【導(dǎo)讀】在退火過(guò)程中,層錯(cuò)形成發(fā)生在氬氣下1150度,持續(xù)90分鐘。對(duì)于在外延層與基體界面的幾個(gè)包含層錯(cuò)的部分位錯(cuò),伯格斯矢量標(biāo)志已。經(jīng)通過(guò)HRTEM被確定。進(jìn)一步說(shuō),被相反標(biāo)志的位錯(cuò)包含的。兩個(gè)層錯(cuò)間距僅有80納米。所以這一結(jié)果與機(jī)械應(yīng)力所得不一致。2021年美國(guó)物理研究所。制造通過(guò)層錯(cuò)和位錯(cuò)來(lái)使其特性下降。的碳化硅器件,高品質(zhì)單晶及外延層是必要的。Okojie等人提出在P型4H碳化硅。發(fā)生彎曲的區(qū)域通過(guò)與同步白束X射線圖像的對(duì)比,顯示出高的位錯(cuò)相關(guān)。的溫度的不同顯然是由于位錯(cuò)中心的不同結(jié)構(gòu)所致。降低自身的能量通過(guò)電子隨著堆垛層錯(cuò)進(jìn)入量子阱狀態(tài)方式。并通過(guò)高清晰TEM被確認(rèn)為雙層肖克利堆垛層錯(cuò)。導(dǎo)致形成堆垛層錯(cuò)的間隙貫通機(jī)。應(yīng)力作用還是量子阱作用形成堆垛層錯(cuò),還沒(méi)有確鑿的實(shí)驗(yàn)證據(jù)。小方片被切下并對(duì)通過(guò)研磨粉研磨無(wú)論是得到的還是引入的。損傷表面進(jìn)行退火。相同的距離終止。所以拉伸應(yīng)力場(chǎng)只存在于外延層,且變形也限制在外延層。此外,要注意在拉伸狀