【正文】 pNarrowing (OldSlotboom)) } 共 163頁 97 1. “Physics”部分定義器件仿真過程中使用的物理模型。 2. “ Mobility (DopingDep HighFieldSat Enormal)”語句定義三個(gè)模型：摻雜依賴（ doping dependence）模型、高電場飽和模型、橫向電場依賴（ transverse field dependence）模型； 3. “ EffectiveIntrinsicDensity (BandGapNarrowing (OldSlotboom))”語句定義硅能隙窄化模型，它決定載流子的濃度。 共 163頁 98 Plot { eDensity hDensity eCurrent hCurrent Potential SpaceCharge ElectricField eMobility hMobility eVelocity hVelocity Doping DonorConcentration AcceptorConcentration } 1. Plot”部分定義所有的計(jì)算變量， DESSIS要仿真的變量都將被存入 plot文件。 共 163頁 99 Math { Extrapolate RelErrControl } 1. “Math”部分定義 DESSIS仿真時(shí)算法的設(shè)置，包括仿真器類型、仿真誤差標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)置。 2. “ Extrapolate”語句定義仿真時(shí)采用外推法定義迭代下一步的數(shù)值； 3. “ RelErrControl”語句定義迭代反復(fù)計(jì)算時(shí)加入誤差控制。 共 163頁 100 Solve { 初始解決方案： Poisson Coupled { Poisson Electron } Quasistationary ( MaxStep= Goal{ Name=gate Voltage=2 } ) { Coupled { Poisson Electron } } 共 163頁 101 1. “Solve”部分定義一系列的仿真，包括仿真所需要的一些參數(shù)。 2. “ Poisson”語句定義初始化采用非線性泊松方程； 3. “ Coupled { Poisson Electron }”語句定義在初始偏置下電子的連續(xù)性方程； 4. 這條語句定義仿真的一些設(shè)定，包括最大步長 ，柵壓仿真到 2V，采用泊松方程仿真。 共 163頁 102 ? MOS的輸出特性 共 163頁 103 互動(dòng)時(shí)間 ? Any Question? 共 163頁 104 休息時(shí)間 共 163頁 105 單元 2 ? 本單元講述了幾個(gè)用 Tsuprem4/Medici仿真ESD的幾個(gè)例子： 共 163頁 106 單元 2 ? ：直流仿真 ? ：混合電路仿真 ? ：溫度仿真 ? ：極值功率密度 ? ：功率分布仿真 共 163頁 107 ：直流仿真 ? 直流仿真 ggNMOS結(jié)構(gòu)圖 共 163頁 108 ? 直流仿真 ggNMOS的 IV圖 共 163頁 109 ? 直流仿真 ggNMOS結(jié)構(gòu)圖 共 163頁 110 ? 直流仿真 SCR的 IV圖 共 163頁 111 ：混合電路仿真 ? HBM放電模式的等效電路圖 共 163頁 112 ? 混合電路仿真的器件 共 163頁 113 ? 5kV的 ESD情況下的 It， Vt圖。 共 163頁 114 ? 5kV的 ESD情況下的 It， Vt放大圖。 共 163頁 115 ：溫度仿真 ? 溫度仿真的器件 共 163頁 116 ? 共 163頁 117 ：極值功率密度 ? 5kV的 ESD情況下放電等效電原理圖 共 163頁 118 ? 極值功率密度仿真的 ESD防護(hù)器件圖 共 163頁 119 ? Tsuprem4對該器件的仿真圖 共 163頁 120 ? 5kV的 ESD情況下器件的 It圖 共 163頁 121 ? 5kV的 ESD情況下器件的 Vt圖 共 163頁 122 ? 5kV的 ESD情況下器件的 Pmaxt圖 共 163頁 123 ：功率分布仿真 ? 功率分布仿真的器件 1 共 163頁 124 ? 器件 1的功率分布仿真圖 共 163頁 125 ? 器件 2功率分布的 ESD等效電路圖 共 163頁 126 ? 功率分布仿真的器件 2 共 163頁 127 ? 器件 2極值功率密度的時(shí)域圖 共 163頁 128 ? 