【導(dǎo)讀】個(gè)參數(shù)的優(yōu)化提供一些基本的方法。測(cè)試規(guī)范的變化，我們的優(yōu)化工作也需要進(jìn)行一些相應(yīng)的調(diào)整。理和案例的方式給閱讀者傳遞一些分析問(wèn)題的知識(shí)和方法論。方案，必須權(quán)衡利弊、細(xì)致分析以及充分評(píng)估。在HSPA優(yōu)化中，原理很重要，經(jīng)驗(yàn)很重要，工具很重要。優(yōu)化RF，優(yōu)化下行信道發(fā)射功率；CQI好，調(diào)度率好，核查傳輸，小區(qū)用戶數(shù)（該參數(shù)可以通過(guò)HSDSCH/EDCH. CAC消息查看）等；CQI好調(diào)度率差?這些參數(shù)有利于我們迅速收集第一手資料，減少后期詳細(xì)分析的工作量。HS_Session0、1指示會(huì)話類型是否是HSDPA。HS_QPSK_Rate0~100%使用QPSK調(diào)制編碼方式的時(shí)間比例。HS_CQI0~30信道質(zhì)量指示的最大值。量可以通過(guò)導(dǎo)頻信道獲得；告，選擇合適的傳輸格式；HS-DSCH_NACK_Rate0~100HS-DSCH數(shù)據(jù)塊非確認(rèn)幀的比例，輸塊大小，從而得到調(diào)度的速率。PDSCH信道后用此參數(shù)來(lái)識(shí)別UE；HSUPA速率較差時(shí)由于上行干擾導(dǎo)致的。時(shí)，Ue就會(huì)發(fā)送Happy。

　　

【正文】 的外部干擾特性，與話務(wù)量直接相關(guān)。其中，對(duì)于內(nèi)部干擾 ，我們希望通過(guò)一些參數(shù)的調(diào)整能夠減少 Ue 的發(fā)射功率，以達(dá)到控制上行干擾，改善上行覆蓋，增加系統(tǒng)容量的目的。 在 WCDMA 系統(tǒng)中，隨著 R5， R6 HSDPA/HSUPA 功能的引入，手機(jī)終端在業(yè)務(wù)連接時(shí)的信道類型和信道個(gè)數(shù)逐漸增加，使得 UE 最大發(fā)射功率也變得相對(duì)復(fù)雜。 在 R4 以前的 WCDMA系統(tǒng)中， UE 的總功率 Ptotal (w) = PRACH+PDPCCH +PDPDCH 。 增加了 HSDPA 以后， UE 的總功率 Ptotal(w) = PRACH+PDPCCH + PDPDCH + PHSDPCCH。 增加 了 HSUPA 以后， UE 的總功率 Ptotal (w) = PRACH+PDPCCH + PDPDCH + PHSDPCCH + PEDPCCH + PEDPDCH。 由于現(xiàn)網(wǎng)是 R6 版本， UE 的總功率 Ptotal (w) = PRACH+PDPCCH + PDPDCH + PHSDPCCH + PEDPCCH + PEDPDCH。 下面將對(duì)該式的每一項(xiàng)進(jìn)行分析 PRACH上行開(kāi)環(huán)功控 相關(guān)參數(shù) Ue 在空閑模式發(fā)起業(yè)務(wù)，需要通過(guò) RACH信道接入系統(tǒng)， Ue 一開(kāi)始將使用 Pini（ PRACH）所計(jì)算出來(lái)的功 率發(fā)射 Rach 信道前導(dǎo)接入系統(tǒng)，如果沒(méi)有收到基站通過(guò) AICH發(fā)過(guò)來(lái)的 ACK， Ue 將不斷提高一定的發(fā)射功率（ powerOffsetPo）再次接入，直至收到 NodeB 通過(guò) AICH 下發(fā)的 ACK 或者功率攀升次數(shù)達(dá)到最大次數(shù)為止（ preambleRetransMax）。 如下公式所示，空閑狀態(tài)下， Ue 通過(guò) RACH 信號(hào)接入系統(tǒng)，其接入系統(tǒng)時(shí)的初始功率 Pini（ PRACH）如下公式所示。 Pini（ PRACH） = pcpichPower + UL_interference + constantValue – PCPICH_RSCP 其中： pcpichPower：為小區(qū)導(dǎo)頻功率發(fā)射功率，現(xiàn)網(wǎng)值為 33dBm。 Ul_Intereference： 為接入時(shí)，小區(qū)的上行干擾值，該值在 SIB7 中發(fā)送。 