實(shí)驗(yàn)四存儲(chǔ)器部件實(shí)驗(yàn)報(bào)告(編輯修改稿)
2024-10-19 22:33 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 ~2023 的值。會(huì)發(fā)現(xiàn)原來置入到這幾個(gè)內(nèi)存單元的值已經(jīng)改變，用戶在使用RAM 時(shí)，必須每次斷電重啟后都要重新輸入程序或修改內(nèi)存單元的值。2〉用A 命令輸入一段程序，執(zhí)行并觀察結(jié)果。①在命令行提示符狀態(tài)下輸入：A 2000↙ 屏幕將顯示： 2000： 按如下形式鍵入：2000： MVRD R0，AAAA 2002： MVRD R1，5555 2004： AND R0，R1 2005： RET 2006：↙②在命令行提示符狀態(tài)下輸入：T 2000 ↙ R0 的值變?yōu)锳AAAH，其余寄存器的值不變。T↙R1 的值變?yōu)?555H，其余寄存器的值不變。T↙R0 的值變?yōu)?000H，其余寄存器的值不變。③在命令行提示符狀態(tài)下輸入： G 2000 運(yùn)行輸入的程序。④在命令行提示符狀態(tài)下輸入：R ↙ 屏幕顯示：R0=0000 R1=5555 R2=…3．將擴(kuò)展芯片下方的插針按下列方式短接：將標(biāo)有“/MWR”“ PGMPGM”和“RD”的三個(gè)插針左面兩個(gè)短接，將標(biāo)有“/MWD”“/OE”“GND”的三個(gè)插針左邊兩個(gè)短接；4．將擴(kuò)展芯片上方標(biāo)有EXTROMH 和EXTROML 的“/CS”信號(hào)用自鎖緊線短接，然后短接到MEMDC138 芯片的上方的標(biāo)有“4000－5fff”地址單元；5． EPROM 是紫外線可擦除的電可改寫的只讀存儲(chǔ)器芯片。在對(duì)EPROM 進(jìn)行重寫前必須先擦除并判斷芯片是否為空，再通過編程器進(jìn)行編程；①D 命令看內(nèi)存單元0000~001F 的值?？梢钥吹絻?nèi)存單元的值為：01FF 02FF 03FF 04FF......1FFF；②用E 命令向芯片的內(nèi)存單元置入數(shù)值，再用D 命令察看，會(huì)發(fā)現(xiàn)原來的值沒有改變；用A命令向芯片所在的地址鍵入程序，用U 命令反匯編，會(huì)發(fā)現(xiàn)地址仍然保持原來的值。該實(shí)驗(yàn)說明EPROM 不能直接修改和編程，必須先擦除，再通過編程器編程； ③將教學(xué)機(jī)斷電后重啟，用D 命令看內(nèi)存單元0000~001F 的內(nèi)容，會(huì)發(fā)現(xiàn)數(shù)值沒變，EPROM的內(nèi)容在斷電后會(huì)保持。6．AT28C64B 的讀操作和一般的RAM 一樣，而其寫操作，需要一定的時(shí)間，大約為1 毫秒。因此，需要編寫一延遲子程序，在對(duì)EEPROM 進(jìn)行寫操作時(shí)，調(diào)用該子程序，以完成正確的讀寫。1）用E 命令改變內(nèi)存單元的值并用D 命令觀察結(jié)果。①在命令行提示符狀態(tài)下輸入：E 5000↙ 屏幕將顯示： 5000 內(nèi)存單元原值： 按如下形式鍵入：5000 原值：2424（按空格）原值：3636（按空格）原值：4848（按空格）原值：5050↙ ②在命令行提示符狀態(tài)下輸入：D 5000↙ 屏幕將顯示5000H~507FH 內(nèi)存單元的值，從5000 開始的連續(xù)四個(gè)內(nèi)存單元的值依次為2424 3636 4848 5050；③斷電后重新啟動(dòng)，用D 命令察看內(nèi)存單元5000~5003 的值，會(huì)發(fā)現(xiàn)這幾個(gè)單元的值沒有發(fā)生改變，說明EEPROM的內(nèi)容斷電后可保存。2）從2000H 單元開始輸入主程序：（2000）MVRD R0，0000 MVRD R2，0010 ；R2 記錄循環(huán)次數(shù)MVRD R3，5000 ；R3 的內(nèi)容為16 位內(nèi)存地址（2006）STRR [R3]，R0 ；將R0 寄存器的內(nèi)容放到R3 給出的內(nèi)存單元中 CALA 2200 ；調(diào)用程序地址為2200 的延時(shí)子程序 INC R0 ；R0 加1 INC R3 ；R3 加1 DEC R2 ；R2 減1 JRNZ 2006 ；R2 不為0 跳轉(zhuǎn)到2006H RET 從2200H 單元開始輸入延時(shí)子程序：（2200）PUSH R3 MVRD R3，F(xiàn)FFF（2203）DEC R3 JRNZ 2203 POP R3 RET 運(yùn)行主程序，在命令提示符下輸入：G 2000↙。注意：運(yùn)行G 命令的時(shí)候，必須要將將標(biāo)有“/MWD”“/OE”“GND”的三個(gè)插針右邊兩個(gè)短接。程序執(zhí)行結(jié)束后，在命令提示符下輸入：D 5000↙； 可看到從5000H 開始的內(nèi)存單元的值變?yōu)?000：0000 0001 0002 0003 0004 0005 0006 0007 5008：0008 0009 000A 000B 000C 000D 000E 000F。實(shí)驗(yàn)結(jié)果實(shí)驗(yàn)結(jié)果與預(yù)期結(jié)果相同。實(shí)驗(yàn)心得通過這次實(shí)驗(yàn)，可看出靜態(tài)存儲(chǔ)器芯片和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器芯片的不同，加深對(duì)計(jì)算機(jī)內(nèi)存儲(chǔ)器功能及組成的理解。對(duì)于RAM，可直接用A、E命令向擴(kuò)展的存儲(chǔ)器輸入程序或改變內(nèi)存單元的值。RAM中的內(nèi)容在斷電后會(huì)消失，重新啟動(dòng)實(shí)驗(yàn)機(jī)后會(huì)發(fā)現(xiàn)內(nèi)存單元的值發(fā)生了改變，需要用戶自己再重新進(jìn)行輸入。對(duì)于EPROM，不能進(jìn)行直接修改和編程，其內(nèi)容在斷電后仍保持。對(duì)于EEPROM，若要對(duì)其進(jìn)行寫操作，需要一定的時(shí)間，因此需要編寫一個(gè)延遲子程序（E命令能直接寫芯片，A命令有時(shí)會(huì)不可以）。第三篇：實(shí)驗(yàn)四 存儲(chǔ)器部件教學(xué)實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)四 存儲(chǔ)器部件教學(xué)實(shí)驗(yàn)一．主存儲(chǔ)器部件教學(xué)機(jī)配置了6個(gè)存儲(chǔ)器芯片插座，其中4個(gè)28芯插座可插只讀存儲(chǔ)器，2個(gè)24芯插座可插靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。ROMH，ROML用來存放監(jiān)控程序，RAMH，RAML用來存放用戶程序和數(shù)據(jù)以及監(jiān)控程序臨時(shí)數(shù)據(jù)和堆棧。ExtROMH，ExtROML用來對(duì)存儲(chǔ)器容量進(jìn)行擴(kuò)展?？梢詳U(kuò)展的存儲(chǔ)器的
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