數(shù)字式直流電機(jī)雙閉環(huán)調(diào)速系統(tǒng)硬件設(shè)計-資料下載頁
2025-06-07 13:56本頁面
【正文】 能設(shè)法將過電壓的幅值抑制到安全限度之內(nèi)，這是過電壓保護(hù)的基 本 思想。抑制過電壓的方法不外乎三種：用非 線性 元件限制過電壓的幅度；用電阻消耗產(chǎn)生過電壓的能量；用儲能元件吸收產(chǎn)生過電壓的能量。實用中常視需要在電路的不同部位選用不同的方法，或者在同一部位同時用兩種不同保護(hù)方法。以過電壓保護(hù)的部位來分，有交流側(cè)過壓保護(hù)、直流側(cè)過電壓保護(hù)和器件兩端的過電壓保護(hù)三種。 （ 1） 交流側(cè)過電壓保護(hù) 本設(shè)計采用阻容保護(hù)，如 。 1 2 3 4 5 6 7 8ABCD87654321DCBAT i t l eN u m be r R e v i s i o nS i z eA2D a t e : 7 J un 2 0 0 7 S he e t o f F i l e : E : \畢業(yè)設(shè)計 \電路圖 \ M y D e s i g n . d db D r a w n B y:RVTB 圖 交流側(cè)保護(hù)電路 S=， U2=120V C≥6 emI S/ 2U 2= 6 12 13842/1202= 181。F 選取 70181。F 的鋁電解電容器。 R≥ 2U 2/S = 120 2/10 3 = 選取電阻為 ZB110的電阻。 （ 2）直流側(cè)過電壓保護(hù) 直流側(cè)保護(hù)可采用與交流側(cè)保護(hù)相同的方法，可采用阻容保護(hù)和壓敏電阻保護(hù)。但采用阻容保護(hù)易影 響系統(tǒng)的快速性，因此，一般不采用阻容保護(hù)，而只用壓敏電阻作過電壓保護(hù) 。 1MAU =（ ） DCU =() 110=198242V 選 MY31230/5型壓敏電阻。允許偏差 +10％（ 253V）。 （ 3）晶閘管及整流二極管兩端的過電壓保護(hù) 抑制晶閘管關(guān)斷過電壓一般采用在晶閘管兩端并聯(lián)阻容保護(hù)電路方法。電容耐壓可選加在晶閘管兩端工作電壓峰值 的 ～ 。 得 C=， R=100Ω 。 選 R為 CZJD2型金屬化紙介質(zhì)電容器。 RP =fC 2mU 10 6=50106( 120) 210 6=10 6W 選 R為 20Ω 普通金屬膜電阻器， 。 電流保護(hù) 快速熔斷器的斷流時間短，保護(hù)性能較好，是目前應(yīng)用最普遍的保護(hù)措施?？焖偃蹟嗥骺梢园惭b在直流側(cè)、交流側(cè)和直接與晶閘管串聯(lián)。 （ 1）交流側(cè)快速熔斷器的選擇 I2= 選取 RLS10 快速熔斷器，熔體額定電流 40A。 (2）電壓和電流上升率的限制 電壓上升率：正相電壓上升率較大時，會使晶閘管誤導(dǎo)通。因此作用于晶閘管的正相電壓上升率應(yīng)有一定的限制。 造成電壓上升率過大的原因一般有兩點(diǎn)：由電網(wǎng)侵入的過電壓；由于晶閘管換相時相當(dāng)于線電壓短路，換相結(jié)束后線電壓有升高，每一次換相都可能造成過大。限制過大可在電源輸入端串聯(lián)電感和在晶閘管每個橋臂上串聯(lián)電感，利用電感的濾波特性，使 其 降低。 電流上升率：導(dǎo)通時電流上升率太大，則可能引起門極附近過熱，造成晶閘管損壞。因此對晶閘管的電流上升率 必須有所限制。 產(chǎn)生過大的原因一般有：晶閘管導(dǎo)通時，與晶閘管并聯(lián)的阻容保護(hù)中的電容突然向晶閘管放電；交流電源通過晶閘管向直流側(cè)保護(hù)電容充電；直流側(cè)負(fù)載突然短路等等。 所以為了防止 飽 和，每個橋臂上串聯(lián)一個 30μH 的電感。 主電路及保護(hù)電路圖 1 2 3 4 5 6 7 8ABCD87654321DCBAT i t l eN u m be r R e v i s i o nS i z eA2D a t e : 7 J un 2 0 0 7 S he e t o f F i l e : E : \畢業(yè)設(shè)計 \電路圖 \ M y D e s i g n . d db D r a w n B y:RRRRRRRRRCCCCCCCCCT3 T5T2T1T6T4DBTLRv 圖 主電路 V i n1GND2V ou t378 051234B R I D G E 110 uFC A PT R A N S 110 00 uF22 0V14V C C1062 15913 128401511731K1K1K1KAC1V+2AC3V4V C CT2N4T174 L S 0451 018 0 51 01KV C C362 51 4211129 107 8118 A74 L S 8617 B74 L S 8617 A74 L S 86151314L M 1 39L M 1 39+ 12 VV C C V C C12 VV C C V C C12 VV C C V C CV C CABCCD1D2D3RRRQ1N P N D A RU?O P T O I S O 1V C C V C C+ 24 V+ 24 VV C CABCV D 2V D 4V D 1V D 6DV D 3 V D 5DT5RR?RCA+DR P 1T3RT1RT2RT6RT4RLCV C C5VV C C復(fù)位20 0K22 uF74 H C 0 8A N DV C CV C C10 KV D DVoV s sRS4D B 29231L C D 16 02R / W5D B 07D B 18D B 310D B 411D B 512D B 613D B 714V C CV C CMRG N DW D OW D I6R S T72318 3M A X 8 13 LV s +2C 1+1C 13C 2+4C 25V s 6T 2O U T7R 2I N8V C C16G N D15R 2O U T9T 2I N10M A X 2 32 C1u FC?V C C162738495V C CRDWRP 4. 0P 4. 1P 4. 2P 4. 3P 4. 4P 4. 5P 4. 6P 4. 7V ppT X DR X DV s sA / DX T A L 1X T A L 2R S E T16P 2. 117P 3. 357P 3. 258P 3. 159P 3. 060P 3. 753P 3. 654P 3. 555P 3. 456H S I .024P 0. 34P 0. 411P 0. 510P 2. 215H S O .028H S O .129H S O .234H S O .335H S O .426H S O .52761405251504948474645371817369676680 C 1 96 K CG1K1K1 G1 K3 G3 K5 G5S2S2S3S3與 S C R 1 觸發(fā)相同電路V C C
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