PCPICH_RSCP： 為接入時(shí) Ue 占用的服務(wù)小區(qū)的 RSCP Constant Value： 為 Pini（ PRACH）的修正值，在下面這個(gè)公式中，只有該參數(shù)可以進(jìn)行修改以校正接入時(shí) Ue 的發(fā)射功率。將該參數(shù)設(shè)大可以提高接入的時(shí)延，減小該參數(shù)值可以降低 Ue 發(fā)射功率，減少不必要的 RTWP 抬升。 powerOffsetPo:功率攀升步長(zhǎng) preambleRetransMax: 功率攀升 次數(shù) Ue 上行開(kāi)環(huán)功控流程如下圖所示： PRACH上行開(kāi)環(huán)功控 相關(guān) 參數(shù)優(yōu)化 如下是天津現(xiàn)場(chǎng)和和華為中興 PRACH相關(guān)參數(shù)設(shè)定值： Ue Txpower PRACH ConstantValue PowerRampStep PreambleRetranMax TJ ALU 10 3 32 HW 20 2 20 ZTE 21 2 20 由上表看出，天津現(xiàn)場(chǎng) PRACH發(fā)射功率明顯高于華為和中興， 在如下公式中： Pini（ PRACH） = pcpichPower + UL_interference + constantValue – PCPICH_RSCP 現(xiàn)網(wǎng) pcpichPower 為 33dBm， ConstantValue 為 10dB，在惡劣的無(wú)線環(huán)境下假設(shè)（ UL_interference 為 90dBm， RSCP 為 105dBm），則可以算得 Pini（ PRACH）= 23dBm，該值已經(jīng)達(dá)到 Ue 的最大發(fā)射功率，由于上行開(kāi)環(huán)功控的存在， Pini（ PRACH）完全可以降低。據(jù)此我們建議參考華為中興的參數(shù)設(shè)置，將ConstantValue、 PowerRampStep、 PreambleRetranMax 分別設(shè)定為： 20。 PDPCCH和 PDPDCH功率設(shè)定相關(guān)參數(shù) PDPCCH 開(kāi)環(huán)功率控制相關(guān)參數(shù) DPCCH信道的開(kāi)環(huán)功率控制，是針對(duì)接入時(shí)初始的 DPCCH發(fā)射功率，而進(jìn)行的功控。 1. Pini (UL DPCCH) Pini (UL DPCCH) = dpcchPowerOffset – PCPICH_ RSCP Ue Txpower DPCCH DPCCH Power Offset ALU 47 HW 48 ZTE 44 2. DPCCH 開(kāi)環(huán)功率攀升 如果來(lái)自高層的 dlTpcPattern01Count中參數(shù)“ n”不為 0，則 TPC將在連續(xù)的 n對(duì)時(shí)隙里使用（ 0,1）的 TPC值，在這 n對(duì)時(shí)隙之后的一個(gè)時(shí)隙中， TPC設(shè)置為 1。下行 DPCCH中的 TPC中的 TPC值將按以上規(guī)律重復(fù)，但當(dāng)無(wú)線幀滿足 CFN mod 4 = 0時(shí)， TPC將被強(qiáng)制重新開(kāi)始以上循環(huán)（先 n個(gè) 01，后一個(gè) 1）。 Transmitted Pattern for dlTpcPattern01Count = 5 如果來(lái)自高層的 dlTpcPattern01Count 中參數(shù)“ n”為 0，則選項(xiàng) DPCCH 的 TPC 總是取值為 1，直至取得無(wú)線鏈路的上行同步。 功率攀升 vs dlTPCPattern01Count 如上圖所示，代表不同的 dlTPCPattern01Count 值對(duì)應(yīng) 在 40ms（ 4 無(wú)線幀）時(shí)間內(nèi)，可以攀升的功率 dB 值。 由于 DPCCH 開(kāi)環(huán)功率控制相關(guān)參數(shù)設(shè)定的發(fā)射功率較小，不再建議調(diào)整。 PDPCCH上行內(nèi)環(huán)功控 相關(guān)參數(shù) 內(nèi)環(huán)功率控制是快速閉環(huán)功率控制，在 Node B 與 UE 之間的物理層進(jìn)行 , 上行內(nèi)環(huán)功率控制的目的是使基站接收到每個(gè) UE 信號(hào)的比特能量相等 。