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正文內(nèi)容

畢業(yè)設(shè)計(jì)雙容水箱系統(tǒng)的建模、仿真與控制(編輯修改稿)

2025-01-08 15:38 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 此 pK 應(yīng)取適當(dāng)值。 pK 越大,系統(tǒng)響應(yīng)越快,只要有微小的差距,誤差就會隨時(shí)間累積,最后,導(dǎo)致 實(shí)際曲線和 理論曲線在時(shí)間上的較大差距;仿真開始的時(shí)刻初始電壓通常并不為零,而是有一個(gè)初值,而理論曲線都是以零開始的,這也造成實(shí)際曲線與理論曲線的誤差。 使用 Matlab 中 SISOTOOLS 進(jìn)行仿真分析 畫出 pK 取不同值時(shí)的仿真曲線以及根軌跡圖和波特圖如下: 圖 45 ?pK 根軌跡及波特圖 圖 46 ?pK 根軌跡及波特圖 17 圖 47 ?pK 3 根軌跡及波特圖 圖 48 ?pK 10 根軌跡及波特圖 結(jié)論: 隨著 KP 增大,極點(diǎn)實(shí)部不變,虛部離實(shí)軸越遠(yuǎn)。 采用比例積分控制 分析 PI 控制器參數(shù)變化對系統(tǒng)性能影響 由 G 的傳遞函數(shù) ? ? ? ?? ? 97 058 97 058 239。 ?????? sssG ( 41) 18 可得加入比例積分調(diào)節(jié)器 ? ? )11(KCp sTs i??后,系統(tǒng)閉環(huán)傳遞函數(shù)為 ? ? )11(K 2p ???? sssTsG i ( 45) ? ?pp23pp 70 58 82 70 58 82 70 58 82 70 58 82 K ???? ???? sTsTsTsT sTsiiiii ( 46) 由此可得,系統(tǒng)特征方程為: ?)(sD pp23 0 .9 7 0 5 8 8 2 K0 .9 7 0 5 8 8 2 ???? sTsTsTsT iiii ( 47) 由勞斯判據(jù),列勞斯表: 3s iT ipi TKT ? 2s iT 1s pipi KTKT 5 1 7 0 5 8 8 ?? 0 0s 由純比例控制中,當(dāng) 3?pK 時(shí),擬合最好,所以這里取 3?pK 。 則 pipi KTKT 5 1 7 0 5 8 8 ?? 0 72??iT 所以,當(dāng) ?iT 時(shí),為臨界穩(wěn)定狀態(tài) ,可得下圖: 圖 49 ?? ip TK ,3 2 圖 410 ?? ip TK ,3 19 圖 411 ?? ip TK ,3 5 圖 412 ?? ip TK ,3 10 讀圖 49 到 412 得到比例積分控制性能指標(biāo)的數(shù)據(jù),如表 42 表 42 比例積分控制性能指標(biāo) 實(shí)際 理論 pK iT rt st %? )(?c )(?sse 過阻尼 3 2 —— —— % —— 1 —— 0 —— 臨界阻尼 —— —— % —— 1 —— 0 —— 欠阻尼 5 % 55% 1 1 0 0 10 22% 27% 1 1 0 0 結(jié)論: 在過阻尼和臨界阻尼時(shí),理論圖像不是收斂的,沒有這些性能指標(biāo)。欠阻尼時(shí), Ti越大,上升時(shí)間越大,調(diào)節(jié)時(shí)間越小,超調(diào)量越小,響應(yīng)越快,終值為 1,無穩(wěn)態(tài)誤差。 實(shí)際曲線,在相同的 Kp 下,積分時(shí)間 Ti 越大,調(diào)節(jié)時(shí)間越小,超調(diào)量越小。積分時(shí)間 Ti 越小,積分作用 越強(qiáng),系統(tǒng)越容易消除余差,但是系統(tǒng)的振蕩會加劇,甚至使理想響應(yīng)曲線發(fā)散。 