍內(nèi)，就已經(jīng)運(yùn)行的電站來看，單多晶電站的比率是 9： 1，也就是多晶電站有更多、更久的實(shí)際的電站發(fā)電數(shù)據(jù)來證明多晶技術(shù)的可靠度和數(shù)據(jù)的可信度，多晶技術(shù)和多晶電站已經(jīng)經(jīng)歷過長期在不同地區(qū)，不同地理氣候環(huán)境下運(yùn)行的考驗(yàn)。 ？ 這是個(gè)概念誤區(qū)，組件機(jī)械強(qiáng)度主要取決于封裝材料和封裝工藝及品質(zhì)，目前主流單多晶組件都通過 5400帕和 2400帕風(fēng)雪 靜態(tài)載荷測試，晶科多晶組件是“首家”；現(xiàn)在行業(yè)中其他家也通過了這個(gè)測試。 6．單晶硅電池比多晶硅電池有更高的轉(zhuǎn)換效率和更大的效率提升空間。 這也是個(gè)概念誤區(qū)，單晶硅由于本身就是硅材料性質(zhì)，量產(chǎn)單晶硅品質(zhì)已經(jīng)很多年沒有變化，但是多晶硅質(zhì)量及制造技術(shù)提升很快，這也是這幾年來單晶硅的效率提升速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)不如多晶技術(shù)的發(fā)展速度；隨著多晶硅純度和品質(zhì)進(jìn)一步提升，更先進(jìn)的高效多晶鑄錠技術(shù)及電池表面處理技術(shù)的應(yīng)用，多晶電池效率具有更大的提升空間。 7．在長期可靠性方面，單多晶電站比較？ 就提供的承諾質(zhì)保來看，多晶功率衰減質(zhì)保較單晶低 %，同樣功率組件，多晶壽命周期內(nèi)保障的發(fā)電量高于單晶。 單晶初始 LID 光率較多晶高 %，光衰后單晶組件功率與標(biāo)稱功率差距顯著大于多晶，導(dǎo)致單晶出廠后經(jīng)光衰導(dǎo)致的發(fā)電量損失高于多晶，由此帶來的發(fā)電收益損失高于多晶。 8．多晶更容易發(fā)生隱裂嗎？ 隱裂主要是因?yàn)榻M件發(fā)生彎曲，或機(jī)械強(qiáng)度特別是動態(tài)載荷下的機(jī)械強(qiáng)度不夠，和什么性質(zhì)硅片無關(guān)，和封裝材料及封裝質(zhì)量有關(guān)。 9．初始光衰一定是多晶更低一點(diǎn)，但穩(wěn)定光衰呢，是單晶更好嗎？ 初始光衰由硅片性質(zhì)決定，單晶天生就初始光衰比較厲害，而之后的穩(wěn)定光衰主要是因?yàn)榻M件老化，所以和組件的材料及封裝質(zhì)量有關(guān)。 10．高溫下，以及在長期的高低溫交替過程中，多晶組件可靠性是否不如單晶？ 以某品牌和晶科單多晶為例，某品牌單晶的功率溫度系數(shù)是 %/攝氏度，晶科多晶是 %/攝氏度，也就是說在 25 度以上，溫度每上升一度，某品牌組件下降 %功率，而晶科多晶下降 %功率。而根據(jù) PTC 值，在野外實(shí)際工作環(huán)境下，同樣功率的組件，多晶的實(shí)際發(fā)電效能要高于單晶。
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