見(jiàn)下圖： 首先， Node B 測(cè)量接受到的上行信號(hào)的信干比（ SIR），并和設(shè)置的 Sirtarget（目標(biāo) SIR 由 RNC 下發(fā)給 Node B）相比較，如果測(cè)量 SIR 小于 Sirtarget， NodeB在下行的物理信道 DPCH 中的 TPC 標(biāo)識(shí)通知 UE 提高發(fā)射功率，反之，通知 UE降低發(fā)射功率。 因?yàn)?WCDMA 在空中傳輸以無(wú)線幀為單位，每一幀包含有 15 個(gè)時(shí)隙，傳輸時(shí)間為 10ms，所以，每時(shí)隙傳輸?shù)念l率為 1500 次 /秒；而 DPCH 是在無(wú)限幀 中的每個(gè)時(shí)隙中傳送，所以其傳送的頻率為每秒 1500 次，而且上行內(nèi)環(huán)功控的標(biāo)識(shí)位 TPC 是包含在 DPCH 里面，所以，內(nèi)環(huán)功控的時(shí)間也是 1500 次 /秒 降低 SirTarget 有利于降低 Ue 的發(fā)射功率。 相關(guān)參數(shù)： initialSirTarget、 maxSirTarget、 minSirTarget 部分業(yè)務(wù)現(xiàn)網(wǎng)設(shè)置值與推薦值如下： UlUsPowerConf initialSirTarget 現(xiàn)網(wǎng)值 UPUG推薦值 maxSirTarget 現(xiàn)網(wǎng)值 UPUG推薦值 minSirTarget 現(xiàn)網(wǎng)值 UPUG推薦值 CS_AMR_NBxSRB_3_4K (RNC15 ) PS_EDCHxSRB_3_4K SRB_13_6K_DCH PS_384K_IBxSRB_3_4K PS_128K_IBxSRB_3_4K PS_64K_IBxSRB_3_4K 如上圖所示： 只有語(yǔ)音業(yè)務(wù)的 Ue 發(fā)射功率高于 UPUG 推薦值，這是與巡檢測(cè)試中 MOS 相關(guān)的，巡檢已過(guò)，建議改回推薦值。后續(xù)優(yōu)化工作，可以嘗試修改 PS R99 業(yè)務(wù)的 SirTarget 值，以降低 Ue 發(fā)射功率。 PDPCCH上行外環(huán)功控相關(guān)參數(shù) 上行外環(huán)功控是 RNC 動(dòng)態(tài)地調(diào)整內(nèi)環(huán)功控的 SIR 目標(biāo)值，其目的是使每條鏈路的通信質(zhì)量基本保持在設(shè)定值，使接收到數(shù)據(jù)的 BLER 滿足 QoS 要求。見(jiàn) 下圖： 上行外環(huán)功控由 RNC 執(zhí)行。 RNC 測(cè)量從 Node B 傳送來(lái)數(shù)據(jù)的 BLER（誤塊率）并和 BlerTarget（相比較，如果測(cè)量 BLER 大于 BlerTarget， RNC 重新設(shè)置Sirtarget（調(diào)高 Sirtarget）并下發(fā)到 Node B；反之， RNC 調(diào)低 Sirtarget 并下發(fā)到 Node B。外環(huán)功率控制的周期一般在一個(gè) TTI（ 10ms、 20ms、 40ms、 80ms）的量級(jí)，即 10～ 100Hz。 由于無(wú)線環(huán)境的復(fù)雜性，僅根據(jù) SIR 值進(jìn)行功率控制并不能真正反映鏈路的質(zhì)量。而且，網(wǎng)絡(luò)的通信質(zhì)量是 通過(guò)提供服務(wù)中的 QoS 來(lái)衡量，而 QoS 的表征量為 BLER，而非 SIR。所以，上行外環(huán)功控是根據(jù)實(shí)際的 BLER 值來(lái)動(dòng)態(tài)調(diào)整Sirtarget，從而滿足 Qos 質(zhì)量要求。 Ue 最終的發(fā)射功率可能還是由 Bler Target 值來(lái)確定，設(shè)置較高的 Bler Target 值有利于降低 Ue 的發(fā)射功率。 