mos器件物理--轉(zhuǎn)移特性曲線(編輯修改稿)
2024-10-24 21:04 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 ，會(huì)發(fā)生同樣的現(xiàn)象。,,襯底偏置效應(yīng)（體效應(yīng)）,例：,襯底偏置效應(yīng)（體效應(yīng)）,由于襯底電位會(huì)影響閾值電壓，進(jìn)而影響MOS管的過驅(qū)動(dòng)電壓，所以襯底可以視為MOS管的第二個(gè)柵（常稱背柵）。 因此為了衡量體效應(yīng)對(duì)MOS管的I/V的影響，定義一襯底跨導(dǎo) 襯底跨導(dǎo)：在源漏電壓與柵源電壓為常量時(shí)漏極電流隨襯底電壓的變化關(guān)系： 則襯底電位對(duì)漏極電流的影響可用一個(gè)電流源gmbVBS表示。,,襯底偏置效應(yīng)（體效應(yīng)）,在飽和區(qū)，gmb能被表示成 而根據(jù)閾值電壓與VBS之間的關(guān)系可得： 因此有： 上式中η=gmb/gm ，gmb正比于γ。上式表明當(dāng)較大時(shí)，不斷增大的襯底效應(yīng)的變化就不明顯了。 注意gmVGS與gmbVBS具有相同極性，即提高襯底電位與提高柵壓具有同等的效果。,,溝道調(diào)制效應(yīng),在分析器件的工作原理時(shí)已提到：在飽和時(shí)溝道會(huì)發(fā)生夾斷，且夾斷點(diǎn)的位置隨柵漏之間的電壓差的增加而往源極移動(dòng)，即有效溝道長(zhǎng)度L’實(shí)際上是VDS的函數(shù)。這種由于柵源電壓變化引起溝道有效長(zhǎng)度改變的效應(yīng)稱為“溝道調(diào)制效應(yīng)”。 記 ， ，λ稱為溝道調(diào)制系數(shù)，當(dāng)遠(yuǎn)小于L時(shí)有：,,溝道調(diào)制效應(yīng),在飽和區(qū)時(shí)，其漏極電流為 調(diào)制系數(shù)為： 而ΔL為： λ的大小與溝道長(zhǎng)度及襯底濃度有關(guān)，ND上升則λ下降。考慮溝道調(diào)制效應(yīng)的I/V曲線如下圖所示。,,溝道調(diào)制效應(yīng),由上圖可以看出： 實(shí)際的I/V曲線在飽和時(shí)并非是一平行的直線，而是具有一定斜率的斜線。 所有斜線反方向延長(zhǎng)與水平軸VDS間有同一交叉點(diǎn)，該點(diǎn)的電壓稱為厄萊電壓VA。 因此在源漏之間是一個(gè)非理想的電流源。參數(shù)λ反映了溝道調(diào)制的深度，且溝道越短，λ越大，表明溝道調(diào)制越明顯。λ與VA的關(guān)系為：λ＝1/VA 。,溝道調(diào)制效應(yīng),考慮溝道調(diào)制效應(yīng)后MOS管的在飽和區(qū)的跨導(dǎo)gm為： 所以溝道調(diào)制效應(yīng)改變了MOS管的I/V特性，進(jìn)而改變了跨導(dǎo)。,溝道調(diào)制效應(yīng),不考慮溝道調(diào)制效應(yīng)時(shí)，MOS管工作于飽和區(qū)時(shí)的漏源之間的交流電阻為無(wú)窮大，是一理想的電流源。 考慮溝道調(diào)制效應(yīng)后，由于漏電流隨漏源電壓變化而變化，其值為一有限值。這個(gè)電流源的電流值與其電壓成線性關(guān)系， 可以等效為一個(gè)連接在 漏源之間的線性電阻， 這個(gè)電阻值為：,溝道調(diào)制效應(yīng)
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