功率放大器外文翻譯---應(yīng)用于功率放大器的過壓保護(hù)電路-免費(fèi)閱讀
【正文】 本科畢業(yè)論文（設(shè)計(jì)）外文翻譯 5 圖 6 測試結(jié)果 一種用于 CMOS功率放大器過電壓保護(hù)電路被提出了，在功率放大器 輸出高電壓時(shí)該電路需要被保護(hù)，當(dāng)負(fù)載不匹配，一個(gè)控制回路檢測在 PA輸出電壓幅度過高，降低了功率放大器的增益，以降低輸出電壓的值，控制回路是應(yīng)用于制作與量測在 CMOS功率放大器。 5V和 50歐天線負(fù)載下的波形。 圖 3 D: 動態(tài)偏置調(diào)節(jié) 電壓是用來調(diào)節(jié)放大器的偏置點(diǎn)階段，一是讓簡單的電流是在功率放大器偏置在圖 2中使用。因此，輸出電壓不加載和功率放大器的表現(xiàn)也沒有變差。當(dāng)電池充電時(shí)，電原電壓在很短時(shí)間 內(nèi)可達(dá)到 ，早先提交了一份輸出功率 CMOS功率放大器具有良好的性能，已高于 V的低電源電壓的可靠性問題。所以偏置可設(shè)定為兩個(gè)階段。兩個(gè)主要組成部分，過壓檢測器和偏置調(diào)節(jié)，將在未來章節(jié)中討論。 A．駐波比 高電壓駐波會加速 PA電遷移的長期退化和熱載流子效應(yīng)，甚至?xí)⒓磳?dǎo)致晶體管的擊穿。 最后， CMOS晶體管的一個(gè)致命威脅是柵氧化層或 PN結(jié)暴露在過高的電壓下會直接被擊穿。第四部分給出了 PA的整體結(jié)果和設(shè)計(jì)。一個(gè)主要的問題是將在所有可能的情況之下保證可靠的操作。雖然目前 CMOS價(jià)格相對比較低廉，但是其射頻性能存在劣勢，而且還有低的擊穿電壓。大多數(shù)功率放大器是基于 SiGe或 GaAs工藝技術(shù)，而收發(fā)器和基帶電路更加傾向于使用低成本的標(biāo)準(zhǔn) CMOS技術(shù)。 PA的設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)和測試結(jié)果參照文獻(xiàn) [2]。 電遷移通常是指在電場的作用下導(dǎo)電離子運(yùn)動造成元件或電路失效的現(xiàn)象。如果傳輸信號幅度為 Vf，則駐波的最大幅度為 Vmax =Vf（ 1 + |ρ |）。 這項(xiàng)工作提出了一個(gè)用于 CMOS功率放大器的保護(hù)電路。除芯片以外的所有 CMOS采用 13微米工藝。 盡管如此 通過電容晶體管的空間是有限的，此問題是更比雙極型器件的 CMOS嚴(yán)重，獲取更高的頻率更差。因此，有必要監(jiān)測與過壓檢測器都漏輸出的峰
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