曾祥斌hit與量子點(diǎn)太陽能電池的研究與發(fā)展-資料下載頁
2025-05-15 11:25本頁面
【正文】 量子點(diǎn)層的制備 Si量子點(diǎn)通?？设偳队诟还?SiNx、 SiCx或 SiOx薄膜 中，通過化學(xué)氣相淀積（ CVD）或磁控濺射（ MS） 獲得富硅薄膜后，用高溫退火促使富余的 Si原子成 核并生長(zhǎng)形成 Si量子點(diǎn) 多層超晶格 SiC， SiO2， Si3N4 Si1xCx， SiOx， SiNx 退火 Si 量子點(diǎn) 襯底 襯底 2021/6/18 華中科技大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)系 24 量子點(diǎn)層的制備 GaAs / InAs 量子點(diǎn)可通過分子束外延（ MBE）自組裝形 成。外延生長(zhǎng)具有比襯底晶格常數(shù)大的材料時(shí)，初期為 層狀生長(zhǎng)，生長(zhǎng)膜變厚，變形能量就增大，若減少變形能 量，就會(huì)轉(zhuǎn)變?yōu)閸u狀生長(zhǎng)方式。這樣的生長(zhǎng)方式稱為 SK （ StranskiKrastanow）生長(zhǎng)。 2021/6/18 華中科技大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)系 25 量子點(diǎn)異質(zhì)結(jié)太陽能電池的研究現(xiàn)狀 Martin A. Green課題組研究了 Si量子點(diǎn)單結(jié)太陽能電池，包括pn和 pin結(jié)構(gòu) （均未經(jīng)過減反射、背表面場(chǎng)等優(yōu)化工藝處理） 2021/6/18 華中科技大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)系 26 Martin A. Green課題組還研究了不同量子點(diǎn)層厚度和層數(shù)對(duì)電池性能的影響 量子點(diǎn)異質(zhì)結(jié)太陽能電池的研究現(xiàn)狀 2021/6/18 華中科技大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)系 27 Voc= Jsc=51mA/cm2 FF= η=% 量子點(diǎn)異質(zhì)結(jié)太陽能電池的研究現(xiàn)狀 2021/6/18 華中科技大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)系 28 ? 尺寸均勻可控量子點(diǎn)的制備 ? 量子點(diǎn)層結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì) ? 量子點(diǎn)層界面的處理 ? 在實(shí)際電池中獲得多激子效應(yīng) 量子點(diǎn)異質(zhì)結(jié)太陽能電池的研究重點(diǎn) 2021/6/18 華中科技大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)系 29 量子點(diǎn)異質(zhì)結(jié)太陽能電池的市場(chǎng)前景 量子點(diǎn)太陽能電池的理論效率可以達(dá)到 66%， 盡管目前量子點(diǎn)太陽能電池還處于實(shí)驗(yàn)研究階段， 但有學(xué)者預(yù)計(jì) 2020年量子點(diǎn)電池即可初步實(shí)現(xiàn)商 業(yè)化。 2021/6/18 華中科技大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)系 30 ? ? 謝 謝
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