相關(guān)參數(shù)： Bler Target： 部分業(yè)務(wù)推薦值如下： Bler Target 的實(shí)際值為 Log10（參數(shù)設(shè)置值） 金 銀 銅 金 銀 銅CS_AMR_NBxSRB_3_4K 3 3 3 2 2 2PS_EDCHxSRB_3_4K SRB_13_6K_DCH 2 2 2 2 2 2PS_384K_IBxSRB_3_4K 2 2 2 2 2 2PS_128K_IBxSRB_3_4K 2 2 2 2 2 2PS_64K_IBxSRB_3_4K 2 2 2Bler Target Bler Target 推薦UlRb 如上所示， CS 業(yè)務(wù)和 PS_EDCH 的 blerTarget 設(shè)定較高，對(duì)于 CS 業(yè)務(wù)如果調(diào)低 BlerTrarget 將會(huì)影響巡檢測(cè)試的語(yǔ)音 MOS 值，由于巡檢已過(guò)，建議改回，之后推動(dòng) CS 金銀銅的開(kāi)啟，將金卡的 BlerTarget 調(diào)整為 3。 PS_EDCH 的 blerTarget 設(shè)定也建議使用金銀銅，將金卡的 Blertarget 調(diào)整為 ，銀卡和銅卡依照推薦值設(shè)定為 。 現(xiàn)場(chǎng)對(duì) PS EDCH bler Target 參數(shù)進(jìn)行過(guò)詳細(xì)評(píng)估， RTWP 有所改善，見(jiàn)下面附件： 后續(xù)也可以嘗試修改過(guò) PS R99 業(yè)務(wù) 的 Blertarget 值，以減少 Ue 發(fā)射功率。 PDPDCH功率控制相關(guān)參數(shù) 一般我們用功率因子 beta 或者 A 來(lái)表示上行信道功率之間的關(guān)系。 3GPP 規(guī)定， DPCCH 信道的功率因子為 betaC， DPDCH 信道功率因子為 betaD 那么， AD= betaD / betaC 則： Δ DPDCH = 20 * lg AD=20 * lg（ betaD / betaC） 只要我們已知上行 DPCCH發(fā)射功率，通過(guò) betaD 和 betaC 就能計(jì)算出上行DPDCH的發(fā)射功率 如下圖所示，我們采用 putedGainFactors方式， 即，通過(guò) Ue上行使用的 TFCI計(jì)算出 對(duì)應(yīng)的 BetaC和 BetaD。從而確定 DPDCH的發(fā)射功率。 PHSDPCCH功率設(shè)定相關(guān)參數(shù) HSDPCCH信道是 Ue 進(jìn)行 HSDPA 業(yè)務(wù)時(shí)，伴隨建立的上行信道，該信道用于傳送 CQI、 ACK 和 NACK 等。 HSDPCCH信道結(jié)構(gòu)如下： HSDPCCH功率可以由 3部分組成，這 3部分分別為傳送 CQI、 ACK、 NACK。 具體參數(shù)為： CqiPowerOffset： HSDPCCH傳送 CQI 的 Slot 發(fā)射功率為： DPCCH Power+ CqiPowerOffset AckPowerOffset： HSDPCCH傳送 ACK 的 Slot 發(fā)射功率為： DPCCH Power+ AckPowerOffset NackPowerOffset： HSDPCCH傳送 NACK 的 Slot 發(fā)射功率為： DPCCH Power+ NackPowerOffset CQI 在 HSDPA 業(yè)務(wù)建立好了之后就必須連續(xù)發(fā)射上報(bào) CQI。 ACK 和 NACK部分只有在有數(shù)據(jù)傳送的時(shí)候才需要發(fā)射。 NACK 部分的功率設(shè)置要比 ACK 功率設(shè)置的高，以避免誤將 NACK 檢測(cè)為ACK 觸發(fā) RLC 和 TCP 等高層 的重傳。 所以適當(dāng)降低 CqiPowerOffset 更有利于降低 HSDPCCH的發(fā)射功率 。 另外： PHSDPCCH功率設(shè)定相關(guān)參數(shù)優(yōu)化 一般我們用功率因子 beta 或者 A 來(lái)表示上行信道功率之間的關(guān)系。 3GPP 規(guī)定， DPCCH信道的功率因子為 betaC， HSDPCCH信道功率因子為betahs 那么， Ahs= betahs / betaC 則： Δ HSDPCCH = 20 * lg Ahs=20 * lg（ betahs / betaC） Δ HSDPCCH為 HSDPCCH信道相對(duì)于 DPCCH信道的 功率差。