使用 Matlab 中 SISOTOOLS 進(jìn)行仿真分析,對比實(shí)際控制效果與仿真效果的差異 畫出 Kp=3,Ti 取不同值時(shí)的仿真曲線以及根軌跡圖和波特圖如下: 20 圖 413 ?? ip TK ,3 2 根軌跡及波特圖 圖 414 ?? ip TK ,3 根軌跡及波特圖 圖 415 ?? ip TK ,3 5 根軌跡及波特圖 21 圖 416 ?? ip TK ,3 10 根軌跡及波特圖 由圖像可知,用 SISOTOOLS 工具得出的 PI控制器獲得的響應(yīng)曲線與實(shí)際的仿真曲線比較一致,根據(jù)曲線可以看出該控制器的 控制效果比較好,超調(diào)量不大,響應(yīng)速度較快。 由根軌跡圖形可看出 Ti 取值較小時(shí),系統(tǒng)存在 s 域右半平面的極點(diǎn),系統(tǒng)是不穩(wěn)定的,隨著積分時(shí)間的增加,系統(tǒng)的開環(huán)極點(diǎn)向左平面靠攏,系統(tǒng)穩(wěn)定。 PID 控制 分析 PID 控制器對控制性能的影響。 選取 PID 控制中曲線擬合較好的 pK 、 iT 值,使 ?? ip TK ,3 ,改變 DT ,可得如下圖像: 圖 417 ??? Dip TTK , 圖 418 ??? Dip TTK , 1 22 圖 419 ??? Dip TTK , 10 圖 420 ??? Dip TTK , 30 結(jié)論: 保持 Kp 和 Ti 不變,改變 Td,當(dāng) Td 較小時(shí),理論 PID 控制的各項(xiàng)參數(shù)與實(shí)際 PID控制誤差較小,在誤差允許范圍之內(nèi)理論與實(shí)際曲線相吻合;當(dāng) Td 較大時(shí),微分作用過強(qiáng),引起震蕩,偏差較大,另外由于飽和非線性的影響,實(shí)際曲線與理論曲線有較大的差別。 PID 控制是 P、 I、 D 控制的綜合,綜合了三者的優(yōu)點(diǎn):快速響應(yīng),穩(wěn)態(tài)誤差較小,動態(tài)性能較好, D 控制是影響系統(tǒng)的動態(tài)性能,隨著 Td 的增大,微分作用增強(qiáng),超調(diào)量減小,但調(diào)節(jié)時(shí)間增加 ,可取適當(dāng)?shù)?Td 值來綜合兩者的要求。 圖 421 ??? Dip TTK , 根軌跡及波特圖 23 圖 422 ??? Dip TTK , 1 根軌跡及波特圖 圖 423 ??? Dip TTK , 10 根 軌跡及波特圖 圖 424 ??? Dip TTK , 30 根軌跡及波特圖 24 結(jié)論: 隨著 Td 的增大,微分作用增強(qiáng),能夠提高系統(tǒng)的響應(yīng)速度,超前調(diào)節(jié),抑制過渡過程的最大動態(tài)偏差,同時(shí)具備比例積分的特點(diǎn)。 已知: ? ? ? ?? ? 9 7 0 5 8 8 ??? sG 未加入校正前的響應(yīng)曲線如下圖所示,此時(shí) Kp=1 圖 425 1?pK 傳函曲線和 根軌跡及波特圖 由圖像可知,系統(tǒng)的幅值裕度和相角裕度都滿足條件,所以系統(tǒng)的穩(wěn)定性較好。 上升時(shí)間 rt =,調(diào)節(jié)時(shí)間 st =,系統(tǒng)的動態(tài)性能也不錯(cuò),但系統(tǒng)的穩(wěn)態(tài)誤差太大,為 ,所以必須通過增大系統(tǒng)的開環(huán)增益來進(jìn)行系統(tǒng)校正,以減小穩(wěn)態(tài)誤 差。 設(shè)定穩(wěn)態(tài)誤差校正目標(biāo)為小于 10%,取 pK =10 25 圖 426 10?pK 傳函曲線和 根軌跡及波特圖 由圖像可知,改變開環(huán)增益之后,穩(wěn)態(tài)誤差變?yōu)榱?10%,實(shí)現(xiàn)了校正目標(biāo),但是系統(tǒng)的相角穩(wěn)定裕度變?yōu)榱? 