等離子體輔助cvd技術(shù)-資料下載頁
2025-05-14 22:54本頁面
【正文】 薄膜的形成，分析了薄膜樣品的 IR 光譜。 ?750 cm1處的振動譜呈現(xiàn) Si–C 鍵的特征峰 700?C沉積的 SiC薄膜的 IR光譜 . Gil et al. / SolidState Electronics 50 (2021) 1510–1514 . Gil et al. / SolidState Electronics 50 (2021) 1510–1514 Ni/SiC二極管的 IV特性曲線 二極管的反向擊穿電壓高達 545 V， 而 Si 器件的反向擊穿電壓一般只有 100 V。 (a) 制備后以及 (b) 600?C?30 min 熱處理后，界面處各元素的分布變化很小，表明器件具有較高的界面穩(wěn)定性 SiC/Ni界面處的俄歇電子成分分析結(jié)果 . Gil et al. / SolidState Electronics 50 (2021) 1510–1514 ? 聚酯塑料 (PET, polyethylene terephtalate) 已取代玻璃、金屬，成為食品飲料的主要包裝材料 ? 2021 年， 聚酯塑料包裝瓶的年消費量已超過2500 億只，其年增長率將超過 10% ? 聚酯塑料容器的缺點是其氣密性差，這會導致某些食品飲料（如啤酒等）的變質(zhì)、變味 ? DLC 涂層正在嘗試被用于聚酯塑料食品飲料包裝容器的氣密性涂層 例二： 聚酯塑料容器內(nèi)表面的 DLC涂層技術(shù) O2 進入容器會使得飲料變質(zhì)，而 CO2 逸出容器則會使碳酸飲料喪失味道 PET 瓶內(nèi)表面的 DLC 氣密性涂層 CO2 O2 Kirin 公司電容耦合等離子體 DLC 涂層技術(shù) 使用內(nèi)外電極間電容耦合的 RFPECVD 技術(shù) 涂層時間： sec， 涂層厚度： 1030 nm PET容器內(nèi)表面 DLC涂層設備 設備的生產(chǎn)能力： 18000只 PET 容器 /小時 Kirin公司 PET容器 DLC涂層的沉積條件 —————————————————————— 氣體壓力 1100Pa 電源頻率 輸入功率 2502500W 原料氣體 C2H2 氣體流量 30300sccm 涂層時間 sec 涂層厚度 2050 nm _____________________________________________ 1994 年，日本 Kirin Brewery Co., Ltd. 公司即開始推出涂覆 DLC 氣密涂層的 PET 瓶 內(nèi)表面涂覆 DLC 涂層的 PET 瓶 PET容器 DLC涂層的氣密封性能 —————————————————————— 涂層容器 未涂層容器 改善比率 ————————————————— O2 CO2 O2 CO2 O2 CO2 —————————————————————— 溫度 (?C) 20 30 11 40 _____________________________________________ 氣密性單位： O2, cm3/瓶 /天 / CO2， g/瓶 /天 /大氣壓 顏色的單位 （ EBC）： EBC=A430?25 其中， A430 為 430nm 波長光線的吸收率 40?C，不同容器儲存后啤酒的顏色變化 專業(yè)人員的評價標準： 0 —— 無變質(zhì)氣味 9 —— 有強烈變質(zhì)氣味 不同容器內(nèi)儲存兩周后啤酒的變質(zhì)氣味比較 第六講 小結(jié) ? 薄膜的 CVD過程可以由等離子體輔助來實現(xiàn) ? PECVD的主要特點是它可以有效降低 CVD過程的溫度 ? 各種輝光、甚至弧光放電過程都可以被用于PECVD ? 直流、射頻、微波激勵手段都可被用于 PECVD 基本概念復習 ? 等離子體中電子所涉及的微觀過程 ? 等離子體的一般性質(zhì) ? PECVD 技術(shù)的主要優(yōu)點 ? PECVD 涉及的主要微觀過程 ? 各種等離子體的產(chǎn)生方法和相應的 PECVD 技術(shù)簡況 ? PECVD 方法的局限性
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