hdb╱yd003－2000單晶硅棒、單晶硅片加工貿(mào)易單耗標(biāo)準(zhǔn)及編制說明-資料下載頁
2025-08-12 14:21本頁面
【導(dǎo)讀】的加工貿(mào)易單耗標(biāo)準(zhǔn)。工貿(mào)易企業(yè)進(jìn)行加工貿(mào)易單耗備案，審批和核銷管理。硅棒所耗用多晶硅質(zhì)量。硅片中單晶硅棒的質(zhì)量。家標(biāo)準(zhǔn)及合同對單晶硅棒質(zhì)級的認(rèn)定。工作聯(lián)絡(luò)小組工作計劃，制定單晶硅棒、單晶硅片加工貿(mào)易單耗標(biāo)準(zhǔn)。本標(biāo)準(zhǔn)由海關(guān)總署關(guān)稅征管司委托上海海關(guān)負(fù)責(zé)起草制定。的工藝、技術(shù)專家和有關(guān)海關(guān)加工貿(mào)易保稅專業(yè)技術(shù)人員進(jìn)行審定。息的使用和維護(hù)。術(shù)水平，結(jié)合國內(nèi)外同行業(yè)加工貿(mào)易生產(chǎn)實際，制定本單耗標(biāo)準(zhǔn)。鐵合金及鋁合金的生產(chǎn)）及制造硅化物。磷等元素的單晶硅可用于制造二極管、晶體管及其他半導(dǎo)體器件。多晶硅依外觀可分為塊狀多晶與粒狀多晶。密、平整，多晶硅的外觀應(yīng)無色斑、變色，無可見的污染物。的，還需要進(jìn)行體內(nèi)金屬雜質(zhì)含量的檢測。其中電阻率、OISF密度、以及碳含量是衡量單晶硅棒等級的關(guān)鍵參數(shù)。目前超過98％的電子元件材料全部使用單晶硅。其中用CZ法占了約。用縮勁生長使之消失掉。
【正文】 主要原料：拋光液由具有 SiO2 的微細(xì)懸硅酸膠及 NaOH（或 KOH 或 NH4OH）組成，分為粗拋漿和精拋漿。 清洗：在單晶硅片加工過程 中很多步驟需要用到清洗，這里的清洗主要是拋光后的最終清洗。清洗的目的在于清除晶片表面所有的污染源。 清洗的方式：主要是傳統(tǒng)的 RCA濕式化學(xué)洗凈技術(shù)。 主要原料： H2SO4， H2O2， HF， NH4HOH， HCL （ 3）損耗產(chǎn)生的原因 單晶硅棒 多晶硅加工成單晶硅棒過程中：如產(chǎn)生損耗是重?fù)綀宓琢?、頭尾料則無法再利用，只能當(dāng)成冶金行業(yè)如煉鐵、煉鋁等用作添加劑；如產(chǎn)生損耗是非重?fù)綀宓琢?、頭尾料可利用制成低檔次的硅產(chǎn)品，此部分應(yīng)按邊角料征稅。 重?fù)搅鲜侵?將多晶硅原料及接近飽和量的雜質(zhì)（種類有硼，磷，銻，砷。雜質(zhì)的種類依電阻的 N 或 P 型）放入石英坩堝內(nèi)溶化而成的料。 重?fù)搅现饕糜谏a(chǎn)低電阻率（電阻率＜ 歐姆／厘米）的硅片。 損耗：單晶拉制完畢后的堝底料約 15％。 單晶硅棒整形過程中的頭尾料約 20％。 單晶整形過程中（外徑磨削工序）由于單晶硅棒的外徑表面并不平整且直徑也比最終拋光晶片所規(guī)定的直徑規(guī)格大，通過外徑磨削可以獲得較為精確的直徑。損耗約 10％ 13％。 例： 此外，由于單晶硅的電阻率范圍、電阻率均勻性、雜質(zhì)種類、缺陷狀態(tài)等參數(shù)在不同客戶的要求下，都會對成品的實收率有影響，即使是同一規(guī)格的產(chǎn)品，不同廠家生產(chǎn)該產(chǎn)品的合格率也會不同。一般來講，由于晶體質(zhì)量原因造成的損耗率為 7． 5％。 從多晶硅 單晶硅棒總損耗率： 4 英寸約為 45． 3％ 5 英寸約為 43． 8％ B、單晶硅棒 單晶硅拋光片 單晶硅棒加工成單晶硅拋光片過程中損耗主要在切片工序，如采用內(nèi)園切割機(jī)在切割過程中由于刀片的研磨及切片過程中刀片的擺動造成。此間的損耗約 34％ 35％。如采用線切割機(jī)則損耗較小。 例： 從單晶硅棒到拋光片的損耗還包括切片過程中的崩邊、裂縫 ，磨片過程中的碎片和缺口，堿腐蝕過程中的沾污、花斑，拋光等過程中的碎片劃傷造成的損耗，具體如下：切片 5％、倒角 1％、磨片 5％、腐蝕 2％、退火 2％、拋光 5％、清洗 2％，此間損耗率約 20％ 從單晶硅棒 單晶硅拋光片的總損耗率： 4英寸約為 57． 4％ 5 英寸約為 ％
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