功率放大器外文翻譯---應(yīng)用于功率放大器的過壓保護(hù)電路-文庫吧
2025-04-17 15:30 本頁面
【正文】 出了 PA的整體結(jié)果和設(shè)計。接著對 VSWR保護(hù)電路做了詳細(xì)的介紹，最后給出了測試和仿真結(jié)果。 PA 的非理想因素 CMOS PA的可靠性問題主要包括三個方面： 由于熱載流子效應(yīng)，模擬 CMOS電路的 RF性能會退化 [3]。當(dāng)漏極電場強(qiáng)度高時，溝道電子將對SiSiO2表層產(chǎn)生破壞，從而出現(xiàn)熱載流子效應(yīng)。這將導(dǎo)致 MOSFET的開啟電壓增大使得跨導(dǎo)降低。 電遷移通常是指在電場的作用下導(dǎo)電離子運動造成元件或電路失效的現(xiàn)象。 它可能會導(dǎo)致線路空隙，甚至差距，導(dǎo)致了芯片的破壞。電遷移是一個問題，尤其是當(dāng)大的直流電流密度存在同一個線路中。 最后， CMOS晶體管的一個致命威脅是柵氧化層或 PN結(jié)暴露在過高的電壓下會直接被擊穿。 m工藝的柵級擊穿電壓根據(jù)晶體管的種類在 ~。 PN結(jié)的反向擊穿電壓約為 7V。 天線上負(fù)載失配造成的過高電壓 天線上負(fù)載失配導(dǎo)致傳輸信號的反射從而形成駐波。反射波的幅度和相位可以通過反射因子ρ來度量。如果傳輸信號幅度為 Vf，則駐波的最大幅度為 Vmax =Vf（ 1 + |ρ |）。因此在負(fù)載 失配嚴(yán)本科畢業(yè)論文（設(shè)計）外文翻譯 2 重時，駐波幅度可以達(dá)到傳輸信號幅度的 2倍。負(fù)載失配可以通過駐波比（ VSWR）來反應(yīng)， VSWR是駐波最大電壓與最小電壓的比值。 A．駐波比 高電壓駐波會加速 PA電遷移的長期退化和熱載流子效應(yīng)，甚至?xí)⒓磳?dǎo)致晶體管的擊穿。一種辦法，應(yīng)付 CMOS晶體管擊穿的問題是要面對它的工藝水平，融入標(biāo)準(zhǔn) CMOS高電壓兼容的晶體管。這些設(shè)備的制造過程中就必須增加額外的步驟和手段，此外，這些射頻晶體管的性能一般低于標(biāo)準(zhǔn)的晶體管。最后，很多半導(dǎo)體公司“無生產(chǎn)線，并在獨立半導(dǎo)體鑄造廠制作。 因此，有希望進(jìn)行替代解決在線路水平上 的問題，電壓反饋電路，以避免線路老化，該電路只適用雙極晶體管，不適合用于 CMOS功率放大器。 這項工作提出了一個用于 CMOS功率放大器的保護(hù)電路。這感覺在 PA的開路漏極輸出高電壓和動態(tài)降低偏置和增益放大階段?；靖拍詈?[
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