器件 2在 Pmax1時(shí)刻的功率分布圖 共 163頁 129 ? 器件 2在 Pmax2時(shí)刻的功率分布圖 共 163頁 130 互動(dòng)時(shí)間 ? Any Question? 共 163頁 131 休息時(shí)間 共 163頁 132 單元 3 ? 本節(jié)將講述一種用瞬態(tài)仿真的手段來評估ESD防護(hù)器件的方法論。 共 163頁 133 ? ：傳統(tǒng)的評價(jià)方法 ? ：瞬態(tài)評估的原理 ? ： Effectiveness ? ： Speed ? ： Robustness ? ： Transparency ? ： Overall ? ：瞬態(tài)評估各模式下的 Vt1 共 163頁 134 ：傳統(tǒng)的評價(jià)方法 ? 傳統(tǒng)的 TLP實(shí)測 Vt1和 It2 共 163頁 135 ：瞬態(tài)評估的原理 ? 傳統(tǒng)的 TCAD仿真比較困難，總會(huì)遇到收斂性問題，這是由于 IV曲線的斜率在觸發(fā)點(diǎn)附近改變比較迅速。在實(shí)際的仿真實(shí)踐中，不收斂是常態(tài)，收斂是偶然。并且由于沒有考率不同模式，不同 ESD電壓值下放電情況下器件觸發(fā)狀況。 共 163頁 136 ：瞬態(tài)評估的原理 ? 針對現(xiàn)有的仿真困境，筆者提出了通過瞬態(tài)仿真評估 ESD防護(hù)器件的性能的方法論，下文以常被人忽視的 CDM放電模式為例介紹這個(gè)仿真評價(jià)方法論。 共 163頁 137 ? 用來評價(jià) ESD防護(hù)器件性能的 CDM放電模型 共 163頁 138 ? 有待評估性能的 ESD防護(hù)器件 共 163頁 139 ? 該 ESD防護(hù)器件的 Tsuprem4仿真結(jié)構(gòu)圖 共 163頁 140 ： Effectiveness ? 該 ESD防護(hù)器件的 It圖 共 163頁 141 ： Speed ? 該 ESD防護(hù)器件的 Vt圖 共 163頁 142 ： Robustness ? 該 ESD防護(hù)器件的 Pmaxt圖 共 163頁 143 ? 該 ESD防護(hù)器件的熱源 共 163頁 144 ? 熱源放大圖 共 163頁 145 注入功率和極值溫度的經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ? 共 163頁 146 二次熱電擊穿的經(jīng)驗(yàn)判決公式 共 163頁 147 1. SCR防護(hù)器件的正向電流達(dá)到最大時(shí)刻的功率分布圖 T1 2. SCR防護(hù)器件的負(fù)向電流達(dá)到最大時(shí)刻的功率分布圖 T2 3. SCR防護(hù)器件正向電壓達(dá)到峰值時(shí) T3， SCR器件內(nèi)部的極值功率密度達(dá)到最大值時(shí) T5時(shí)的功率分布圖（ T3＝ T5） 4. SCR防護(hù)器件負(fù)向電壓達(dá)到最大值時(shí)候的功率分布圖 T4 5. SCR器件內(nèi)部的極值功率密度達(dá)到次最大值時(shí)的功率分布圖 T6 6. SCR器件內(nèi)部的極值功率密度達(dá)到第三個(gè)峰值時(shí)的功率分布圖 T7 共 163頁 148 ? T1時(shí)刻的功率分布 共 163頁 149 ? T2時(shí)刻的功率分布 共 163頁 150 ? T3和 T5時(shí)刻的功率分布 共 163頁 151 ? T4時(shí)刻的功率分布 共 163頁 152 ? T6時(shí)刻的功率分布 共 163頁 153 ? T7時(shí)刻的功率分布 共 163頁 154 ： Transparency ? DC透明性評估 共 163頁 155 ? 100K頻率信號下的透明性評估 共 163頁 156 ： Overall ? 動(dòng)態(tài) I(t)V(t)的評價(jià)圖 共 163頁 157 ：瞬態(tài)評估各模式下的 Vt1 ? 瞬態(tài)評估 Vt1的等效電原理圖 共 163頁 158 ? 5V應(yīng)力， I(t)V(t)圖 共 163頁 159 ? 5V應(yīng)力， 25ns內(nèi) It圖 共 163頁 160 ? 5V應(yīng)力， 25ns內(nèi) Vt圖 共 163頁 161 ? 5V應(yīng)力， 25ns內(nèi) I(t)V(t)圖 共 163頁 162 Thanks! 共 163頁 163