【正文】
e210?R a n g e2846?C D : c h a n n e l p a r t2 .52 .72 .93 .13 .33 .53 .73 .9R E F P S M H T ( 8 % )p a t t e e r nCD (um)0um15um30umR a n g e185nmR a n g e317nmR a n g e117nmSimulation Result: Resolution Target → (Comparison of CD:Channel、 RTPR:Source Part ) PR殘膜厚 Rangeの Simulation実施。 Defocus 依 賴 性 (0、130um) CD: Channel part 與 Ref相比 ,隨著 Defocus變化, PSM的CD變化幅度約有的改善,而 HT(8%)有近130nm惡化。 Source part (TopResist): RTPR 隨 Defocus而產(chǎn)生的 RTPR的變化幅度,只有對(duì) PSM造成影響 (2846?)。 而 PSM和 HTM,與 Ref相比較,存在約 200? TopLoss。 169。2021 SKElectronics CO.,LTD. All rights reserved. SKE confidential Conclusion:S/D全解像 () Bin a ry( Ref )PSM( PS)HT M( HT )C ontra st( Ta p er A ngle) ◎ △Top Loss △ △R TP R( Source p a rt) △ ○CD( C ha nnel p a rt) ◎ △ △ ◎CD 2021. 3月完了 ○R ep a ir 2021. 3月完了 ○ ○ ○A LL( G8可能)A LL( G8可能) 2021. 3月完了 2021. 3月完了MA SK 納期MA SK Si z e開発狀況MA SK保証DO SE量( Ta ct Tim e)DesignR esist P ro f leDef ocus依存( P a nel 均一性)