【總結(jié)】1-1第1章電力電子器件電力電子器件概述不可控器件——二極管半控型器件——晶閘管典型全控型器件其他新型電力電子器件電力電子器件的驅(qū)動(dòng)電力電子器件的保護(hù)電力電子器件的串聯(lián)和并聯(lián)使用本章小結(jié)及作業(yè)1-2電子技術(shù)的基礎(chǔ)
2025-05-14 22:17
【總結(jié)】單壁碳納米管的制備、提純、分離及其在納電子器件中的應(yīng)用ThePreparation,Purification,DispersionandApplicationinNanoscaleElectronicDevicesofSingle-walledCarbonNanotubes電子學(xué)系99級(jí)趙曉雪摘要本文簡要介紹了單壁碳納米管的電弧
2025-06-24 21:38
【總結(jié)】1.光輻射的度量2.光電探測(cè)器的響應(yīng)特性3.光電子器件的探測(cè)率4.光吸收光電器件的基本特性1.光輻射的度量光輻射的度量方法有兩種:一種是客觀的度量方法,研究各種電磁輻射的傳播和量度,稱為輻射度學(xué)參量.適用于整個(gè)電磁譜區(qū).另一種是主觀的計(jì)量方法,以人眼見到的光對(duì)大腦的刺激程度來對(duì)光進(jìn)行計(jì)量的
2025-05-11 01:31
【總結(jié)】第1章電力電子器件??電力電子器件概述電力電子器件概述??不可控器件不可控器件————二極管二極管??半控型器件半控型器件————晶閘管晶閘管??典型全控型器件典型全控型器件??其他新型電力電子器件其他新型電力電子器件??電力電子
2025-01-17 18:13
【總結(jié)】第三章雙極型晶體管的直流特性內(nèi)容雙極晶體管基礎(chǔ)均勻基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)緩變基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)雙極晶體管的直流電流電壓方程基極電阻雙極晶體管的基礎(chǔ)由兩個(gè)相距很近的pn結(jié)組成:分為:npn和pnp兩種形式基區(qū)寬度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于少子擴(kuò)散長度發(fā)射區(qū)集電區(qū)基區(qū)發(fā)射
2025-04-29 01:25
【總結(jié)】石墨烯量子點(diǎn)制備及應(yīng)用光電信息學(xué)院學(xué)生:馮序內(nèi)容導(dǎo)航圖石墨烯量子點(diǎn)示意圖石墨烯量子點(diǎn)由于其比表面積大,高的載流子遷移率,有意的機(jī)械柔性和良好的熱學(xué),化學(xué)穩(wěn)定性,這種單層碳原子組成的二維材料引起了科學(xué)家們的廣泛關(guān)注。此外,零維量子點(diǎn)這種材料允許通過尺寸
2025-04-30 03:05
【總結(jié)】期末報(bào)告學(xué)院:材料工程學(xué)院專業(yè):材料工程學(xué)號(hào):姓名:任課教師:趙元聰日期:20220107石墨烯的表面改性以其摩擦學(xué)中的應(yīng)用摘要介紹石墨烯特點(diǎn)的基礎(chǔ)上,綜述了石墨烯表面改性的研究情況,包括有機(jī)小分子及聚合
2025-01-06 19:16
【總結(jié)】MOSFET的直流參數(shù)與溫度特性MOSFET的直流參數(shù)1、閾電壓VT2、飽和漏極電流IDSS只適用于耗盡型MOSFET,表示當(dāng)VGS=0,VDSVDsat且恒定時(shí)的IDsat,即??22DSSGSTT22IVVV????
2024-08-14 19:44
【總結(jié)】PN結(jié)的擊穿雪崩倍增隧道效應(yīng)熱擊穿擊穿現(xiàn)象擊穿機(jī)理:電擊穿BV?VI0I碰撞電離率和雪崩倍增因子在耗盡區(qū)中,反向電壓
2025-07-25 07:03
【總結(jié)】氧化石墨烯(或石墨烯)-MnO2復(fù)合體的合成及電化學(xué)性能SynthesisandElectrochemicalPerformanceofGrapheneOxide(orGraphene)-MnO2Composites氧化石墨烯/石墨烯-MnO2復(fù)合體的合成及電化學(xué)研究摘要近年來,氧化石墨烯和石墨烯以其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和優(yōu)
2025-06-19 13:34
【總結(jié)】電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系對(duì)高頻信號(hào)進(jìn)行放大時(shí),首先用被稱為“偏置”或“工作點(diǎn)”的直流電壓或直流電流使晶體管工作在放大區(qū),然后把欲放大的高頻信號(hào)疊加在輸入端的直流偏置上。當(dāng)信號(hào)電壓的振幅遠(yuǎn)小于(kT/q)時(shí),稱為小信號(hào)。這時(shí)晶體管內(nèi)與信號(hào)有關(guān)的各電壓、電流和電荷量,都由直流偏
2024-08-13 15:48
【總結(jié)】深圳振華富電子有限公司王立忠EMC電子元器件在電子設(shè)備中的應(yīng)用一、電磁兼容性(EMC)的基本概念1、電磁兼容的定義2、電磁干擾的產(chǎn)生3、電磁干擾的頻段劃分4、電磁干擾的危害5、電磁兼容的測(cè)試項(xiàng)目及要求二、振華富EMC電子元器件1、磁珠
2024-12-28 18:26
【總結(jié)】基極電阻把基極電流IB從基極引線經(jīng)非工作基區(qū)流到工作基區(qū)所產(chǎn)生的電壓降,當(dāng)作是由一個(gè)電阻產(chǎn)生的,稱這個(gè)電阻為基極電阻,用rbb’表示。由于基區(qū)很薄,rbb’的截面積很小,使rbb’的數(shù)值相當(dāng)可觀,對(duì)晶體管的特性會(huì)產(chǎn)生明顯的影響。以下的分析以NPN管為例。(1
【總結(jié)】微電子器件基礎(chǔ)第八章半導(dǎo)體功率器件橫截面示意圖相互交叉的晶體管結(jié)構(gòu)功率晶體管的特性1.較寬的基區(qū)寬度,更小的電流增益。2.大面積器件,更低的截至頻率。3.集電極最大額定電流遠(yuǎn)大于于小信號(hào)晶體管。
2024-12-27 20:50
【總結(jié)】acceptor受主donor施主rebination復(fù)合majority多子minority少子transitionregion過渡區(qū)depletionregion耗盡區(qū)contactbarrier接觸勢(shì)壘p-njunctionpn結(jié)
2025-05-01 18:00