shl10-25,400工業(yè)蒸汽鍋爐本科畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)開(kāi)題報(bào)告(編輯修改稿)
2024-10-25 04:35 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 因此，發(fā)展AMOLED驅(qū)動(dòng)技術(shù)，解決有機(jī)發(fā)光顯示器的“瓶頸”問(wèn)題顯得日益迫切。像素驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)是AMOLED顯示器的核心技術(shù)內(nèi)容，具有重要研究意義。本項(xiàng)目致力于基于薄膜晶體管（TFT）的AMOLED顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路的研究與實(shí)現(xiàn)。②工作任務(wù)分析目前，應(yīng)用于AMOLED的薄膜晶體管主要有非晶硅薄膜晶體管(aSiTFT)和低溫多晶硅薄膜晶體管(LTPSTFT)，二者實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的優(yōu)勢(shì)最大。aSiTFT與LTPSTFT相比具有工藝簡(jiǎn)單、價(jià)格低、制備成品率高、關(guān)態(tài)漏電流小等優(yōu)點(diǎn)。但aSiTFT載流子遷移率低，器件的尺寸要比LTPSTFT大得多，而且驅(qū)動(dòng)電壓和信號(hào)電壓都比較大，這些不利因素會(huì)造成顯示屏像素開(kāi)口率下降、OLED的壽命縮短，同時(shí)aSiTFT技術(shù)存在著過(guò)高的光敏感性問(wèn)題。LTPSTFT具有較高的載流子遷移率，相比于非晶硅工藝，其特征尺寸可以做到更小，增加OLED像素的開(kāi)口率，還可以實(shí)現(xiàn)將顯示器的外圍驅(qū)動(dòng)電路集成于顯示器的周邊。OLED有源矩陣驅(qū)動(dòng)方式可分為電流編程模式和電壓編程模式。電流編程是在數(shù)據(jù)線上提供一恒定電流通過(guò)電流鏡的作用控制OLED上流過(guò)的電流，即根據(jù)通入電流的大小控制像素的明暗程度(灰階)。文獻(xiàn)[4]和[9]是采用電流編程模式。采用電流編程技術(shù)的AMOLED畫面具有自動(dòng)補(bǔ)償LTPSTFT器件差異的功能，由此能提供高均勻度及高精細(xì)的畫質(zhì)表現(xiàn)，但在低色階區(qū)電流寫入不足。在電流編程之前還需要以電壓驅(qū)動(dòng)一小段時(shí)間使OLED本身的寄生電容預(yù)充電(precharge)使OLED的兩端電壓達(dá)到導(dǎo)通電壓,導(dǎo)致建立時(shí)間長(zhǎng)，掃描頻率不能太高，限制了電流編程模式只適用于中小尺寸顯示。另外,電流鏡設(shè)計(jì)中一般要求至少兩個(gè)LTPSTFT的物理特性是一致的（閾值電壓、遷移率等相同），對(duì)于目前的多晶硅工藝這是很難實(shí)現(xiàn)的。電壓編程模式是在數(shù)據(jù)線上使用電壓信號(hào)控制流經(jīng)OLED的電流而決定像素的明暗程度。電壓編程模式結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，開(kāi)口率高，像素充電迅速，功耗小，控制方便，外圍驅(qū)動(dòng)芯片設(shè)計(jì)容易、成本低。通過(guò)像素驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)可補(bǔ)償LTPSTFT閾值電壓的差異及OLED導(dǎo)通電壓隨時(shí)間退化，還可以補(bǔ)償大面積顯示中電源線寄生電阻引起的電壓降，但無(wú)法補(bǔ)償TFT中載流子遷移率的差異。盡管如此，可以通過(guò)優(yōu)化LTPSTFT制備工藝提高遷移率的均勻性。最簡(jiǎn)單的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路如右圖所示，包含兩個(gè)薄膜晶體管(TFT)和一個(gè)存儲(chǔ)電容（簡(jiǎn)稱2T1C電路），其中一個(gè)開(kāi)關(guān)(switching)TFT，一個(gè)驅(qū)動(dòng)（driving）TFT。當(dāng)掃描線(scanline)開(kāi)啟時(shí)，外部電路送入電壓數(shù)據(jù)信號(hào)經(jīng)由開(kāi)關(guān)TFT存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容(Cs)中，此電壓信號(hào)控制驅(qū)動(dòng)TFT導(dǎo)通電流大小，也就決定了OLED的灰階；當(dāng)掃描線關(guān)閉時(shí)，存儲(chǔ)于Cs中的電壓仍能保持驅(qū)動(dòng)TFT在導(dǎo)通狀態(tài)，故能在一個(gè)畫面時(shí)間內(nèi)維持OLED的固定電流。與TFTLCD利用穩(wěn)定的電壓控制亮度不同，OLED器件屬于電流驅(qū)動(dòng)，需要穩(wěn)定的電流來(lái)控制發(fā)光。由于制程和器件老化等原因，各個(gè)像素點(diǎn)驅(qū)動(dòng)管TFT的閾值電壓存在不均勻性，這樣導(dǎo)致流過(guò)各個(gè)像素點(diǎn)OLED的電流會(huì)發(fā)生變化，影響圖像顯示的均勻性。因此有必要對(duì)像素電路提出補(bǔ)償，使流過(guò)各個(gè)像素點(diǎn)的電流非均勻些控制在一定的范圍之內(nèi)。很多文獻(xiàn)在仿真的過(guò)程中，將OLED器件作為一個(gè)二極管和電容的并聯(lián)，本項(xiàng)目中采用的OLED模型也是將一個(gè)二極管和電容并聯(lián)。本項(xiàng)目采用EDA仿真軟件Hspice，對(duì)設(shè)計(jì)的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行模擬仿真，并提取出合理的參數(shù)，實(shí)現(xiàn)對(duì)驅(qū)動(dòng)管TFT閾值漂移的補(bǔ)償。③國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀2T1C像素驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，像素開(kāi)口率高，適合大批量生產(chǎn)，因此2T1C電路的研究吸引了不少研究單位。吉林大學(xué)司玉娟等曾經(jīng)做過(guò)傳統(tǒng)AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路的仿真研究，在合理選擇PolySiTFT模型參數(shù)的基礎(chǔ)上,對(duì)2T1C像素驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行詳細(xì)分析,總結(jié)出驅(qū)動(dòng)電路的合理工作參量,并詳細(xì)分析它們的變化對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的影響,為像素驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)分析提供依據(jù)。Sanford等把OLED器件不僅作為發(fā)光器件，而且把它作為一個(gè)電容使用，提出了一種可以補(bǔ)償閾值漂移的2T1C電路，但是它并不能完全消除閾值漂移的影響。此外多個(gè)研究單位提出了多于2個(gè)TFT的TFT補(bǔ)償電路。，它不但可以補(bǔ)償值電壓的改變，還可以減少電源線寄生電阻導(dǎo)致的電壓降，與傳統(tǒng)2T1C驅(qū)動(dòng)電路相比，可以使得面板的亮度更加均勻。（aSi:HTFT）可補(bǔ)償閾值漂移的6T1C像素驅(qū)動(dòng)電路，實(shí)驗(yàn)表明文獻(xiàn)[12]中所設(shè)計(jì)的像素驅(qū)動(dòng)電路隨著工作時(shí)間的變化，流過(guò)OLED的電流只有7%的衰減，遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于傳統(tǒng)2T1C電路的28%，仿
醫(yī)療健康相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1