功率放大器外文翻譯---應(yīng)用于功率放大器的過壓保護(hù)電路(已修改)
2025-06-01 15:30 本頁面
【正文】 本科畢業(yè)論文（設(shè)計(jì)）外文翻譯 1 外文翻譯： 應(yīng)用于功率放大器的過壓保護(hù)電路 原文來源： Electronics, Circuits and Systems． 15th IEEE International Conference ,2020． ICECS 2020:161164 譯文正文： 摘要 隨著移動(dòng)通信設(shè)備對(duì)更高集成度和更低成本的需求的增加，使用 CMOS功率放大器來代替 GaAs 或者 SiGe 功率放大器的趨勢(shì) 越來越大 。雖然目前 CMOS價(jià)格相對(duì)比較低廉，但是其射頻性能存在劣勢(shì)，而且還有低的擊穿電壓。這個(gè)問題特別體現(xiàn)在 PA的輸出級(jí)，當(dāng)負(fù)載不匹配是，導(dǎo)致高電壓駐波比（ VSWR）并在 PA輸出高峰峰值電壓。本文在 CMOS工藝下設(shè)計(jì)了一個(gè) 27dBm PA，包括 VSWR保護(hù)電路。一個(gè)控制回路檢測(cè)在 PA輸出端的高電壓振幅尖峰以降低 PA的增益，從而降低輸出電壓擺幅達(dá)到理想值。 引言 功率放大器是每個(gè)射頻發(fā)射機(jī)的最重要部分之一。大多數(shù)功率放大器是基于 SiGe或 GaAs工藝技術(shù)，而收發(fā)器和基帶電路更加傾向于使用低成本的標(biāo)準(zhǔn) CMOS技術(shù)。 CMOS PA可以使得整個(gè)完整的無線電系統(tǒng)集成在單個(gè)芯片中，這對(duì)于成本和面積的減少是相當(dāng) 可觀的。雖然 CMOS PA的設(shè)計(jì)是一個(gè)非常大的挑戰(zhàn)，但是現(xiàn)代深亞微米 CMOS工藝的性能接近 SiGe或 GaAs PA更加具有吸引力。一個(gè)主要的問題是將在所有可能的情況之下保證可靠的操作。如果負(fù)載失配時(shí)，在 PA輸出端將導(dǎo)致高的VSWR，這個(gè)問題對(duì)于標(biāo)準(zhǔn) CMOS晶體管的低擊穿電壓非常重要。 本文提出了一種用于 CMOS功率放大器的 VSWR保護(hù)電路。該電路另外設(shè)計(jì)附加在一個(gè)輸出功率為 27 dBm的兩級(jí)差分功率放大器中。這個(gè) PA的設(shè)計(jì)是為了集成在 DECT電話芯片中，和參考文獻(xiàn) [1]類似。 PA的設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)和測(cè)試結(jié)果參照文獻(xiàn) [2]。 本文結(jié)果如下：首先簡(jiǎn)單介紹了 PA的非理想影響。第三部分介紹了可能的解決方案。第四部分給
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