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正文內(nèi)容

外文翻譯中文--退火過(guò)程中高摻雜的4h-sic外延層里堆垛層錯(cuò)的形成-外文文獻(xiàn)-資料下載頁(yè)

2025-01-19 10:22本頁(yè)面

【導(dǎo)讀】在退火過(guò)程中,層錯(cuò)形成發(fā)生在氬氣下1150度,持續(xù)90分鐘。對(duì)于在外延層與基體界面的幾個(gè)包含層錯(cuò)的部分位錯(cuò),伯格斯矢量標(biāo)志已。經(jīng)通過(guò)HRTEM被確定。進(jìn)一步說(shuō),被相反標(biāo)志的位錯(cuò)包含的。兩個(gè)層錯(cuò)間距僅有80納米。所以這一結(jié)果與機(jī)械應(yīng)力所得不一致。2021年美國(guó)物理研究所。制造通過(guò)層錯(cuò)和位錯(cuò)來(lái)使其特性下降。的碳化硅器件,高品質(zhì)單晶及外延層是必要的。Okojie等人提出在P型4H碳化硅。發(fā)生彎曲的區(qū)域通過(guò)與同步白束X射線圖像的對(duì)比,顯示出高的位錯(cuò)相關(guān)。的溫度的不同顯然是由于位錯(cuò)中心的不同結(jié)構(gòu)所致。降低自身的能量通過(guò)電子隨著堆垛層錯(cuò)進(jìn)入量子阱狀態(tài)方式。并通過(guò)高清晰TEM被確認(rèn)為雙層肖克利堆垛層錯(cuò)。導(dǎo)致形成堆垛層錯(cuò)的間隙貫通機(jī)。應(yīng)力作用還是量子阱作用形成堆垛層錯(cuò),還沒(méi)有確鑿的實(shí)驗(yàn)證據(jù)。小方片被切下并對(duì)通過(guò)研磨粉研磨無(wú)論是得到的還是引入的。損傷表面進(jìn)行退火。相同的距離終止。所以拉伸應(yīng)力場(chǎng)只存在于外延層,且變形也限制在外延層。此外,要注意在拉伸狀

  

【正文】 肖克利層錯(cuò)一個(gè)堆垛序列 :( )。在右邊,序列變成( ),對(duì)應(yīng)于一個(gè)單獨(dú)的肖克利層錯(cuò)。這意味著圖像包含一個(gè)雙層錯(cuò)邊界的部分位錯(cuò)。圖中繪制的伯格斯線路顯示:該位錯(cuò)是伯格斯矢量為?(箭頭所示)的一個(gè)肖克利層錯(cuò)部分。額外的半平面和位錯(cuò)是朝下向襯底。圖 2b 表明同樣堆垛層錯(cuò)的高解析度的圖像就像圖 2a,其還包含另一個(gè)雙層層錯(cuò)的復(fù)層。它在圖 2a 中位于離顯示的區(qū)域 30 納米。在圖 2b 中,堆垛序列由一個(gè)單獨(dú)的肖克利層錯(cuò)變?yōu)橥暾?4HSIC 序列。伯格斯線路表明:在圖 2a 中,部分位錯(cuò)也是一個(gè)由相同伯格斯矢量的肖克利部分層錯(cuò)。伯格 斯矢量用箭頭標(biāo)記相應(yīng)于位錯(cuò)邊界組成的額外半平面向下延伸。觀察到的所有雙層堆垛層錯(cuò)末端由兩個(gè)位于相鄰基面的邊界部分。兩個(gè)部分之間的距離在 20 到 40納米間。在 QWA 模型中,兩部分不能太遠(yuǎn),因?yàn)槿绻h(yuǎn)的話,單獨(dú)的層錯(cuò)區(qū)域會(huì)變得更寬且這是不利的。兩部分不能太近,因?yàn)樗麄冇赏瑯拥牟袼故噶?,?huì)相互排斥。兩部分之間的距離可能取決于這之間相互競(jìng)爭(zhēng)的因素。 圖 3 向上的額外面的兩邊界部分的高分辨 TEM 圖像。伯格斯線路和矢量用圓圈和箭頭標(biāo)記 圖 3 顯示了另一對(duì)終止在外延層 /基體界面的肖克利層錯(cuò)的兩個(gè)邊界部分的高解析度 TEM 圖像。圖 3a 和 b 的取向和內(nèi)容與圖 2 相似。在圖 3a 中,一對(duì)肖克利層錯(cuò)變成了隨著圖 3b 所示變成完整 4HSiC 堆垛序列的一個(gè)單獨(dú)的肖克利層錯(cuò)。對(duì)于圖 3 兩部分的額外面的位置與圖 2 的不同:兩個(gè)平面向下指向表面,且他們存在外延里。 這個(gè)單獨(dú)的觀察由于摻雜不同所引起的應(yīng)力誘導(dǎo)作為形成層錯(cuò)的動(dòng)力。有人可能會(huì)問(wèn),但是,如果生長(zhǎng)里的缺陷形成的局部應(yīng)力誘導(dǎo)可能會(huì)有效的。答案似乎是否定的。研究中分析的兩個(gè)雙層錯(cuò)只有 80 納米的距離,他們有不同的伯格斯矢量痕跡。因此,導(dǎo)致擴(kuò)張的剪應(yīng)力必須在小距離下扭轉(zhuǎn)這個(gè)痕跡;是一個(gè)極不可能的結(jié)果 。 總之,我們已經(jīng)通過(guò)高解析度 TEM 分析了在重?fù)诫s的 n 型 4HSiC 外延層里擴(kuò)張堆垛層錯(cuò)的部分位錯(cuò)邊界。在外延層 /基體界面的位錯(cuò)有相反的伯格斯矢量標(biāo)記。這不包括機(jī)械變形作為雙重堆垛層錯(cuò)的一個(gè)形成機(jī)理,只把 QWA 作為對(duì)這一現(xiàn)象唯一合理的解釋。 這項(xiàng)工作已經(jīng)得到了美國(guó)海軍研究局批準(zhǔn)。批準(zhǔn)號(hào): N000140010786。 附件 2:外文原文 (復(fù)印件)
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