度,截止頻率變?yōu)榱?。為了改善系統(tǒng)性能,此時(shí)應(yīng)采用串聯(lián)超前校正,增大相角穩(wěn)定裕度。 未校正前系統(tǒng)性能如下表, 表 43 未校正前系統(tǒng)性能 )(str )(sts %? )(?sse )/( sradc? 相角穩(wěn)定裕度 % 1) 未校正系統(tǒng)的波特圖如上面所示,要求校正系統(tǒng)的相位裕量為 ? 不小于 40 度,所以我們可取 ?45?? 2) 根據(jù)相位裕量的要求確定超前校正網(wǎng)絡(luò)的相位超前角 ????????????? ???? m 3) 由下式得到 i n1 i n1s i n1 s i n1 ??? ?????? mma ?? 4) 因此超前校正裝置在 n? 處的幅值為 dBa ?? ,據(jù)此,在未校 26 正 系 統(tǒng) 的 開 環(huán) 對 數(shù) 幅 值 為 ? 。 讀 圖 可 得 到 , 對 應(yīng) 的 是 ??? sn?? 這一頻率,就是校正后系統(tǒng)的截止頻率 5) 確定超前系統(tǒng) aTm 1?? ??? am?? 4 7 5 1 9 ???? am?? )( ??? sssGc 6)加入校正環(huán)節(jié): ? ? ? ?? ? )(* ??????? sssssGSG c 通過 simulink 搭建電路模型如下: 圖 427 simulink 搭建的電路模型 27 可得原始理論系統(tǒng)、校正后系統(tǒng)、校正后加飽和環(huán)節(jié)后系統(tǒng)的圖像: 圖 428 原始理論系統(tǒng)、校正后系統(tǒng)、校正后加飽和環(huán)節(jié)后系統(tǒng)的曲線 由圖像知,校正后系統(tǒng)的穩(wěn)態(tài) 誤差得到很大改善,加入了飽和環(huán)節(jié)后系統(tǒng)滯后。 其閉環(huán)曲線和波特圖如下: 圖 429 校正加飽和后的閉環(huán)曲線和根軌跡,波特圖 可得下表 表 44 加飽和環(huán)節(jié)后系統(tǒng)性能 )(str )(sts %? )(?sse )/( sradc? 相角穩(wěn)定裕度 % % 28 將校正環(huán)節(jié)應(yīng)用于實(shí)際模擬系統(tǒng),觀測實(shí)際系統(tǒng)仿真圖像如下: 圖 430 實(shí)際系統(tǒng)仿真 結(jié)論:校正后的系統(tǒng),其動態(tài)性能指標(biāo)都能達(dá)到要求。尤其是穩(wěn)態(tài)誤差得到了改善,而且加入了飽和環(huán)節(jié)后,與實(shí)際電路系統(tǒng)進(jìn)行對比,可以發(fā)現(xiàn)其擬合度很 高。 、滯后系統(tǒng)控制性能分析 1) 取采樣周期 sT 分別為 , 2s, 6s, 10s,通過電路仿真得到如下圖像 : 圖 431 不同采樣周期下的仿真圖像 結(jié)論: 采樣周期 T越大,系統(tǒng)響應(yīng)超調(diào)量越大,穩(wěn)定性越差,振蕩增強(qiáng),甚至離散。 29 2) 純滯后環(huán)節(jié) PID A) 取 ??? Dip TsTK , 1s, Simulink 仿真電路如下: 圖 432 Simulink 仿真電路 改變了延時(shí)時(shí)間 delay time=0s, 1s, 3s, 5s,可得下列圖像: 圖 433 delay time=0s 圖 434 delay time=1s 圖 435 delay time=3s 圖 436 delay time=5s 30
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