功率放大器外文翻譯---應用于功率放大器的過壓保護電路-資料下載頁
2025-05-12 15:30本頁面
【導讀】或者SiGe功率放大器的趨勢越來越大。雖然目前CMOS價格相對比較低廉，但是其射頻性能存在劣。這個問題特別體現(xiàn)在PA的輸出級，當負載不匹配是，導致高電壓駐波。本文在CMOS工藝下設計了一個27dBmPA，包括VSWR. 一個控制回路檢測在PA輸出端的高電壓振幅尖峰以降低PA的增益，從而降低輸出電壓。擺幅達到理想值。技術，而收發(fā)器和基帶電路更加傾向于使用低成本的標準CMOS技術。無線電系統(tǒng)集成在單個芯片中，這對于成本和面積的減少是相當可觀的。雖然CMOSPA的設計是一。個非常大的挑戰(zhàn)，但是現(xiàn)代深亞微米CMOS工藝的性能接近SiGe或GaAsPA更加具有吸引力。主要的問題是將在所有可能的情況之下保證可靠的操作。PA的設計細節(jié)和測試結果參照文獻[2]。Si-SiO2表層產生破壞，從而出現(xiàn)熱載流子效應。最后，CMOS晶體管的一個致命威脅是柵氧化層或PN結暴露在過高的電壓下會直接被擊穿。重時，駐波幅度可以達到傳輸信號幅度的2倍。駐波最大電壓與最小電壓的比值。晶體管的漏極電壓低于大部分電壓，從而導致二極管反向偏置。
【正文】 M3 的故障切換。在這種情況下，對M3 M4的 排放立即增大，從而開關功率放大器在一個射頻周期的控制電壓， M4的交換機上可以與一個電阻分壓器調節(jié) . 可變脈沖發(fā)生器 在圖 5中顯示的是級聯(lián)和有源器件功率放大器輸出級的漏級電壓的模擬結果，圖 5（ a）中是在2。 5V和 50歐天線負載下的波形。在圖 5（ b）中展示了強大的負載失配的情況下，供應電壓提高到。當在漏極的輸出節(jié)點加最大電壓，使得功率放大器在最壞的情況下由正常操作的 5V上升到6V。如果沒有更高的漏極循環(huán)電壓控制，導致功率放大器第一階段的輸出故障。在正常的操作下，通過保護電路功率放大器的表現(xiàn)是不會下 降的。 圖 5(a) 圖 5(b) 該檢測器和偏置電壓調節(jié)器在開環(huán)模式下進行了瞬態(tài)分析。在圖 6中當突然有個過電壓應用在PA輸出端時 Vbias和 Vcontrol被很快的反應出來了。高電壓會被立即檢測并且隨著很少的射頻周期偏置會降低，在圖 6中隨著開環(huán)檢測模式沒有射頻輸出可以看出漏極電壓減少。 本科畢業(yè)論文（設計）外文翻譯 5 圖 6 測試結果 一種用于 CMOS功率放大器過電壓保護電路被提出了，在功率放大器 輸出高電壓時該電路需要被保護，當負載不匹配，一個控制回路檢測在 PA輸出電壓幅度過高，降低了功率放大器的增益，以降低輸出電壓的值，控制回路是應用于制作與量測在 CMOS功率放大器。這個功率放大器的輸出超過 27DBM的在 。模擬顯示功能和控制回路的響應速度快 ,在正常操作下功率放大器的表現(xiàn)不會應為過電壓保護下降。 本科畢業(yè)論文（設計）外文翻譯 6 原文正文： 本科畢業(yè)論文（設計）外文翻譯 7 本科畢業(yè)論文（設計）外文翻譯 8 本科畢業(yè)論文（設計）外文翻譯 9
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