天津大學(xué)模電課件---半導(dǎo)體的基本知識-資料下載頁
2024-10-18 13:25本頁面
【正文】 B 1)1( II???????? 1因 ≈1, 所以 ? 1 ?定義 : =IC /IB=(ICN+ ICBO )/IB 稱為 共發(fā)射極接法直流電流放大系數(shù) 。 于是 2. 金屬氧化物半導(dǎo)體三極管 MOSFET JFET 增強(qiáng)型 ? N溝道、 P溝道 耗盡型 ? N溝道、 P溝道 場效應(yīng)半導(dǎo)體三極管 (1)N溝道增強(qiáng)型 MOSFET 結(jié)構(gòu) 圖 N溝道增強(qiáng)型 MOSFET結(jié) 構(gòu)示意圖 工作原理 1．柵源電壓 VGS的控制作用 (2) 0＜ VGS＜ VT VT 稱為開啟電壓 (3) VGS＞ VT (1) VGS=0 反型層 增強(qiáng)型 MOS管 2．漏源電壓 VDS對漏極電流 ID的控制作用 VDS=VDG＋ VGS =－ VGD＋ VGS VGD=VGS－ VDS 漏源電壓 VDS對溝道的影響 (1) VDS為 0或較小時 (VGS＞ VT) (2)VDS增加 VGD=VT (3)VDS增加 VGD?VT (1) VDS 0， VGS=0， ID不等于 0。 （ 2） VGS＞ 0時， ID 。 （ 3） VGS＜ 0時， ID 。 (2)N溝道耗盡型 MOSFET 圖 N溝道耗盡型 MOSFET的結(jié)構(gòu) (3)P溝道耗盡型 MOSFET P溝道 MOSFET的工作原理與 N溝道 MOSFET完全相同，只不過導(dǎo)電的載流 子不同，供電電壓極性不同而已。這如 同雙極型三極管有 NPN型和 PNP型一樣。
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