【總結】1-1第1章電力電子器件電力電子器件概述不可控器件——二極管半控型器件——晶閘管典型全控型器件其他新型電力電子器件電力電子器件的驅動電力電子器件的保護電力電子器件的串聯(lián)和并聯(lián)使用本章小結及作業(yè)1-2電子技術的基礎
2025-05-14 22:17
【總結】單壁碳納米管的制備、提純、分離及其在納電子器件中的應用ThePreparation,Purification,DispersionandApplicationinNanoscaleElectronicDevicesofSingle-walledCarbonNanotubes電子學系99級趙曉雪摘要本文簡要介紹了單壁碳納米管的電弧
2025-06-24 21:38
【總結】1.光輻射的度量2.光電探測器的響應特性3.光電子器件的探測率4.光吸收光電器件的基本特性1.光輻射的度量光輻射的度量方法有兩種:一種是客觀的度量方法,研究各種電磁輻射的傳播和量度,稱為輻射度學參量.適用于整個電磁譜區(qū).另一種是主觀的計量方法,以人眼見到的光對大腦的刺激程度來對光進行計量的
2025-05-11 01:31
【總結】第1章電力電子器件??電力電子器件概述電力電子器件概述??不可控器件不可控器件————二極管二極管??半控型器件半控型器件————晶閘管晶閘管??典型全控型器件典型全控型器件??其他新型電力電子器件其他新型電力電子器件??電力電子
2025-01-17 18:13
【總結】第三章雙極型晶體管的直流特性內容雙極晶體管基礎均勻基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)緩變基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)雙極晶體管的直流電流電壓方程基極電阻雙極晶體管的基礎由兩個相距很近的pn結組成:分為:npn和pnp兩種形式基區(qū)寬度遠遠小于少子擴散長度發(fā)射區(qū)集電區(qū)基區(qū)發(fā)射
2025-04-29 01:25
【總結】石墨烯量子點制備及應用光電信息學院學生:馮序內容導航圖石墨烯量子點示意圖石墨烯量子點由于其比表面積大,高的載流子遷移率,有意的機械柔性和良好的熱學,化學穩(wěn)定性,這種單層碳原子組成的二維材料引起了科學家們的廣泛關注。此外,零維量子點這種材料允許通過尺寸
2025-04-30 03:05
【總結】期末報告學院:材料工程學院專業(yè):材料工程學號:姓名:任課教師:趙元聰日期:20220107石墨烯的表面改性以其摩擦學中的應用摘要介紹石墨烯特點的基礎上,綜述了石墨烯表面改性的研究情況,包括有機小分子及聚合
2025-01-06 19:16
【總結】MOSFET的直流參數(shù)與溫度特性MOSFET的直流參數(shù)1、閾電壓VT2、飽和漏極電流IDSS只適用于耗盡型MOSFET,表示當VGS=0,VDSVDsat且恒定時的IDsat,即??22DSSGSTT22IVVV????
2025-08-05 19:44
【總結】PN結的擊穿雪崩倍增隧道效應熱擊穿擊穿現(xiàn)象擊穿機理:電擊穿BV?VI0I碰撞電離率和雪崩倍增因子在耗盡區(qū)中,反向電壓
2025-07-25 07:03
【總結】氧化石墨烯(或石墨烯)-MnO2復合體的合成及電化學性能SynthesisandElectrochemicalPerformanceofGrapheneOxide(orGraphene)-MnO2Composites氧化石墨烯/石墨烯-MnO2復合體的合成及電化學研究摘要近年來,氧化石墨烯和石墨烯以其獨特的結構和優(yōu)
2025-06-19 13:34
【總結】電流放大系數(shù)與頻率的關系對高頻信號進行放大時,首先用被稱為“偏置”或“工作點”的直流電壓或直流電流使晶體管工作在放大區(qū),然后把欲放大的高頻信號疊加在輸入端的直流偏置上。當信號電壓的振幅遠小于(kT/q)時,稱為小信號。這時晶體管內與信號有關的各電壓、電流和電荷量,都由直流偏
2025-08-04 15:48
【總結】深圳振華富電子有限公司王立忠EMC電子元器件在電子設備中的應用一、電磁兼容性(EMC)的基本概念1、電磁兼容的定義2、電磁干擾的產(chǎn)生3、電磁干擾的頻段劃分4、電磁干擾的危害5、電磁兼容的測試項目及要求二、振華富EMC電子元器件1、磁珠
2024-12-28 18:26
【總結】基極電阻把基極電流IB從基極引線經(jīng)非工作基區(qū)流到工作基區(qū)所產(chǎn)生的電壓降,當作是由一個電阻產(chǎn)生的,稱這個電阻為基極電阻,用rbb’表示。由于基區(qū)很薄,rbb’的截面積很小,使rbb’的數(shù)值相當可觀,對晶體管的特性會產(chǎn)生明顯的影響。以下的分析以NPN管為例。(1
【總結】微電子器件基礎第八章半導體功率器件橫截面示意圖相互交叉的晶體管結構功率晶體管的特性1.較寬的基區(qū)寬度,更小的電流增益。2.大面積器件,更低的截至頻率。3.集電極最大額定電流遠大于于小信號晶體管。
2024-12-27 20:50
【總結】acceptor受主donor施主rebination復合majority多子minority少子transitionregion過渡區(qū)depletionregion耗盡區(qū)contactbarrier接觸勢壘p-njunctionpn結
2025-05-01 18:00